半导体
技术参数
接口和开关应用。
特点
「公共服务电子化
保护2000V 。
高
密度电池设计低R
DS （ ON）
.
●电压
控制小信号开关。
A
G
L
2N7002KA
N沟道MOSFET
ESD保护2000V
E
B
L
暗淡
A
D
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
N
P
MILLIMETERS
_
2.93+ 0.20
1.30+0.20/-0.15
1.30最大
0.45+0.15/-0.05
2.40+0.30/-0.20
1.90
0.95
0.13+0.10/-0.05
0.00 ~ 0.10
0.55
0.20 MIN
1.00+0.20/-0.10
7
·坚固性
可靠。
高
饱和电流capablity 。
2
3
H
1
P
P
特征
漏源电压
栅源电压
连续
漏电流
脉冲（注1 ）
吸取功率耗散（注2 ）
结温
存储温度范围
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
T
j
T
英镑
等级
60
±20
300
单位
V
M
1.源
V
mA
2.门
3.排水
1200
350
150
-55½150
mW
℃
℃
K
SOT-23
注1 ）脉冲宽度≦10 ，占空比≦ 1 ％
注2 ）封装安装在99 ％氧化铝10 × 8 × 0.6毫米
等效电路
D
记号
LOT号
型号名称
G
2P
S
电气特性（Ta = 25℃）
特征
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体泄漏，正向
门体泄漏，反向
防静电能力*
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
-
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=10μ
A
V
DS
=60V, V
GS
=0V
V
GS
=20V, V
DS
=0V
V
GS
=-20V, V
DS
=0V
C = 100pF的， R = 1.5k
正向和反向
方向3脉冲
*失败cirterion ：我
DSS
> 1μ在V
DS
= 60V ，我
GSSF
>10μ在V
GS
= 20V ，我
GSSR
>-10μ在V
GS
=-20V.
A
A
A
分钟。
60
-
-
-
2000
典型值。
-
-
-
-
-
马克斯。
-
1
10
-10
-
单位
V
μ
A
μ
A
μ
A
V
2011. 4. 4
版本号： 1
J
最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
C
N
1/3
2N7002KA
电气特性（Ta = 25℃）
基本特征（注3 ）
特征
栅极阈值电压
漏源导通电阻
漏源二极管的正向电压
符号
V
th
R
DS （ ON）
V
SD
测试条件
V
DS
=V
GS
, I
D
=250μ
A
V
GS
= 10V ，我
D
=500mA
V
GS
= 5V ，我
D
=50mA
V
GS
= 0V时，我
S
= 200毫安（注1 ）
分钟。
1.1
-
-
-
典型值。
-
-
1.7
-
马克斯。
2.35
2.3
2.7
1.15
V
单位
V
记
3
）脉冲测试：脉冲Width≤80 ，职务Cycle≤1 ％
动态特性
特征
输入电容
反向传输电容
输出电容
开启时间
开关时间
打开-O FF时间
符号
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
on
t
关闭
V
DD
= 30V ，R
L
=155, I
D
=190,
V
GS
=10V
V
DS
=25V, V
GS
= 0V ， F = 1
测试条件
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
18.0
3.0
7.0
15
40
马克斯。
-
-
-
-
nS
-
pF
单位
开关时间测试电路
t
on
V
DD
R
L
V
IN
D
V
OUT
t
D（关闭）
t
r
t
D（上）
t
关闭
t
f
90%
90%
产量
V
GS
G
V
OUT
10%
倒
90%
50%
S
50%
输入
V
IN
10%
脉冲宽度
2011. 4. 4
版本号： 1
2/3
2N7002KA
N沟道FET的TrenchMOS
牧师03 - 2008年2月25日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
使用N-沟道增强型场效应晶体管（FET ）中的塑料包装
的TrenchMOS技术。
1.2产品特点
I
兼容逻辑电平
I
非常快速的切换
I
超小型表面安装封装
I
栅极 - 源极静电放电
（ ESD ）保护二极管
1.3应用
I
继电器驱动器
I
高速线路驱动器
1.4快速参考数据
I
V
DS
≤
60 V
I
R
DSON
≤
4.4
I
I
D
≤
320毫安
I
P
合计
≤
0.83 W
2.管脚信息
表1中。
针
1
2
3
钉扎
描述
栅极（G ）
源极（S ）
漏极（四）
1
2
G
简化的轮廓
3
符号
D
SOT23封装（ TO- 236AB ）
S
003aac036
恩智浦半导体
2N7002KA
N沟道FET的TrenchMOS
3.订购信息
表2中。
订购信息
包
名字
2N7002KA
TO-236AB
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
VERSION
SOT23
类型编号
4.极限值
表3中。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
漏源电压
漏极 - 栅极电压（直流）
栅源电压
峰值栅极 - 源极电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源出电流
峰源电流
T
sp
= 25
°C
T
sp
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
t
p
≤
50
s;
脉冲;占空比= 25 ％
T
sp
= 25
°C;
V
GS
= 10 V ;看
图2
和
3
T
sp
= 100
°C;
V
GS
= 10 V ;看
图2
T
sp
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
SEE
科幻gure 3
T
sp
= 25
°C;
SEE
图1
条件
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C;
R
GS
= 20 k
民
-
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
最大
60
60
±15
±40
320
200
1.28
0.83
+150
+150
300
1.2
单位
V
V
V
V
mA
mA
A
W
°C
°C
mA
A
源极 - 漏极二极管
2N7002KA_3
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2008年2月25日
2 11
恩智浦半导体
2N7002KA
N沟道FET的TrenchMOS
120
P
DER
(%)
80
003aab946
120
I
DER
( %)
80
003aac033
40
40
0
0
50
100
150
T
sp
(°C)
200
0
0
50
100
150
T
sp
(°C)
200
P
合计
P
DER
=
-----------------------
×
100
%
-
P
合计
(
25°C
)
看图1，归一化的总功耗为
的焊点温度功能
10
I
D
(A)
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
1
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100
%
-
I
D
(
25°C
)
图2.归连续漏极电流为
的焊点温度功能
003aab788
t
p
= 10
s
100
s
1毫秒
10
-1
10毫秒
DC
100毫秒
10
-2
1
10
V
DS
(V)
10
2
T
sp
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
2N7002KA_3
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2008年2月25日
3 11
恩智浦半导体
2N7002KA
N沟道FET的TrenchMOS
5.热特性
表4 。
R
日（J -SP ）
R
号（j -a）的
[1]
热特性
条件
SEE
图4
[1]
符号参数
从结热阻到焊点
从结点到环境的热阻
民
-
-
典型值
-
350
最大
150
-
单位
K / W
K / W
安装在印刷电路板上;最小的足迹;垂直在静止空气中。
10
3
Z
日（J -SP ）
（K / W）
10
2
003aab351
δ =
0.5
0.2
0.1
P
δ
=
t
p
T
10
0.05
0.02
单脉冲
t
p
T
t
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
t
p
(s)
10
图4.瞬态结点的热阻抗焊接点，作为脉冲持续时间的函数
2N7002KA_3
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2008年2月25日
4 11
2N7002KA
N沟道FET的TrenchMOS
牧师02 - 2007年9月25日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
使用N-沟道增强型场效应晶体管（FET ）中的塑料包装
的TrenchMOS技术。
1.2产品特点
I
兼容逻辑电平
I
非常快速的切换
I
超小型表面安装封装
I
门源ESD保护二极管
1.3应用
I
继电器驱动器
I
高速线路驱动器
1.4快速参考数据
I
V
DS
≤
60 V
I
R
DSON
≤
4.4
I
I
D
≤
300毫安
I
P
合计
≤
0.83 W
2.管脚信息
表1中。
针
1
2
3
钉扎
描述
栅极（G ）
源极（S ）
漏极（四）
1
2
S
003aac036
简化的轮廓
3
符号
D
G
SOT23封装（ TO- 236AB ）
恩智浦半导体
2N7002KA
N沟道FET的TrenchMOS
3.订购信息
表2中。
订购信息
包
名字
2N7002KA
TO-236AB
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
VERSION
SOT23
类型编号
4.极限值
表3中。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
漏源电压
漏极 - 栅极电压（直流）
栅源电压
峰值栅极 - 源极电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源出电流
峰源电流
T
sp
= 25
°C
T
sp
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
t
p
≤
50
s;
脉冲;占空比= 25 ％
T
sp
= 25
°C;
V
GS
= 10 V ;看
图2
和
3
T
sp
= 100
°C;
V
GS
= 10 V ;看
图2
T
sp
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
SEE
科幻gure 3
T
sp
= 25
°C;
SEE
图1
条件
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C;
R
GS
= 20 k
民
-
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
最大
60
60
±15
±40
320
200
1.28
0.83
+150
+150
300
1.2
单位
V
V
V
V
mA
mA
A
W
°C
°C
mA
A
源极 - 漏极二极管
2N7002KA_2
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 2007年9月25日
2 11
恩智浦半导体
2N7002KA
N沟道FET的TrenchMOS
120
P
DER
(%)
80
003aab946
120
I
DER
( %)
80
003aac033
40
40
0
0
50
100
150
T
sp
(°C)
200
0
0
50
100
150
T
sp
(°C)
200
P
合计
P
DER
=
-----------------------
×
100
%
-
P
合计
(
25°C
)
看图1，归一化的总功耗为
的焊点温度功能
10
I
D
(A)
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
1
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100
%
-
I
D
(
25°C
)
图2.归连续漏极电流为
的焊点温度功能
003aab788
t
p
= 10
s
100
s
1毫秒
10
-1
10毫秒
DC
100毫秒
10
-2
1
10
V
DS
(V)
10
2
T
sp
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
2N7002KA_2
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 2007年9月25日
3 11
恩智浦半导体
2N7002KA
N沟道FET的TrenchMOS
5.热特性
表4 。
R
日（J -SP ）
R
号（j -a）的
[1]
热特性
条件
SEE
图4
[1]
符号参数
从结热阻到焊点
从结点到环境的热阻
民
-
-
典型值
-
350
最大
150
-
单位
K / W
K / W
安装在印刷电路板上;最小的足迹;垂直在静止空气中。
10
3
Z
日（J -SP ）
（K / W）
10
2
003aab351
δ =
0.5
0.2
0.1
P
δ
=
t
p
T
10
0.05
0.02
单脉冲
t
p
T
t
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
t
p
(s)
10
图4.瞬态结点的热阻抗焊接点，作为脉冲持续时间的函数
2N7002KA_2
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 2007年9月25日
4 11
QQ：2880707522 复制
