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2SC4628
硅NPN平面
ADE - 208-1114 ( Z)
1日。版
2001年3月
应用
高频放大器
概要
TO-92 (2)
1.发射器
2.收集
3. BASE
3
2
1
2SC4628
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
评级
20
20
3
20
200
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
电气特性
( TA = 25°C )
集电极基极击穿
电压
集电极到发射极击穿
电压
发射Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
直流电流传输比
增益带宽积
反向传输电容
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
I
EBO
I
CBO
h
FE
f
T
CRE
20
20
60
600
典型值
最大
10
1
320
0.9
兆赫
pF
单位
V
V
A
A
测试条件
I
C
= 10
A,
I
E
= 0
I
C
= 1毫安,R
BE
=
V
EB
= 3 V,I
C
= 0
V
CB
= 15 V,I
E
= 0
V
CE
= 10 V,I
C
= 2毫安
V
CE
= 10 V,I
C
= 2毫安
V
CB
= 10 V,I
E
= 0,
发射极常见的,
F = 1 MHz的
V
CB
= 10 V,I
C
= 2毫安,
F = 800 MHz的
功率增益
噪声系数
PG
NF
10
7.0
dB
dB
2
2SC4628
最大集电极耗散曲线
300
集电极耗散功率P
C
( mW)的
100
直流电流传输比H
FE
V
CE
= 10 V
80
60
40
20
0
0
50
100
环境温度Ta (C )
150
1
2
5
10
20
集电极电流I
C
(MA )
50
直流电流传输比主场迎战
集电极电流
200
100
增益带宽积主场迎战
集电极电流
增益带宽乘积F
T
(兆赫)
V
CE
= 10 V
1600
Ceverse转移电容C
re
(PF )
2000
5
反向传输电容主场迎战
集电极 - 基极电压
F = 1 MHz的
I
E
= 0
2
1.0
0.5
1200
800
400
0.2
0.1
1
2
5
10
20
50
集电极基极电压V
CB
(V)
0
1
2
5
10
20
集电极电流I
C
(MA )
50
3
2SC4628
功率增益与集电极电流
20
V
CB
= 10 V
F = 800 MHz的
噪声系数NF ( dB)的
10
8
6
V
CB
= 10 V
F = 800 MHz的
噪声系数与集电极电流
16
功率增益PG (分贝)
12
8
4
2
4
0
2
4
6
8
收藏家Currrent我
C
(MA )
10
0
2
4
6
8
收藏家Currrent我
C
(MA )
10
800 MHz功率增益和噪声系数测试电路
产量
R
L
= 50
输入
R
g
= 50
40 p
D.U.T.
100 p
50 p
L
RFC
390
2.2 k
C
1000 p
1000 p
单位
R:
:F
I
C
V
AGC
V
CC
C
L
: 0.5 10pF的可变电容
:
λ/4
银platede 26铜
×
3
×
1 (mm)
收藏家水龙头地面距离7mm
输出抽头到地面的距离为3mm
RFC : 0.17毫米铜线, 2.4毫米内直径, 16圈
-3 dB的带宽为40 MHz的
4
2SC4628
包装尺寸
至于, 2001年1月
单位:mm
4.8
±
0.4
3.8
±
0.4
2.3最大
0.5Max
0.7
0.60 MAX
12.7分
5.0
±
0.2
0.5Max
1.27
2.54
日立代码
JEDEC
EIAJ
质谱(参考值)
TO-92 (2)
符合
符合
0.25 g
5
2SC4628
硅NPN平面
应用
高频放大器
概要
TO-92 (2)
1.发射器
2.收集
3. BASE
3
2
1
2SC4628
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
评级
20
20
3
20
200
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
电气特性
( TA = 25°C )
集电极基极击穿
电压
集电极到发射极击穿
电压
发射Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
直流电流传输比
增益带宽积
反向传输电容
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
I
EBO
I
CBO
h
FE
f
T
CRE
20
20
60
600
典型值
最大
10
1
320
0.9
兆赫
pF
单位
V
V
A
A
测试条件
I
C
= 10
A,
I
E
= 0
I
C
= 1毫安,R
BE
=
V
EB
= 3 V,I
C
= 0
V
CB
= 15 V,I
E
= 0
V
CE
= 10 V,I
C
= 2毫安
V
CE
= 10 V,I
C
= 2毫安
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CB
= 10 V,I
E
= 0,
发射极常见的,
F = 1 MHz的
V
CB
= 10 V,I
C
= 2毫安,
F = 800 MHz的
功率增益
噪声系数
PG
NF
10
7.0
dB
dB
2
2SC4628
最大集电极耗散曲线
300
集电极耗散功率P
C
( mW)的
100
直流电流传输比H
FE
V
CE
= 10 V
80
60
40
20
0
0
50
100
环境温度Ta (C )
150
1
2
5
10
20
集电极电流I
C
(MA )
50
直流电流传输比主场迎战
集电极电流
200
100
增益带宽积主场迎战
集电极电流
增益带宽乘积F
T
(兆赫)
V
CE
= 10 V
1600
Ceverse转移电容C
re
(PF )
2000
5
反向传输电容主场迎战
集电极 - 基极电压
F = 1 MHz的
I
E
= 0
2
1.0
0.5
1200
800
400
0.2
0.1
1
2
5
10
20
50
集电极基极电压V
CB
(V)
0
1
2
5
10
20
集电极电流I
C
(MA )
50
3
2SC4628
功率增益与集电极电流
20
V
CB
= 10 V
F = 800 MHz的
噪声系数NF ( dB)的
10
8
6
V
CB
= 10 V
F = 800 MHz的
噪声系数与集电极电流
16
功率增益PG (分贝)
12
8
4
2
4
0
2
4
6
8
收藏家Currrent我
C
(MA )
10
0
2
4
6
8
收藏家Currrent我
C
(MA )
10
800 MHz功率增益和噪声系数测试电路
产量
R
L
= 50
输入
R
g
= 50
40 p
D.U.T.
100 p
50 p
L
RFC
390
2.2 k
C
1000 p
1000 p
单位
R:
:F
I
C
V
AGC
V
CC
C
L
: 0.5 10pF的可变电容
:
λ/4
银platede 26铜
×
3
×
1 (mm)
收藏家水龙头地面距离7mm
输出抽头到地面的距离为3mm
RFC : 0.17毫米铜线, 2.4毫米内直径, 16圈
-3 dB的带宽为40 MHz的
4
单位:mm
4.8
±
0.3
3.8
±
0.3
2.3最大
0.45
±
0.1
0.7
0.60 MAX
12.7分
5.0
±
0.2
0.5
1.27
2.54
日立代码
JEDEC
EIAJ
重量(参考值)
TO-92 (2)
符合
符合
0.25 g
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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