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功率晶体管
2SB0942 , 2SB0942A
( 2SB942 , 2SB942A )
PNP硅外延平面型
对于低频功率放大
补充2SD1267和2SD1267A
I
特点
高正向电流传输比H
FE
它具有良好的
线性
低集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
这可以用一个可安装在散热片的全包包
螺丝
16.7
±0.3
0.7
±0.1
10.0
±0.2
5.5
±0.2
4.2
±0.2
2.7
±0.2
单位:mm
7.5
±0.2
φ
3.1
±0.1
4.2
±0.2
浸焊
(4.0)
14.0
±0.5
I
绝对最大额定值
T
C
=
25°C
参数
收藏家基地
电压
集电极
发射极电压
2SB0942
2SB0942A
2SB0942
2SB0942A
V
EBO
I
CP
I
C
T
C
= 25°C
T
a
= 25°C
T
j
T
英镑
P
C
V
首席执行官
符号
V
CBO
等级
60
80
60
80
5
8
4
40
2
150
55
to
+150
°C
°C
V
A
A
W
V
单位
V
1.4
±0.1
1.3
±0.2
0.5
+0.2
–0.1
0.8
±0.1
2.54
±0.3
5.08
±0.5
1 2 3
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极电源
耗散
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
EIAJ : SC- 67
TO- 220F封装
结温
储存温度
I
电气特性
T
C
=
25°C
参数
集电极截止
当前
集电极截止
当前
发射Cuto FF电流
集电极到发射极
电压
2SB0942
2SB0942A
h
FE1 *
h
FE2
基地发射极电压
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
注) *:等级分类
h
FE1
Q
70至150
P
120至250
V
BE
V
CE ( SAT )
f
T
t
on
t
英镑
t
f
V
CE
=
4
V,I
C
=
1
A
V
CE
=
4
V,I
C
=
3
A
V
CE
=
4
V,I
C
=
3
A
I
C
=
4
A,I
B
=
0.4 A
V
CE
=
10
V,I
C
=
0.1 A , F = 10 MHz的
I
C
=
4
A,I
B1
=
0.4 A,I
B2
= 0.4 A
30
0.2
0.5
0.2
2SB0942
2SB0942A
2SB0942
2SB0942A
I
EBO
V
首席执行官
I
首席执行官
符号
I
CES
条件
V
CE
=
60
V, V
BE
= 0
V
CE
=
80
V, V
BE
= 0
V
CE
=
30
V,I
B
= 0
V
CE
=
60
V,I
B
= 0
V
EB
=
5
V,I
C
= 0
I
C
=
30
妈,我
B
= 0
60
80
70
15
2
1.5
V
V
兆赫
s
s
s
250
典型值
最大
400
400
700
700
1
mA
V
A
单位
A
正向电流传输比
排序可以用普通级(PQ秩进行
FE1
= 70 250)中的
等级分类。
注)括号中的部分数据显示传统的零件编号。
1
2SB0942 , 2SB0942A
P
C
T
a
50
–6
(1) T
C
= TA
(2)在一个100
×
100
×
2mm
铝散热器
(3)同一个50
×
50
×
2mm
铝散热器
( 4 )不带散热片
(P
C
=2W)
I
B
=–120mA
–5
T
C
=25C
功率晶体管
I
C
V
CE
–10
V
CE
=–4V
I
C
V
BE
集电极耗散功率P
C
(W)
–100mA
–80mA
集电极电流I
C
(A)
–4
集电极电流I
C
(A)
40
–8
30
–60mA
–6
25C
T
C
=100C
–25C
–3
(1)
20
–40mA
–20mA
–10mA
–4
–2
10
(3)
(4)
0
0
20
40
60
(2)
–1
–8mA
–5mA
–2
0
80 100 120 140 160
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
0
0
– 0.4
– 0.8
–1.2
–1.6
–2.0
环境温度T
a
(C)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
V
CE ( SAT )
I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
–100
I
C
/I
B
=10
–30
–10
–3
–1
25C
T
C
=100C
–25C
10000
h
FE
I
C
10000
V
CE
=–4V
3000
1000
300
100
30
10
3
f
T
I
C
V
CE
=–5V
f=10MHz
T
C
=25C
正向电流传输比H
FE
1000
25C
300
100
30
10
3
1
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
T
C
=100C
–25C
– 0.3
– 0.1
– 0.03
– 0.01
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
过渡频率f
T
(兆赫)
–1
–3
–10
3000
–1
–3
–10
1
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
–1
–3
–10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
安全操作区( ASO )
–100
–30
10
3
非重复脉冲
T
C
=25C
R
日(T )
t
( 1 )不带散热片
(2)在一个100
×
100
×
2毫米铝散热片
(1)
热阻R
th
(吨)( C / W)
集电极电流I
C
(A)
10
2
–10
–3
–1
I
CP
I
C
t=1ms
10ms
DC
10
(2)
– 0.3
– 0.1
1
– 0.03
– 0.01
–1
2SB0942A
2SB0942
10
–1
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
10
–2
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
10
2
10
3
10
4
集电极到发射极电压V
CE
(V)
时间t (S )
2
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
( 1)出口许可证需要从日本Govern-主管部门获得的
换货如果有下这种材料描述和控制的产品或技术
& QUOT ;外汇及外国贸易法& QUOT ;要导出或带出日本。
( 2 )在本材料中描述的技术信息仅限于展示代表character-
istics和产品的应用电路示例。它不构成产业的值得
物业,给予相对权利,或者给予任何许可。
(3)在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或gen-
ERAL电子设备(如办公设备,通讯设备,测量IN-
struments和家用电器) 。
提前为下列应用程序的信息,请咨询我们的销售人员:
特殊应用(例如用于飞机,航天,汽车,交通控制设备,
燃烧设备,生命支持系统和安全装置),其中卓越的品质和
可靠性是必需的,或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或
对人体的危害。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
( 4 )在这种材料中描述的产品和产品规格如有变更,恕不
通知进行修改和/或改进的原因。在设计的最后阶段,采购
荷兰国际集团,或使用的产品,因此,事先要求的最先进的最新产品标准
确保最新的技术规格满足您的要求。
( 5 )在设计你的装备,符合保障的价值,特别是对马克西 -
妈妈等级,操作电源电压和热辐射特性的范围内。其它 -
明智的,我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用,多余的设计建议,
所以,这样的设备可能没有违反,因为功能的有关法律,法规我们
产品。
( 6 )使用了该干的包装要求的产品,观察条件(包括保质期
及后拆包待机时间)约定,当规格表被单独更换。
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从我们公司。
使用数据表之前,请仔细阅读下面的注意事项
A.这些材料的目的是作为参考,以帮助客户松下的选择
半导体产品最适合他们的应用程序。
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建议客户联系我们的半导体销售办事处,并获得最新信息
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梨在这种材料。
C.这些材料仅适用于客户的个人使用。
因此,如果没有松下的事先书面同意,任何其他用途,如再现,
销售或分发该材料给第三方,通过互联网或以任何其他方式,是禁止的。
2001年MAR
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    -
    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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