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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第294页 > 2SD1295
功率晶体管
2SB968
PNP硅外延平面型
单位：mm
对于低频输出放大
补充2SD1295
7.3±0.1
1.8±0.1
6.5±0.1
5.3±0.1
4.35±0.1
2.3±0.1
0.5±0.1
0.8max
q
q
q
可以直接焊接散热片到印刷cicuit板
高集电极到发射极V
首席执行官
大集电极耗散功率P
C
2.5±0.1
0.93±0.1
1.0±0.1
0.1±0.05
0.5±0.1
0.75±0.1
2.3±0.1
4.6±0.1
s
1
2
3
绝对最大额定值
(Ta=25C)
参数
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
评级
–50
–40
–5
–3
–1.5
20
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
0.6
2.3
2.3
0.75
6.5±0.2
5.35
4.35
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
U型套餐
单位：mm
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率（T
C
=25°C)
结温
储存温度
C
C
1
2
3
2.3±0.1
0.5±0.1
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
EIAJ ： SC- 63
U型封装（ Z）
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
(T
C
=25C)
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
CBO
V
首席执行官
h
FE *
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
C
ob
条件
V
CB
= -20V ，我
E
= 0
V
CE
= -10V ，我
B
= 0
V
EB
= -5V ，我
C
= 0
I
C
= -1mA ，我
E
= 0
I
C
= -2mA ，我
B
= 0
V
CE
= -5V ，我
C
= –1A
I
C
= -1.5A ，我
B
= – 0.15A
I
C
= -2A ，我
B
= – 0.2A
V
CB
= -5V ，我
E
= 0.5A ， F = 200MHz的
V
CB
= -20V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
150
45
–50
–40
50
220
–1
–1.5
V
V
兆赫
pF
民
典型值
最大
–1
–100
–10
单位
A
A
A
V
V
*
h
FE
等级分类
P
50至100
Q
80至160
R
120至220
秩
h
FE
6.0
5.5±0.2
13.3±0.3
集电极到发射极电压
1.8
集电极 - 基极电压
1.0±0.2
s
特点
1
功率晶体管
P
C
- TA
32
–4.0
T
C
= TA
28
–3.5
2SB968
I
C
— V
CE
T
C
=25C
I
B
=–40mA
–35mA
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
–10
I
C
/I
B
=10
集电极耗散功率P
C
(W)
集电极电流I
C
(A)
24
20
16
12
8
4
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
–3.0
–2.5
–30mA
–25mA
–20mA
–3
–1
–2.0
–15mA
–1.5
–1.0
–5mA
–10mA
– 0.3
T
C
=100C
25C
–25C
– 0.1
– 0.5
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
– 0.03
– 0.01
– 0.01 – 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
V
BE （ SAT ）
— I
C
基地发射极饱和电压V
BE （ SAT ）
(V)
–10
I
C
/I
B
=10
1000
h
FE
— I
C
240
V
CE
=–5V
f
T
— I
E
V
CB
=–5V
f=200MHz
T
C
=25C
正向电流传输比H
FE
过渡频率f
T
（兆赫）
–3
200
–3
T
C
=–25C
100C
25C
300
T
C
=100C
25C
160
–1
100
–25C
120
– 0.3
30
– 0.1
10
80
– 0.03
3
40
– 0.01
– 0.01 – 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
1
– 0.01 – 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
0
10
30
100
300
1000 3000 10000
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
发射极电流I
E
（MA ）
C
ob
— V
CB
150
–120
V
CER
— R
BE
1000
T
C
=25C
300
I
首席执行官
- TA
V
CE
=–12V
集电极输出电容C
ob
（PF ）
120
集电极到发射极电压V
CER
(V)
I
E
=0
f=1MHz
T
C
=25C
–100
–80
I
首席执行官
（TA）
I
首席执行官
(Ta=25C)
0.01
0.1
1
10
100
90
–60
30
60
–40
10
30
–20
3
0
–1
–3
–10
–30
–100
0
0.001
1
0
20
40
60
80
100
120
集电极基极电压V
CB
(V)
基极 - 射极电阻R
BE
(k)
环境温度Ta （C ）
2
功率晶体管
安全操作区（ ASO ）
–10
–3
I
CP
I
C
单脉冲
T
C
=25C
t=1ms
2SB968
集电极电流I
C
(A)
–1
– 0.3
1s
– 0.1
– 0.03
– 0.01
– 0.003
– 0.001
– 0.1 – 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
集电极到发射极电压V
CE
(V)
3
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