【2SD1609 ， 2SD1610NPN硅外延应用低频高电压放大器互补配对2SB1109和2SB11】,IC型号2SD1609,2SD1609 PDF资料,2SD1609经销商,ic,电子元器件-51电子网

2SD1609 ， 2SD1610

NPN硅外延

应用

低频高电压放大器互补配对2SB1109和2SB1110

概要

TO- 126 MOD

1.发射器

2.收集

3. BASE

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

评级

项

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

TSTG

2SD1609

160

100

1.25

150

-45至+150

2SD1610

200

100

1.25

150

-45至+150

单位

°C

2SD1609 ， 2SD1610

电气特性

（ TA = 25°C ）

2SD1609

项

收藏家基地

击穿电压

集电极到发射极

击穿电压

发射器基

击穿电压

收藏家Cuto FF电流

符号

（ BR ） CBO

（ BR ） CEO

（ BR ） EBO

CBO

民

160

—

直流电流tarnsfer比H

FE1

FE2

基极至发射极电压V

集电极到发射极

饱和电压

CE （ SAT ）

—

典型值

—

140

3.8

最大

—

320

—

1.5

—

2SD1610

民

200

—

典型值

—

140

3.8

最大

—

320

—

1.5

—

兆赫

单位

测试条件

= 10

= 0

= 1毫安，R

∞

= 10

= 0

= 140 V，I

= 0

= 160 V，I

= 0

= 5 V，I

= 10毫安

= 5 V，I

= 1毫安

= 5 V，I

= 10毫安

= 30 mA时，我

= 3毫安

= 5 V，I

= 10毫安

= 10 V，I

= 0,

F = 1 MHz的

增益带宽乘积F

集电极输出

电容

注意：

60至120

COB

1. 2SD1609和2SD1610是用h分组

FE1

如下。

100至200

160到320

最大集电极耗散

曲线

1.5

集电极耗散功率P

(W)

集电极电流I

（MA ）

典型的输出特性

1.0

0.5

120

110

100

= 0

集电极到发射极电压V

(V)

100

环境温度Ta （C ）

150

2SD1609 ， 2SD1610

直流电流传输比主场迎战

集电极电流

500

= 5 V

集电极电流I

（MA ）

直流电流传输比H

200

TA = 75℃

100

–25

= 5 V

脉冲

典型的传输特性

100

TA = 7

–25

0.2

0.6

0.8

0.4

基极至发射极电压V

(V)

1.0

集电极电流I

（MA ）

100

饱和电压与集电极电流

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

基地发射极饱和电压V

BE （ SAT ）

(V)

增益带宽乘积F

（兆赫）

= 10 I

脉冲

BE （ SAT ）

TA = -25°C

增益带宽积主场迎战

集电极电流

500

= 10 V

200

100

1.0

0.5

0.2

0.1

CE （ SAT ）

0.5

TA = -

100

0.05

集电极电流I

（MA ）

1.0

集电极电流I

（MA ）

2SD1609 ， 2SD1610

集电极输出电容与

集电极 - 基极电压

集电极输出电容C

（PF ）

F = 1 MHz的

= 0

1.0

0.5

50 100

集电极基极电压V

(V)

单位：mm

8.0

0.5

3.1

+0.15

–0.1

3.7

0.7

11.0

0.5

2.7

0.4

2.3

0.3

120°

1.1

15.6

0.5

0.8

2.29

0.5

2.29

0.5

0.55

1.2

日立代码

JEDEC

EIAJ

重量（参考值）

TO- 126 MOD

—

0.67 g

UTC 2SD1609 NPN外延硅晶体管

NPN外延平面

晶体管

特点

*低频高电压放大器

TO-126

1 ：发射器2 ：收藏家3 ： BASE

绝对最大额定值

（ TA = 25℃ ，除非另有规定）

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

总功率耗散（T

=25°C)

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

P合计

英镑

民

最大

160

100

1.25

150

单位

°C

-50

电气特性

（ TA = 25℃ ，除非另有规定）

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压上

电流增益带宽积

输出电容

符号

CBO

首席执行官

EBO

CBO

FE1

FE2

（SAT）

BE（上）

COB

测试条件

=10A

=1mA

=10A

=140V

= 5V ， IC = 10毫安

= 5V ， IC = 1毫安

IC = 30mA时我

=3mA

= 5V ， IC = 10毫安

=5V,Ic=10mA

= 10V ， F = 1MHz的

民

160

典型值

最大

单位

320

1.5

145

3.8

兆赫

分类h及

FE1

秩

范围

60-120

100-200

160-320

世界标准时间

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 LTD。

QW-R204-008,A

UTC 2SD1609 NPN外延硅晶体管

特性曲线

世界标准时间

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 LTD。

QW-R204-008,A

UTC 2SD1609 NPN外延硅晶体管

电流增益&集电极电流

1000

饱和压（MV ）

1000

饱和电压电流&Collector

的hFE

100

=5V

100

CE （ SAT ）

@Ic=10I

0.1

100

1000

100

1000

集电极电流（毫安）

电压&集电极电流

10000

截止频率（MHz ）

1000

集电极电流（毫安）

截止频率&Collector电流

上压（MV ）

1000

100

=5V

BE（上）

@Vc

=5V

100

0.1

100

1000

100

1000

集电极电流（毫安）

Capacitance&反向偏置电压

10000

集电极电流（毫安）

安全工作区

电容（pF）

1000

100

=1ms

=100ms

=1s

COB

0.1

100

1000

反向偏置电压（V ）

100

1000

正向电压（ V）

世界标准时间

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 LTD。

QW-R204-008,A

UTC 2SD1609 NPN外延硅晶体管

UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则

超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或

其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含

在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用

这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现

本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的

可靠，可恕不另行通知。

世界标准时间

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 LTD。

QW-R204-008,A

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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险！！

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全新原装正品现货低价

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地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316

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全新原装现货，原厂代理。

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21+22+

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TO126

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2012

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TO126

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