晶体管
P
C
- TA
1.6
120
印刷circut板：铜
为1cm箔领域
2
或更多，并且
的1.7毫米板厚度
对于集电部。
Ta=25C
100
2SD1350 ， 2SD1350A
I
C
— V
CE
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
100
30
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
1
3
10
30
100
300
1000
Ta=75C
25C
–25C
V
CE （ SAT ）
— I
C
I
C
/I
B
=5
集电极耗散功率P
C
(W)
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
20
集电极电流I
C
（MA ）
80
I
B
=1.0mA
60
0.9mA
0.8mA
0.7mA
0.6mA
0.5mA
0.4mA
0.3mA
0.2mA
0.1mA
0
2
4
6
8
10
12
40
20
0
40
60
80 100 120 140 160
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
V
BE （ SAT ）
— I
C
100
h
FE
— I
C
I
C
/I
B
=5
120
V
CE
=5V
60
f
T
— I
E
V
CB
=30V
Ta=25C
基地发射极饱和电压V
BE （ SAT ）
(V)
100
过渡频率f
T
（兆赫）
100
300
1000
30
10
3
25C
1
0.3
0.1
0.03
0.01
1
3
10
30
100
300
1000
Ta=–25C
75C
正向电流传输比H
FE
50
80
40
60
Ta=75C
25C
30
40
–25C
20
20
10
0
1
3
10
30
0
– 0.001 – 0.003 – 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
–1
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
发射极电流I
E
(A)
C
ob
— V
CB
30
集电极输出电容C
ob
（PF ）
25
I
E
=0
f=1MHz
Ta=25C
20
15
10
5
0
10
30
100
300
1000
集电极基极电压V
CB
(V)
2
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