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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SD1390
描述
高
击穿电压 -
: V
CBO
= 1500V （最小值）
高
可靠性
应用
·设计
为线式水平偏转输出
应用程序。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
CES
集电极 - 发射极电压
V
EBO
发射极 - 基极电压
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
价值
单位
1500
V
1500
V
5
V
1
A
2.5
A
40
W
I
C
集电极电流 - 连续
I
CP
集电极电流脉冲
P
C
集电极耗散功率
@ T
C
≤90℃
T
J
结温
150
℃
T
英镑
存储温度范围
-55~150
℃
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
2SD1390
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1毫安;我
C
= 0
5
V
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 2A ;我
B
= 1A
B
5.0
V
V
BE
（SAT）
基射极饱和电压
I
C
= 2A ;我
B
= 1A
B
1.5
V
V
CB
= 750V ;我
E
= 0
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 1500V ;我
E
= 0
50
μA
h
FE
直流电流增益
t
f
下降时间
t
英镑
贮存时间
w
em
cs
。是
w
w
I
C
= 2A ; V
CE
= 5V
B
I
C
= 2.5A ，我
B
结束
= 1.1A ，L
B
= 10μH
.CN
i
2
1
mA
7
1
μs
11
μs
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
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ISC
产品speci fi cation
ISC
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2SD1390
描述
高
击穿电压 -
: V
CBO
= 1500V （最小值）
高
可靠性
应用
·设计
为线式水平偏转输出
应用程序。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
价值
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
1500
V
V
CES
集电极 - 发射极电压
1500
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
5
V
I
C
集电极电流 - 连续
1
A
I
CP
集电极电流脉冲
2.5
A
P
C
集电极耗散功率
@ T
C
≤90℃
40
W
T
J
结温
150
℃
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电气特性
T
C
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条件
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典型值。
最大
单位
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1毫安;我
C
= 0
5
V
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
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= 2A ;我
B
= 1A
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5.0
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V
BE
（SAT）
基射极饱和电压
I
C
= 2A ;我
B
= 1A
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1.5
V
V
CB
= 750V ;我
E
= 0
I
CBO
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V
CB
= 1500V ;我
E
= 0
50
μA
1
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 2A ; V
CE
= 5V
2
7
t
f
下降时间
I
C
= 2.5A ，我
B
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= 1.1A ，L
B
= 10μH
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27C512A-12ISO
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2N5167
28C64AFT-15P
21G5L
27C17A-15L
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    2SD1390
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全新原装现货，原厂代理。
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电话：15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
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上海原装现货库存，欢迎咨询合作
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