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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SC4746
描述
高
击穿电压 -
: V
CBO
= 1500V (最小值)
高
开关速度
应用
·设计
对于字符显示水平偏转
输出级应用
绝对最大额定值(Ta = 25
℃)
符号
参数
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
EBO
发射极 - 基极电压
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
价值
单位
1500
V
800
V
6
V
8
A
20
A
50
W
I
C
集电极电流 - 连续
I
C(
浪涌
)
集电极电流浪涌
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
P
C
T
J
150
℃
T
英镑
存储温度范围
-55~150
℃
ISC的网站: www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
2SC4746
典型值。
最大
单位
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安;
BE
=
∞
800
V
V
( BR ) EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10毫安;我
C
= 0
6
V
V
CE
(SAT)
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 7A ;我
B
= 1.4A
B
5.0
V
V
BE
(SAT)
基射极饱和电压
I
C
= 7A ;我
B
= 1.4A
B
1.5
V
I
CES
收藏家Cuto FF电流
h
FE
直流电流增益
t
f
下降时间
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
I
C
= 1A ; V
CE
= 5V
8
I
CP
= 7A ,我
B1
= 1.4A
V
CE
= 1500V ;
BE
= 0
500
μA
38
0.5
μs
ISC的网站: www.iscsemi.cn
2
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SC4746
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
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产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SC4746
描述
高
击穿电压 -
: V
CBO
= 1500V (最小值)
高
开关速度
应用
·设计
对于字符显示水平偏转
输出级应用
绝对最大额定值(Ta = 25
℃)
符号
参数
价值
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
1500
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
800
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
6
V
I
C
集电极电流 - 连续
8
A
I
C(
浪涌
)
集电极电流浪涌
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
20
A
P
C
50
W
T
J
150
℃
T
英镑
存储温度范围
-55~150
℃
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硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
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典型值。
最大
单位
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安;
BE
=
∞
800
V
V
( BR ) EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10毫安;我
C
= 0
6
V
V
CE
(SAT)
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 7A ;我
B
= 1.4A
B
5.0
V
V
BE
(SAT)
基射极饱和电压
I
C
= 7A ;我
B
= 1.4A
B
1.5
V
I
CES
收藏家Cuto FF电流
V
CE
= 1500V ;
BE
= 0
500
μA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 1A ; V
CE
= 5V
8
38
t
f
下降时间
I
CP
= 7A ,我
B1
= 1.4A
0.5
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282103-1
2SD1277
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227CKR035M
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型号
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封装
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