【功率晶体管2SD1249 ， 2SD1249A硅NPN三重扩散平面型单位：mm对于低freauenc】,IC型号2SD1249P,2SD1249P PDF资料,2SD1249P经销商,ic,电子元器件-51电子网

功率晶体管

2SD1249 ， 2SD1249A

硅NPN三重扩散平面型

单位：mm

对于低freauency功率放大

10.0±0.3

1.5±0.1

8.5±0.2

6.0±0.5

3.4±0.3

1.0±0.1

特点

10.5min.

高集电极到基极电压V

CBO

N型包使散热片直接焊接到

在印刷电路板，小型电子设备等。

=25C)

1.5max.

2.0

1.1max.

0.8±0.1

0.5max.

绝对最大额定值

参数

集电极

基极电压

集电极

2SD1249

2SD1249A

2SD1249

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

2.54±0.3

5.08±0.5

评级

350

400

250

300

1.5

0.75

1.3

150

-55到+150

单位

1 ：基本

2 ：收藏家

3 ：发射器

N型套餐

单位：mm

3.4±0.3

1.0±0.1

8.5±0.2

发射极电压2SD1249A

发射器基极电压

峰值集电极电流

集电极电流

集电极电流T

=25°C

耗散

Ta=25°C

结温

储存温度

10.0±0.3

6.0±0.3

1.5

–0.4

2.0

3.0

–0.2

4.4±0.5

0.8±0.1

2.54±0.3

R0.5

1.1最大。

00.4

5.08±0.5

电气特性

参数

集电极截止

当前

集电极截止

当前

发射Cuto FF电流

集电极到发射极

电压

2SD1249

2SD1249A

2SD1249

2SD1249A

2SD1249

2SD1249A

1 ：基本

2 ：收藏家

3 ：发射器

N型封装（ DS ）

=25C)

符号

CES

首席执行官

EBO

首席执行官

FE1*

FE2

CE （ SAT ）

英镑

条件

= 350V, V

= 0

= 400V, V

= 0

= 150V ，我

= 0

= 200V ，我

= 0

= 5V ，我

= 0

= 30mA时我

= 0

= 10V ，我

= 0.3A

= 10V ，我

= 1A

= 10V ，我

= 1A

= 1A ，我

= 0.2A

= 10V ，我

= 0.2A ， F = 10MHz时

= 1A ，我

= 0.1A ，我

= – 0.1A,

= 50V

0.5

250

300

1.5

兆赫

250

民

典型值

最大

单位

4.4±0.5

14.7±0.5

+0.4

正向电流传输比

基地发射极电压

集电极到发射极饱和电压

跃迁频率

开启时间

贮存时间

下降时间

FE1

等级分类

4090

70至150

120至250

秩

FE1

功率晶体管

- TA

1.2

(1) T

= TA

（2）在一个50

2mm

铝散热器

（ 3 ）不带散热片

=1.3W)

=25C

1.0

2SD1249 ， 2SD1249A

— V

4.0

=10V

— V

集电极耗散功率P

(W)

集电极电流I

(A)

(1)

0.8

=14mA

12mA

10mA

8mA

6mA

集电极电流I

(A)

3.2

25C

=100C

–25C

2.4

0.6

1.6

0.4

4mA

(2)

(3)

80 100 120 140 160

0.2

2mA

0.8

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

2.4

环境温度Ta （C ）

集电极到发射极电压V

(V)

基极至发射极电压V

(V)

CE （ SAT ）

— I

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

10000

=10

— I

1000

=10V

300

100

0.3

0.1

0.001 0.003

— I

=10V

f=10MHz

=25C

正向电流传输比H

=100C

1000

300

100

0.01 0.03

=100C

25C

–25C

0.3

25C

–25C

0.1

0.03

0.01

0.03

0.1

0.3

0.1

0.3

过渡频率f

（兆赫）

3000

0.01 0.03

0.1

0.3

集电极电流I

(A)

集电极电流I

(A)

集电极电流I

(A)

安全操作区（ ASO ）

100

非重复脉冲

=25C

日（T ）

— t

（ 1 ）不带散热片

（2）在一个50

2毫米铝散热片

(1)

(2)

热阻R

（吨）（ C / W）

集电极电流I

(A)

0.3

0.1

0.03

0.01

300ms

1ms

t=10ms

2SD1249A

2SD1249

–1

100

300

1000

–2

–4

–3

–2

–1

集电极到发射极电压V

(V)

时间t （S ）

请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息

并在此材料中描述的半导体

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换货如果有下这种材料描述和控制的产品或技术

＆ QUOT ;外汇及外国贸易法＆ QUOT ;要导出或带出日本。

（ 2 ）在本材料中描述的技术信息仅限于展示代表character-

istics和产品的应用电路示例。它不构成产业的值得

物业，给予相对权利，或者给予任何许可。

（3）在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或gen-

ERAL电子设备（如办公设备，通讯设备，测量IN-

struments和家用电器）。

提前为下列应用程序的信息，请咨询我们的销售人员：

特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备，

燃烧设备，生命支持系统和安全装置），其中卓越的品质和

可靠性是必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或

对人体的危害。

任何应用程序比预期的标准应用程序等。

（ 4 ）在这种材料中描述的产品和产品规格如有变更，恕不

通知进行修改和/或改进的原因。在设计的最后阶段，采购

荷兰国际集团，或使用的产品，因此，事先要求的最先进的最新产品标准

确保最新的技术规格满足您的要求。

（ 5 ）在设计你的装备，符合保障的价值，特别是对马克西 -

妈妈等级，操作电源电压和热辐射特性的范围内。其它 -

明智的，我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。

即使产品的保证值范围内使用，多余的设计建议，

所以，这样的设备可能没有违反，因为功能的有关法律，法规我们

产品。

（ 6 ）使用了该干的包装要求的产品，观察条件（包括保质期

及后拆包待机时间）约定，当规格表被单独更换。

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半导体产品最适合他们的应用程序。

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建议客户联系我们的半导体销售办事处，并获得最新信息

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梨在这种材料。

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2001年MAR