功率晶体管
2SC5912
硅NPN三重扩散台面型
水平偏转输出电视
15.5
±0.5
(10.0)
单位：mm
φ
3.2
±0.1
5
(4.5)
3.0
±0.3
5
■
特点
高击穿电压： V
CBO
≥
1 500 V
广泛的安全工作区
内置自卸车二极管
26.5
±0.5
(23.4)
(2.0)
5
(4.0)
2.0
±0.2
1.1
±0.1
0.7
±0.1
5.45
±0.3
10.9
±0.5
5.5
±0.3
5
5
■
绝对最大额定值
T
C
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（E -B的短）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
基极电流
集电极电流
峰值集电极电流
*
集电极耗散功率
T
a
=
25°C
结温
储存温度
T
j
T
英镑
符号
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
B
I
C
I
CP
P
C
等级
1 500
1 500
7
3
10
15
40
3
150
55
to
+150
°C
°C
单位
V
V
V
A
A
A
W
3.3
±0.3
18.6
±0.5
(2.0)
浸焊
5
1
2
3
(2.0)
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
EIAJ ： SC- 94
TOP- 3E -A1套餐
内部连接
C
B
E
注）* ：非重复性峰值集电极电流
■
电气特性
T
C
=
25°C
±
3°C
参数
发射极 - 基极电压（集电极开路）
正向电压
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
符号
V
EBO
V
F
I
CBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
t
英镑
t
f
I
F
=
5 A
V
CB
=
1 000 V，I
E
=
0
V
CB
=
1 500 V，I
E
=
0
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
贮存时间
下降时间
V
CE
=
5 V，I
C
=
5 A
I
C
=
5 A，I
B
=
1.25 A
I
C
=
5 A，I
B
=
1.25 A
V
CE
=
10 V，I
C
=
0.1 A，F
=
0.5兆赫
I
C
=
5 A，电阻负载
I
B1
=
1.25 A，I
B2
= 2.5
A
3
5.0
0.5
5
条件
I
E
=
500毫安，我
C
=
0
民
7
2
50
1
10
2.5
1.5
典型值
最大
单位
V
V
A
mA
V
V
兆赫
s
s
注）的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
22.0
±0.5
(1.2)
出版日期： 2004年3月
SJD00308AED
1
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特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备， combus-
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必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或损害人类
体。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
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修改和/或改进。在您的设计，采购，或者使用的产品的最后阶段，
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系统蒸发散满足您的要求。
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荷兰国际集团，工作电源电压，以及热辐射特性的范围内。否则，我们不会
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分解和破坏模式，可能发生对半导体产品。在这样的制度措施
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物理损伤，火灾，社会的损害，例如，通过使用产品。
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和时间量，让站在密封的物品）约定，当规格表被单独
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2003年九月
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