INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1565
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
OR
CT
U
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1565
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1565
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
SD1565
RF &微波晶体管
超高频脉冲应用
.
.
.
.
.
.
500瓦@ 250μSec脉冲宽度，
10 ％占空比
耐火材料镀金
发射极平衡和低
阻力和可靠性
耐用性
无限VSWR能力的AT
指定的运行条件
输入匹配的公共基
CON组fi guration
均衡配置
0.400 X 0.500 4LFL （ M102 ）
密封式
订货编号
SD1565
BRANDING
SD1565
引脚连接
描述
该SD1565是密封的，金二甲双胍
allized硅NPN脉冲功率晶体管安装
在一个共同的基础均衡配置。该
SD1565是专为要求高的应用
在频范围内的峰值功率和低占空比
昆西范围400 - 500兆赫。
绝对最大额定值
(T
例
=
25
°
C)
符号
参数
价值
单位
1.集热器
2.基
3.辐射源
4.基地
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
P
DISS
T
J
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
器件的电流
功耗
结温
储存温度
65
65
3.5
43.2
1167
+200
65 200
V
V
V
A
W
°
C
°
C
热数据
R
日（J -C ）
1994年7月19日
结 - 壳热阻
0.15
° C / W
1/6
SD1565
电气规格
(T
例
=
25
°
C)
STATIC
符号
测试条件
价值
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
BV
CBO
BV
CES
BV
EBO
I
CES
h
FE
I
C
=
50毫安
I
C
=
50毫安
I
E
=
10毫安
V
CE
=
30 V
V
CE
=
5 V
I
E
=
0毫安
V
BE
=
0 V
I
C
=
0毫安
I
E
=
0毫安
I
C
=
5 A
65
65
3.5
—
20
—
—
—
—
—
—
—
—
15
200
V
V
V
mA
—
动态
符号
测试条件
价值
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
P
OUT
P
G
η
c
注意：
f
=
425兆赫
f
=
425兆赫
f
=
425兆赫
P
IN
=
54 W
P
IN
=
54 W
P
IN
=
54 W
V
CE
=
40 V
V
CE
=
40 V
V
CE
=
40 V
500
9.7
50
—
—
—
—
—
—
W
dB
%
PULSE W ID
=
250
秒， DUT 周期
=
10%
此设备是自成一表F或者在其他脉冲WIDT H /占空比康迪特离子使用。
请与事实储器为特定APPLI猫离子阿西立场。
典型性能
（ P.W.
=
为250μs ，哥伦比亚特区
=
10%)
功率输出VS电源输入
功率增益与频率
2/6
SD1565
阻抗数据
（ P.W.
=
为60μs ，哥伦比亚特区
=
2%)
典型输入阻抗
典型集电极负载
阻抗
测试电路
C3, C5
C4, C8
C6
C7
C9
C10
C12, C15
C13, C16
C14, C17
:
:
:
:
:
:
:
:
:
为8pF 50万平方米
0.4 - 4.5pF的约翰森江铃＃ 27273
39pF方为50Mil
39pF贴片电容
20pF的贴片电容
为12pF贴片电容
.1
F
1000pF的贴片电容
1000
F
L1 ， L2 ： 1 “PC ＃ 18镀锡线（安装平板PC板）
L3 ， L4 ： 2T ＃ 18镀锡线， 0.25 “内径
转换器是4.8“ UT- 141同轴电缆，间隔，以适应从同轴电缆
连接器的25欧姆线路。
注意：
3M Epsilom 6 PC板0.030 “厚
5/6
