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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1548
描述
·采用TO- 3P （H ） IS包
·高电压，高转速
·低集电极饱和电压
应用
·彩电行输出的应用
·开关稳压器输出的应用
钉扎
针
1
2
3
描述
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（TO -3P （H）， IS）和符号
绝对最大额定值（ TA = 25 ）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
1400
600
5
10
5
50
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
下降时间
条件
I
C
= 8A ，我
B
=2A
I
C
= 8A ，我
B
=2A
V
CB
= 500V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 2A ; V
CE
=5V
I
C
= 0.1A ; V
CE
=10V
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
I
CP
= 7A ，我
B1
（结束）
=1.5A
8
民
2SD1548
符号
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
t
f
典型值。
最大
5.0
1.6
10
1
单位
V
V
A
mA
3
165
1.0
兆赫
pF
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1548
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1548
描述
·带
TO-3P （H） IS包
高
电压，高速
ULOW
集电极饱和电压
应用
●颜色
电视机行输出的应用
切换
调节器的输出应用
钉扎
针
1
2
3
描述
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（TO -3P （H）， IS）和符号
·
绝对最大额定值（Ta = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
1400
600
5
10
5
50
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
t
f
参数
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
下降时间
条件
I
C
= 8A ，我
B
=2A
I
C
= 8A ，我
B
=2A
V
CB
= 500V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 2A ; V
CE
=5V
I
C
= 0.1A ; V
CE
=10V
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
I
CP
= 7A ，我
B1
（结束）
=1.5A
8
3
民
2SD1548
典型值。
最大
5.0
1.6
10
1
单位
V
V
μA
mA
兆赫
pF
1.0
μs
165
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1548
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）
3
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