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A
A
A
2SD1426
`
NPN型三重扩散型
平面硅晶体管
彩电行输出
应用程序（阻尼二极管内置）
!
!
高集电极 - 基极电压（V
CBO
=1500V)
高速开关
2-16D3A
绝对最大额定值（T
A
=25
o
C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极耗散（ TC = 25
C)
结温
储存温度
o
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
TSTG
等级
1500
1500
6
3.5
50
150
-50~150
单位
V
V
V
A
W
o
o
C
C
电气特性（T
A
=25
o
C)
Characterristic
集电极 - 发射极截止电流（V
BE
=0)
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
符号
I
CES
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
测试条件
V
CE
= 1400 V ,
R
BE
=0
V
CB
= 800 V，I
E
=0
V
EB
= 4V ,
I
C
=
0
V
CE
= 5V ,
I
C
=1A
I
C
=3A ,
I
B
=0.8A
民
典型值
最大
1.0
10
1.0
单位
mA
A
mA
V
8
8.0
永诚电脑配件有限公司， （香港）有限公司。
主页：
http://www.wingshing.com
联系电话： （ 852 ） 2341 9276传真： （ 852 ） 2797 8153
电子信箱： wsccltd@hkstar.com
A
A
A
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1426
描述
·带
TO-3P （H）的1S包
.Built式
阻尼二极管
高
电压，高速
ULOW
集电极饱和电压
应用
·设计
在彩色电视机用偏转
电路
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（TO -3P （H）， IS）和符号
描述
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
D
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
1500
600
5
3.5
1.0
80
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结案件
最大
1.56
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
2SD1426
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 200毫安;我
C
=0
5
V
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 3A ;我
B
=0.8A
I
C
= 3A ;我
B
=0.8A
8.0
V
基射极饱和电压
1.5
V
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 500V ;我
E
=0
10
h
FE
直流电流增益
I
C
= 0.5A ; V
CE
=5V
8
f
T
过渡freuqency
I
C
= 0.1A ; V
CE
=10V;f=1MHz
3
兆赫
C
OB
输出电容
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1.0MHz
95
pF
V
F
t
f
二极管的正向电压
I
F
=3.5A
I
C
=3A;I
B1
=0.8A
2.0
V
μs
下降时间
1.0
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1426
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1426
描述
·采用TO- 3PH包
·内置阻尼二极管
·高电压，高转速
·低集电极饱和电压
应用
·专为彩电偏转使用
电路
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PH ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
D
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
1500
600
5
3.5
1.0
80
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结案件
最大
1.56
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
直流电流增益
过渡freuqency
输出电容
二极管的正向电压
下降时间
条件
I
E
= 200毫安;我
C
=0
I
C
= 3A ;我
B
=0.8A
I
C
= 3A ;我
B
=0.8A
V
CB
= 500V ;我
E
=0
I
C
= 0.5A ; V
CE
=5V
I
C
= 0.1A ; V
CE
=10V;f=1MHz
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1.0MHz
I
F
=3.5A
I
C
=3A;I
B1
=0.8A
8
民
5
2SD1426
符号
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
h
FE
f
T
C
OB
V
F
t
f
典型值。
最大
单位
V
8.0
1.5
10
V
V
A
3
95
2.0
1.0
兆赫
pF
V
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1426
图2外形尺寸
3
查看更多2SD1426PDF信息
推荐型号
279.001
253B103B45NB
2520LX103M10
2SK1526
2SD2463L
266004
225484
2SD2150T100S
28C256TRT1FS-15
2N3537
24AA01BT-I/P
2SK2221-E
27C256-20N
2N3669
22A4503
2SC4628
2SD2156A
2SK1813
24LC320-ISN
220405B
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
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    2SD1426
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联系人：销售部1部
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联系人：夏小姐/朱先生
地址：深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
2SD1426
TOSHIBA/东芝
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32000
TO-3PL
百分百原装现货，价格优势，欢迎查询！
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深圳市碧威特网络技术有限公司
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