【2SB1109 ， 2SB1110PNP硅外延应用低频高电压放大器互补配对2SD1609和2SD16】,IC型号2SB1109D,2SB1109D PDF资料,2SB1109D经销商,ic,电子元器件-51电子网

2SB1109 ， 2SB1110

PNP硅外延

应用

低频高电压放大器互补配对2SD1609和2SD1610

概要

TO- 126 MOD

1.发射器

2.收集

3. BASE

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

评级

项

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

TSTG

2SB1109

–160

–5

–100

1.25

150

-45至+150

2SB1110

–200

–5

–100

1.25

150

-45至+150

单位

°C

2SB1109 ， 2SB1110

电气特性

（ TA = 25°C ）

2SB1109

项

收藏家基地

击穿电压

集电极到发射极

击穿电压

发射器基

击穿电压

符号

（ BR ） CBO

（ BR ） CEO

（ BR ） EBO

民

典型值

最大

—

–10

—

320

—

–1.5

–2

—

2SB1110

民

典型值

最大单位

—

–10

320

—

–1.5 V

–2

—

兆赫

测试条件

= –10

= 0

= -1毫安，R

∞

= –10

= 0

= -140 V，I

= 0

= -160 V，I

= 0

= -5 V，I

= –10

= -5 V，I

= -1毫安

= -5 V，I

= -10毫安

= -30毫安，我

= –3

= -5 V，I

= –10

= -10 V，I

= 0, f =

1兆赫

–160 —

–5

—

140

5.5

–200 —

–5

—

140

5.5

集电极截止电流I

CBO

直流电流tarnsfer

比

FE1

FE2

基极至发射极电压V

集电极到发射极

饱和电压

CE （ SAT ）

—

增益带宽乘积F

集电极输出

电容

注意：

60至120

COB

1. 2SB1109和2SB1110是用h分组

FE1

如下。

100至200

160到320

最大集电极耗散曲线

1.5

集电极耗散功率PC（ W）

–20

集电极电流I

（MA ）

典型的输出特性

–16

1.0

–12

–8

0.0

–4

= 0

–120

–110

–100

–90

–80

–70

–60

–50

–40

–30

–20

–10

100

环境温度T

(°C)

150

–2

–4

–6

–8

–10

集电极到发射极电压V

(V)

2SB1109 ， 2SB1110

典型的传输特性

–100

集电极电流I

（MA ）

–50

直流电流传输比H

= –5 V

直流电流传输比主场迎战

集电极电流

500

= –5 V

200

TA = 75℃

100

–25

–10

–5

– 25

–20

TA = 7

–1

–2

–1

–0.2

–0.4

–0.6

–0.8

–1.0

基极至发射极电压V

(V)

–2

–5 –10 –20

–50 –100

集电极电流I

（MA ）

饱和电压与集电极电流

集电极到发射极饱和电压

CE （SAT）

(V)

基地发射极饱和电压

BE （SAT）

(V)

–5

增益带宽乘积F

（兆赫）

= 10 l

–2

–1.0

–0.5

–0.2

CE （SAT）

–0.1

增益Gandwidth产品对比

集电极电流

500

= –10 V

200

100

BE （SAT）

= –25°C

–25

–0.5 –1.0 –2

–5 –10 –20

集电极电流I

（MA ）

–0.05

–1

–2

–5 –10 –20

–50 –100

集电极电流I

（MA ）

–50

集电极输出电容与

集电极 - 基极电压

集电极输出电容C

（PF ）

F = 1 MHz的

= 0

1.0

0.5

–1

–2

–5 –10 –20

–50 –100

集电极基极电压V

(V)

2SB1109 ， 2SB1110

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