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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SD1390
描述
击穿电压 -
: V
CBO
= 1500V (最小值)
可靠性
应用
·设计
为线式水平偏转输出
应用程序。
绝对最大额定值(T
a
=25
℃)
符号
参数
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
CES
集电极 - 发射极电压
V
EBO
发射极 - 基极电压
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
价值
单位
1500
V
1500
V
5
V
1
A
2.5
A
40
W
I
C
集电极电流 - 连续
I
CP
集电极电流脉冲
P
C
集电极耗散功率
@ T
C
≤90℃
T
J
结温
150
T
英镑
存储温度范围
-55~150
ISC的网站: www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
2SD1390
典型值。
最大
单位
V
( BR ) EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1毫安;我
C
= 0
5
V
V
CE
(SAT)
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 2A ;我
B
= 1A
B
5.0
V
V
BE
(SAT)
基射极饱和电压
I
C
= 2A ;我
B
= 1A
B
1.5
V
V
CB
= 750V ;我
E
= 0
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 1500V ;我
E
= 0
50
μA
h
FE
直流电流增益
t
f
下降时间
t
英镑
贮存时间
w
em
cs
。是
w
w
I
C
= 2A ; V
CE
= 5V
B
I
C
= 2.5A ,我
B
结束
= 1.1A ,L
B
= 10μH
.CN
i
2
1
mA
7
1
μs
11
μs
ISC的网站: www.iscsemi.cn
2
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产品speci fi cation
ISC
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描述
击穿电压 -
: V
CBO
= 1500V (最小值)
可靠性
应用
·设计
为线式水平偏转输出
应用程序。
绝对最大额定值(T
a
=25
℃)
符号
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价值
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
1500
V
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集电极 - 发射极电压
1500
V
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发射极 - 基极电压
5
V
I
C
集电极电流 - 连续
1
A
I
CP
集电极电流脉冲
2.5
A
P
C
集电极耗散功率
@ T
C
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40
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最大
单位
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发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1毫安;我
C
= 0
5
V
V
CE
(SAT)
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 2A ;我
B
= 1A
B
5.0
V
V
BE
(SAT)
基射极饱和电压
I
C
= 2A ;我
B
= 1A
B
1.5
V
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= 750V ;我
E
= 0
I
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= 1500V ;我
E
= 0
50
μA
1
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h
FE
直流电流增益
I
C
= 2A ; V
CE
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2
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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联系人:朱生
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园4栋中12楼A座
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全新原装,绝对正品,公司现货供应
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联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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全新原装现货,原厂代理。
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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√ 欧美㊣品
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
2SD1390
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全新原装正品/质量有保证
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联系人:销售部
地址:广东省深圳市深圳南山区科技园产学研楼706
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普通
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联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
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2024
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上海原装现货库存,欢迎咨询合作
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