【INCHANGE半导体产品speci fi cation硅NPN功率晶体管2SD1277 2SD12】,IC型号2SD1277,2SD1277 PDF资料,2SD1277经销商,ic,电子元器件-51电子网

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SD1277 2SD1277A

描述

·带

TO- 220Fa包

.Complement

键入2SB951 / 951A

高

直流电流增益

- 高速

开关

应用

For

中速功率开关

钉扎

针

1

2

3

描述

BASE

集热器

辐射源

Fig.1简化外形（ TO- 220Fa ）和符号

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

参数

2SD1277

V

CBO

集电极 - 基极电压

2SD1277A

2SD1277

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

2SD1277A

V

EBO

I

C

I

CM

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

集电极电流峰值

T

C

=25℃

P

C

集电极耗散功率

T

a

=25℃

T

j

T

英镑

结温

储存温度

2

150

-55~150

℃

集电极开路

开基

80

7

8

12

45

W

V

A

发射极开路

80

60

V

条件

价值

60

V

单位

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SD1277 2SD1277A

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

2SD1277

I

C

= 30mA时我

B

=0

2SD1277A

I

C

= 4A ;我

B

=8mA

I

C

= 4A ，我

B

=8mA

V

CB

= 60V ;我

E

=0

0.1

2SD1277A

V

CB

= 80V ;我

E

=0

V

EB

= 7V ;我

C

=0

I

C

= 8A ; V

CE

=3V

I

C

= 4A ; V

CE

=3V

I

C

= 0.5A ; V

CE

=10V;f=1MHz

500

2000

20

10000

兆赫

2

mA

80

1.5

2

V

条件

民

60

V

典型值。

最大

单位

V

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极

击穿电压

V

CESAT

V

BESAT

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

2SD1277

I

CBO

集热器

截止电流

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

f

T

发射极截止电流

直流电流增益

跃迁频率

开关时间

t

on

t

英镑

t

f

开启时间

贮存时间

下降时间

I

C

= 4A ，我

B1

=8mA

I

B2

=-8mA;V

CC

=50V

0.5

4.0

1.0

μs

h

FE-2

分类

Q

2000-5000

R

4000-10000

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SD1277 2SD1277A

包装外形

图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）

3

产品speci fi cation

www.jmnic.com

硅NPN功率晶体管

2SD1277 2SD1277A

描述

·带

TO- 220Fa包

.Complement

键入2SB951

和2SB951A

高

正向电流传输比H

FE

- 高速

开关

应用

For

中速功率开关

钉扎

针

1

2

3

描述

BASE

集热器

辐射源

Fig.1简化外形（ TO- 220Fa ）和符号

在Tc = 25绝对最大额定值

℃

符号

参数

2SD1277

V

CBO

集电极 - 基极电压

2SD1277A

2SD1277

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

2SD1277A

V

EBO

I

C

I

CM

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

集电极电流峰值

T

C

=25℃

P

C

集电极耗散功率

T

a

=25℃

T

j

T

英镑

结温

储存温度

2

150

-55~150

℃

集电极开路

开基

80

7

8

12

45

W

V

A

发射极开路

80

60

V

条件

价值

60

V

单位

JMnic

产品speci fi cation

www.jmnic.com

硅NPN功率晶体管

2SD1277 2SD1277A

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

首席执行官

参数

集电极 - 发射极

击穿电压

2SD1277

I

C

= 30mA时我

B

=0

2SD1277A

I

C

= 4A我

B

=8mA

I

C

= 4A我

B

=8mA

V

CB

= 60V我

E

=0

V

CB

= 80V我

E

=0

V

EB

= 7V ;我

C

=0

I

C

= 8A ; V

CE

=3V

I

C

= 4A ; V

CE

=3V

I

C

=0.5A;

V

CE

=10V;f=1MHz

500

2000

20

10000

兆赫

80

1.5

2

0.1

2

V

Ma

mA

条件

民

60

典型值。

最大

单位

V

CESAT

V

BESAT

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

2SD1277

I

CBO

集电极截止电流

2SD1277A

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

f

T

发射极截止电流

直流电流增益

跃迁频率

开关时间

t

on

t

英镑

t

f

开启时间

贮存时间

下降时间

I

C

= 4A ，我

B1

=8mA

I

B2

=-8mA;V

CC

=50V

0.5

4

1

Μs

μs

h

FE-2

分类

Q

2000-5000

R

4000-10000

JMnic

产品speci fi cation

www.jmnic.com

硅NPN功率晶体管

2SD1277 2SD1277A

包装外形

图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）

JMnic

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SD1277 2SD1277A

描述

·采用TO- 220Fa包

·补键入2SB951

/951A

·高直流电流增益

·高速开关

应用

·对于中速功率开关

钉扎

针

1

2

3

描述

BASE

集热器

辐射源

Fig.1简化外形（ TO- 220Fa ）和符号

绝对最大额定值（Ta = 25

)

符号

参数

2SD1277

V

CBO

集电极 - 基极电压

2SD1277A

2SD1277

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

2SD1277A

V

EBO

I

C

I

CM

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

集电极电流峰值

T

C

=25

P

C

集电极耗散功率

T

a

=25

T

j

T

英镑

结温

储存温度

2

150

-55~150

集电极开路

开基

80

7

8

12

45

W

V

A

发射极开路

80

60

V

条件

价值

60

V

单位

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SD1277 2SD1277A

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

2SD1277

I

C

= 30mA时我

B

=0

2SD1277A

I

C

= 4A ;我

B

=8mA

I

C

= 4A ，我

B

=8mA

V

CB

= 60V ;我

E

=0

0.1

2SD1277A

V

CB

= 80V ;我

E

=0

V

EB

= 7V ;我

C

=0

I

C

= 8A ; V

CE

=3V

I

C

= 4A ; V

CE

=3V

I

C

= 0.5A ; V

CE

=10V;f=1MHz

500

2000

20

10000

兆赫

2

mA

80

1.5

2

V

条件

民

60

V

典型值。

最大

单位

符号

V

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极

击穿电压

V

CESAT

V

BESAT

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集热器

截止电流

2SD1277

I

CBO

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

f

T

发射极截止电流

直流电流增益

跃迁频率

开关时间

t

on

t

英镑

t

f

开启时间

贮存时间

下降时间

I

C

= 4A ，我

B1

=8mA

I

B2

=-8mA;V

CC

=50V

0.5

4.0

1.0

s

h

FE-2

分类

Q

2000-5000

R

4000-10000

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SD1277 2SD1277A

包装外形

图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）

3

功率晶体管

2SB951 ， 2SB951A

PNP硅外延平面型达林顿

对于煤层炮高速开关

补充2SD1277和2SD1277A

0.7±0.1

10.0±0.2

5.5±0.2

2.7±0.2

4.2±0.2

单位：mm

7.5±0.2

s

特点

q

4.0

高盼着电流传输比H

FE

高速开关

可与被安装在散热片的全包包

一颗螺丝

(T

C

=25C)

评级

–60

–80

–60

–80

–7

–12

–8

45

2

150

-55到+150

单位

V

16.7±0.3

φ3.1±0.1

1.4±0.1

1.3±0.2

14.0±0.5

浸焊

s

绝对最大额定值

参数

集电极

基极电压

集电极

2SB951

2SB951A

2SB951

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

CP

I

C

P

C

T

j

T

英镑

0.5

+0.2

–0.1

0.8±0.1

2.54±0.25

5.08±0.5

发射极电压2SB951A

发射器基极电压

峰值集电极电流

集电极电流

集电极电流T

C

=25°C

耗散

Ta=25°C

结温

储存温度

V

A

W

B

1

2

1 ：基本

2 ：收藏家

3 ：发射器

TO- 220全包套餐（一）

3

内部连接

C

E

s

电气特性

参数

集电极截止

当前

发射Cuto FF电流

集电极到发射极

电压

2SB951

2SB951A

2SB951

2SB951A

(T

C

=25C)

符号

I

CBO

I

EBO

V

首席执行官

h

FE1*

h

FE2

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

f

T

t

on

t

英镑

t

f

条件

V

CB

= -60V ，我

E

= 0

V

CB

= -80V ，我

E

= 0

V

EB

= -7V ，我

C

= 0

I

C

= -30mA ，我

B

= 0

V

CE

= -3V ，我

C

= –4A

V

CE

= -3V ，我

C

= –8A

I

C

= -4A ，我

B

= -8mA

I

C

= -4A ，我

B

= -8mA

V

CE

= -10V ，我

C

= -1A ， F = 1MHz的

I

C

= -4A ，我

B1

= -8mA ，我

B2

= 8毫安，

V

CC

= –50V

20

0.5

2

1

–60

–80

2000

500

–1.5

–2

V

兆赫

s

10000

民

典型值

最大

–100

–2

单位

A

mA

V

正向电流传输比

集电极到发射极饱和电压

基地发射极饱和电压

跃迁频率

开启时间

贮存时间

下降时间

*

h

FE1

等级分类

Q

P

秩

h

FE1

2000 5000 4000 10000

1

功率晶体管

P

C

- TA

50

2SB951 ， 2SB951A

I

C

— V

CE

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

–8

T

C

=25C

–7

I

B

=–2.0mA

–1.8mA

–1.6mA

–1.4mA

–1.2mA

–1.0mA

- 0.8毫安

- 0.6毫安

–3

= 0.4毫安

–2

–1

0

= 0.2毫安

–100

V

CE （ SAT ）

— I

C

I

C

/I

B

=500

集电极耗散功率P

C

(W)

集电极电流I

C

(A)

40

(1) T

C

= TA

（2）在一个100

×

100

×

2mm

铝散热器

（3）同一个50

×

50

×

2mm

铝散热器

（ 4 ）不带散热片

(P

C

=2W)

–30

–6

–5

–4

–10

30

(1)

20

–3

25C

T

C

=100C

–1

–25C

10

(3)

(4)

0

20

40

60

(2)

– 0.3

80 100 120 140 160

0

–1

–2

–3

–4

–5

– 0.1

– 0.3

–1

–3

–10

环境温度Ta （C ）

集电极到发射极电压V

CE

(V)

集电极电流I

C

(A)

V

CE （ SAT ）

— I

C

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

–100

(1) I

C

/I

B

=250

(2) I

C

/I

B

=500

(3) I

C

/I

B

=1000

T

C

=25C

–100

V

BE （ SAT ）

— I

C

基地发射极饱和电压V

BE （ SAT ）

(V)

基地发射极饱和电压V

BE （ SAT ）

(V)

I

C

/I

B

=500

–100

V

BE （ SAT ）

— I

C

(1) I

C

/I

B

=250

(2) I

C

/I

B

=500

(3) I

C

/I

B

=1000

T

C

=25C

–30

–10

(3)

–10

T

C

=–25C

25C

100C

–10

(1)

(2)

(3)

–3

(2)

–1

(1)

–3

–1

– 0.3

– 0.1

– 0.3

–1

–3

–10

– 0.1

– 0.3

–1

–3

–10

– 0.1

– 0.3

–1

–3

–10

集电极电流I

C

(A)

集电极电流I

C

(A)

集电极电流I

C

(A)

h

FE

— I

C

10

5

C

ob

— V

CB

集电极输出电容C

ob

（PF ）

V

CE

=–3V

10000

3000

1000

300

100

30

10

3

1

– 0.1 – 0.3

I

E

=0

f=1MHz

T

C

=25C

安全操作区（ ASO ）

–100

–30

非重复脉冲

T

C

=25C

I

CP

–10

I

C

–3

DC

–1

t=1ms

10ms

正向电流传输比H

FE

T

C

=100C

10

4

25C

–25C

10

3

集电极电流I

C

(A)

– 0.3

– 0.1

– 0.03

– 0.01

–1

10

2

– 0.1

– 0.3

–1

–3

–10

–1

–3

–10

–30

–100

–3

–10

–30

–100 –300 –1000

集电极电流I

C

(A)

集电极基极电压V

CB

(V)

集电极到发射极电压V

CE

(V)

2

2SB951A

2SB951

功率晶体管

R

日（T ）

— t

10

3

（ 1 ）不带散热片

（2）在一个100

×

100

×

2毫米铝散热片

(1)

2SB951 ， 2SB951A

热阻R

th

（吨）（ C / W）

10

2

10

(2)

1

10

–1

10

–2

10

–4

10

–3

10

–2

10

–1

1

10

2

10

3

10

4

时间t （S ）

3

2SD1277

NPN硅达林顿晶体管

开关稳压器PWM逆变器

电磁阀和继电器驱动器

SC-65

绝对最大额定值（T

A

=25℃)

℃

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极电流（ DC ）

集电极耗散（ TC = 25

℃)

结温

储存温度

符号

V

CBO

V

首席执行官

I

C

P

C

T

j

TSTG

等级

60

8

45

150

-50~150

单位

V

A

W

℃

电气特性（T

A

=25℃

)

℃

特征

收藏家Cuto FF电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

符号

I

CBO

I

首席执行官

h

FE

V

CE （ SAT ）

测试条件

V

CB

= 60V ，我

E

=0

V

CB

= 60V ，我

B

=0

V

CE

= 5V ，我

C

=0.5A

I

C

= 0.5A ，我

B

=0.001A

民

典型值

最大

10

10000

1.5

单位

A

1000

V

永诚电脑配件有限公司，（香港）有限公司。

主页：

http://www.wingshing.com

联系电话：（ 852 ） 2341 9276传真：（ 852 ） 2797 8153

电子信箱： wsccltd@hkstar.com

功率晶体管

2SD1277 ， 2SD1277A

硅NPN三重扩散平面型达林顿

0.7±0.1

对于煤层炮高速功率开关

补充2SB951和2SB951A

单位：mm

10.0±0.2

5.5±0.2

2.7±0.2

4.2±0.2

φ3.1±0.1

1.4±0.1

1.3±0.2

0.5

+0.2

–0.1

0.8±0.1

2.54±0.25

5.08±0.5

1

2

4.2±0.2

q

16.7±0.3

14.0±0.5

q

高盼着电流传输比H

FE

高速开关

可与被安装在散热片的全包包

一颗螺丝

(T

C

=25C)

评级

60

80

60

80

7

12

8

45

2

150

-55到+150

单位

V

s

绝对最大额定值

参数

集电极

基极电压

集电极

2SD1277

2SD1277A

2SD1277

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

CP

I

C

P

C

T

j

T

英镑

浸焊

4.0

7.5±0.2

s

特点

发射极电压2SD1277A

发射器基极电压

峰值集电极电流

集电极电流

集电极电流T

C

=25°C

耗散

Ta=25°C

结温

储存温度

V

A

W

B

1 ：基本

2 ：收藏家

3 ：发射器

TO- 220全包套餐（一）

3

内部连接

C

E

s

电气特性

参数

集电极截止

当前

发射Cuto FF电流

集电极到发射极

电压

2SD1277

2SD1277A

2SD1277

2SD1277A

(T

C

=25C)

符号

I

CBO

I

EBO

V

首席执行官

h

FE1*

h

FE2

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

f

T

t

on

t

英镑

t

f

条件

V

CB

= 60V ，我

E

= 0

V

CB

= 80V ，我

E

= 0

V

EB

= 7V ，我

C

= 0

I

C

= 30mA时我

B

= 0

V

CE

= 3V ，我

C

= 4A

V

CE

= 3V ，我

C

= 8A

I

C

= 4A ，我

B

= 8毫安

I

C

= 4A ，我

B

= 8毫安

V

CE

= 10V ，我

C

= 0.5A ， F = 1MHz的

I

C

= 4A ，我

B1

= 8毫安，我

B2

= -8mA ，

V

CC

= 50V

20

0.5

4

1

60

80

2000

500

1.5

2

V

兆赫

s

10000

民

典型值

最大

100

2

单位

A

mA

V

正向电流传输比

集电极到发射极饱和电压

基地发射极饱和电压

跃迁频率

开启时间

贮存时间

下降时间

*

h

FE1

等级分类

Q

P

2000 5000 4000 10000

秩

h

FE1

1

功率晶体管

P

C

- TA

50

12

(1)

40

(1) T

C

= TA

（2）在一个100

×

100

×

2mm

铝散热器

（3）同一个50

×

50

×

2mm

铝散热器

（ 4 ）不带散热片

(P

C

=2W)

T

C

=25C

10

2SD1277 ， 2SD1277A

I

C

— V

CE

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

10

V

CE （ SAT ）

— I

C

(1) I

C

/I

B

=250

(2) I

C

/I

B

=500

(3) I

C

/I

B

=1000

T

C

=25C

(3)

(2)

(1)

集电极耗散功率P

C

(W)

集电极电流I

C

(A)

3

8

I

B

=4.0mA

3.5mA

3.0mA

2.5mA

2.0mA

1.5mA

1.0mA

0.5mA

2

30

1

6

0.3

20

4

0.1

10

(2)

(3)

(4)

0.03

0

20

40

60

80 100 120 140 160

0

1

2

3

4

5

0.01

0.1

0.3

1

3

10

30

环境温度Ta （C ）

集电极到发射极电压V

CE

(V)

集电极电流I

C

(A)

V

CE （ SAT ）

— I

C

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

10

I

C

/I

B

=500

T

C

=100C

3

25C

–25C

V

CB （SAT）

— I

C

100000

h

FE

— I

C

I

C

/I

B

=500

V

CE

=3V

基地发射极饱和电压V

BE （ SAT ）

(V)

10

正向电流传输比H

FE

30000

T

C

=100C

25C

–25C

3

T

C

=–25C

1

100C

25C

10000

1

3000

1000

300

100

30

10

0.1

0.3

0.1

0.03

0.01

0.1

0.3

1

3

10

30

0.01

0.1

0.3

1

3

10

30

0.3

1

3

10

30

100

集电极电流I

C

(A)

集电极电流I

C

(A)

集电极电流I

C

(A)

安全操作区（ ASO ）

100

30

10

3

非重复脉冲

T

C

=25C

I

CP

10

I

C

3

1

0.3

0.1

0.03

0.01

1

3

10

30

DC

1ms

t=10ms

R

日（T ）

— t

（ 1 ）不带散热片

（2）在一个100

×

100

×

2毫米铝散热片

热阻R

th

（吨）（ C / W）

集电极电流I

C

(A)

10

2

(1)

10

(2)

1

2SD1277A

2SD1277

10

–1

100

300

1000

10

–2

10

–4

10

–3

10

–2

10

–1

1

10

2

10

3

10

4

集电极到发射极电压V

CE

(V)

时间t （S ）

2