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2SC2619
NPN硅外延
REJ03G0703-0200
(上ADE- 208-1070 )
Rev.2.00
Aug.10.2005
应用
高频放大器
概要
瑞萨封装代码: PLSP0003ZB -A
(包名称: MPAK )
3
1
2
1.发射器
2.基
3.收集
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
项
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
评级
30
30
5
100
150
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
Rev.2.00 2005年8月10日第1页8
2SC2619
电气特性
( TA = 25°C )
项
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极电压
增益带宽积
集电极输出电容
噪声系数
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
*
1
V
CE ( SAT )
V
BE
f
T
COB
NF
民
30
30
5
—
—
60
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
230
—
5.0
最大
—
—
—
0.5
0.5
200
1.1
0.75
—
3.5
—
单位
V
V
V
A
A
V
V
兆赫
pF
dB
测试条件
I
C
= 10
A,
I
E
= 0
I
C
= 1毫安,R
BE
=
∞
I
E
= 10
A,
I
C
= 0
V
CB
= 20 V,I
C
= 0
V
EB
= 2 V,I
C
= 0
V
CE
= 12 V,I
C
= 2毫安
I
C
= 10 mA时,我
B
= 1毫安
V
CE
= 12 V,I
C
= 2毫安
V
CE
= 12 V,I
C
= 2毫安
V
CB
= 10 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
V
CE
= 6 V,I
C
= 2毫安,
F = 1 MHz时,R
g
= 500
注: 1, 2SC2619为h分组
FE
如下。
GRADE
B
C
标志
FB
FC
h
FE
60至120
100至200
Rev.2.00 2005年8月10日第2页8
2SC2619
主要特点
最大集电极耗散曲线
集电极耗散功率PC(毫瓦)
150
10
典型的输出特性
100
集电极电流I
C
(MA )
8
80
100
6
60
4
40
20
mA
I
B
= 0
50
2
0
50
100
150
0
4
8
12
16
20
环境温度Ta (C )
集电极到发射极电压V
CE
(V)
直流电流传输比主场迎战
集电极电流
100
典型的传输特性
10
V
CE
= 6 V
直流电流传输比H
FE
集电极电流I
C
(MA )
8
80
6
60
V
CE
= 6 V
4
40
2
20
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
0.1
0.3
1.0
3
10
30
基极至发射极电压V
BE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
噪声系数与集电极电流
5
噪声系数与信号源电阻
24
噪声系数NF ( dB)的
4
噪声系数NF ( dB)的
V
CE
= 6 V
R
g
= 500
F = 1.0 MHz的
20
16
12
8
4
0
0.1
V
CE
= 6 V
R
g
= 50
F = 100 MHz的
3
2
1
0
0.2
0.5
1.0
2
5
10
0.2
0.5
1.0
2
5
10
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
Rev.2.00 2005年8月10日第3页8
2SC2619
增益带宽积主场迎战
集电极电流
增益带宽乘积F
T
(兆赫)
500
V
CE
= 6 V
噪声系数与信号源电阻
12
10
8
6
4
2
0
10
20
50
100
200
500 1000
V
CE
= 6 V
I
C
= 1毫安
F = 100 MHz的
噪声系数NF ( dB)的
400
300
200
100
0
0.1
0.3
1.0
3
10
30
信号源电阻R
g
()
增益带宽积主场迎战
集电极到发射极电压
增益带宽乘积F
T
(兆赫)
400
I
C
= 1毫安
300
集电极电流Ic ( mA)的
输入/输出导纳主场迎战
集电极到发射极电压
相对于V的百分比
CE
= 6 V (%)
500
b
oe
g
oe
g
ie
g
oe
b
ie
b
oe
I
C
= 1毫安
F = 455千赫
200
b
ie
g
ie
100
50
200
100
20
10
1
2
5
10
20
50
0
1
2
5
10
20
集电极到发射极Volgage V
CE
(V)
输入/输出导纳主场迎战
集电极电流
相对于V的百分比
CE
= 6 V (%)
相对的百分比来我
E
= 1 MA( % )
500
V
CE
= 6 V
F = 455千赫
200
b
ie
100
b
oe
50
b
ie
g
ie
20
10
0.1
g
oe
0.2
0.5
1.0
2
5
b
oe
g
ie
g
oe
500
集电极到发射极电压V
CE
(V)
转移导纳主场迎战
集电极到发射极电压
I
C
= 1毫安
F = 455千赫
200
b
fe
100 g
fe
50
b
re
g
fe
b
fe
b
re
20
10
1
2
5
10
20
50
集电极电流I
C
(MA )
集电极到发射极电压V
CE
(V)
Rev.2.00 2005年8月10日第4页8
2SC2619
转移导纳主场迎战
集电极电流
相对的百分比来我
C
= 1 MA( % )
500
V
CE
= 6 V
F = 455千赫
200
100
50
b
re
b
fe
输入/输出导纳主场迎战
集电极到发射极电压
相对于V的百分比
CE
= 6 V (%)
500
b
oe
g
oe
g
ie
b
ie
g
ie
b
ie
g
oe
b
oe
I
C
= 1毫安
F = 4.5兆赫
g
fe
b
re
200
100
50
20
g
fe
10
0.1
0.2
b
fe
0.5
1.0
2
5
20
10
1
2
5
10
20
50
集电极电流I
C
(MA )
集电极到发射极电压V
CE
(V)
转移导纳主场迎战
集电极到发射极电压
相对于V的百分比
CE
= 6 V (%)
500
I
C
= 1毫安
F = 4.5兆赫
200
100
50
b
re
b
fe
g
fe
输入/输出导纳主场迎战
集电极电流
相对的百分比来我
C
= 1 MA( % )
500
V
CE
= 6 V
F = 4.5兆赫
200
100
50
g
oe
g
ie
b
ie
b
oe
b
oe
b
ie
g
ie
g
oe
b
re
g
fe
b
fe
20
10
0.1
20
10
1
2
5
10
20
50
0.2
0.5
1.0
2
5
集电极电流I
C
(MA )
转移导纳主场迎战
集电极电流
相对的百分比来我
C
= 1 MA( % )
500
V
CE
= 6 V
F = 4.5兆赫
200
100
50
b
re
b
re
b
fe
g
fe
集电极到发射极电压V
CE
(V)
输入/输出导纳主场迎战
集电极到发射极电压
相对于V的百分比
CE
= 6 V (%)
500
I
C
= 1毫安
F = 10.7兆赫
200
100
50
g
oe
g
ie
b
oe
g
ie
b
ie
b
ie
g
oe
b
oe
20
10
0.1
g
fe
b
fe
0.2
0.5
1.0
2
5
20
10
1
2
5
10
20
50
集电极电流I
C
(MA )
集电极到发射极电压V
CE
(V)
Rev.2.00 2005年8月10日第5页8
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229818
2SD1548
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21154-AE
2-2064938-2
2238916197
2SA1161
2SD2115L
2N4184
259411
2N7294D1
2N586
2SB772SO
2SK3462
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联系人:刘经理
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联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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24+
8420
CPH3
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上海意淼电子科技有限公司
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QQ:2675049463
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联系人:吴
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