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功率晶体管

2SD1275 ， 2SD1275A

硅NPN三重扩散平面型达林顿

进行功率放大

补充2SB0949 （ 2SB949 ）和2SB0949A （ 2SB949A ）

0.7±0.1

单位：mm

10.0±0.2

5.5±0.2

2.7±0.2

4.2±0.2

16.7±0.3

高盼着电流传输比H

高速开关

可与被安装在散热片的全包包

一颗螺丝

=25C)

评级

150

-55到+150

单位

7.5±0.2

特点

φ3.1±0.1

4.0

14.0±0.5

绝对最大额定值

参数

集电极

基极电压

集电极

2SD1275

2SD1275A

2SD1275

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

1.4±0.1

1.3±0.2

浸焊

0.5

–0.1

0.8±0.1

+0.2

2.54±0.25

5.08±0.5

发射极电压2SD1275A

发射器基极电压

峰值集电极电流

集电极电流

集电极电流T

=25°C

耗散

Ta=25°C

结温

储存温度

1 ：基本

2 ：收藏家

3 ：发射器

TO- 220全包套餐（一）

内部连接

电气特性

=25C)

参数

符号

CBO

首席执行官

EBO

2SD1275

2SD1275A

首席执行官

FE1

FE2*

CE （ SAT ）

英镑

条件

= 60V ，我

= 0

= 80V ，我

= 0

= 30V ，我

= 0

= 40V ，我

= 0

= 5V ，我

= 0

= 30mA时我

= 0

= 4V ，我

= 1A

= 4V ，我

= 2A

= 4V ，我

= 2A

= 2A ，我

= 8毫安

= 10V ，我

= 0.5A ， F = 1MHz的

= 2A ，我

= 8毫安，我

= -8mA ，

= 50V

0.5

1000

2000

10000

2.8

2.5

兆赫

民

典型值

最大

单位

2SD1275

2SD1275A

2SD1275

2SD1275A

集电极截止

当前

集电极截止

当前

发射Cuto FF电流

集电极到发射极

电压

正向电流传输比

基地发射极电压

集电极到发射极饱和电压

跃迁频率

开启时间

贮存时间

下降时间

FE2

等级分类

注）括号内显示常规零件号的零件号。

秩

FE2

2000 5000 4000 10000

功率晶体管

- TA

(1) T

= TA

（2）在一个100

100

2mm

铝散热器

（3）同一个50

2mm

铝散热器

（ 4 ）不带散热片

=2W)

=25C

2SD1275 ， 2SD1275A

— V

=4V

— V

集电极耗散功率P

(W)

集电极电流I

(A)

(1)

集电极电流I

(A)

=2.0mA

1.8mA

1.6mA

1.4mA

1.2mA

1.0mA

0.8mA

0.6mA

0.4mA

0.2mA

25C

=100C

–25C

(2)

(3)

(4)

80 100 120 140 160

0.8

1.6

2.4

3.2

环境温度Ta （C ）

集电极到发射极电压V

(V)

基极至发射极电压V

(V)

CE （ SAT ）

— I

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

100

=250

0.3

0.1

0.03

0.01

0.01 0.03

=–25C

100C

25C

— I

10000

— V

集电极输出电容C

（PF ）

=4V

f=1MHz

=25C

正向电流传输比H

3000

1000

300

100

0.1

=100C

25C

–25C

0.1

0.3

0.01 0.03

0.1

0.3

100

集电极电流I

(A)

集电极电流I

(A)

集电极基极电压V

(V)

安全操作区（ ASO ）

100

非重复脉冲

=25C

日（T ）

— t

（ 1 ）不带散热片

（2）在一个100

100

2毫米铝散热片

(1)

热阻R

（吨）（ C / W）

集电极电流I

(A)

0.3

0.1

0.03

0.01

1ms

t=10ms

(2)

2SD1275A

2SD1275

–1

100

300

1000

–2

–4

–3

–2

–1

集电极到发射极电压V

(V)

时间t （S ）

请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息

并在此材料中描述的半导体

（ 1）出口许可证需要从日本Govern-主管部门获得的

换货如果有下这种材料描述和控制的产品或技术

＆ QUOT ;外汇及外国贸易法＆ QUOT ;要导出或带出日本。

（ 2 ）在本材料中描述的技术信息仅限于展示代表character-

istics和产品的应用电路示例。它不构成产业的值得

物业，给予相对权利，或者给予任何许可。

（3）在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或gen-

ERAL电子设备（如办公设备，通讯设备，测量IN-

struments和家用电器）。

提前为下列应用程序的信息，请咨询我们的销售人员：

特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备，

燃烧设备，生命支持系统和安全装置），其中卓越的品质和

可靠性是必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或

对人体的危害。

任何应用程序比预期的标准应用程序等。

（ 4 ）在这种材料中描述的产品和产品规格如有变更，恕不

通知进行修改和/或改进的原因。在设计的最后阶段，采购

荷兰国际集团，或使用的产品，因此，事先要求的最先进的最新产品标准

确保最新的技术规格满足您的要求。

（ 5 ）在设计你的装备，符合保障的价值，特别是对马克西 -

妈妈等级，操作电源电压和热辐射特性的范围内。其它 -

明智的，我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。

即使产品的保证值范围内使用，多余的设计建议，

所以，这样的设备可能没有违反，因为功能的有关法律，法规我们

产品。

（ 6 ）使用了该干的包装要求的产品，观察条件（包括保质期

及后拆包待机时间）约定，当规格表被单独更换。

（ 7 ）本资料的任何部分，未经书面许可，不得转载或复制任何手段

从我们公司。

使用数据表之前，请仔细阅读下面的注意事项

A.这些材料的目的是作为参考，以帮助客户松下的选择

半导体产品最适合他们的应用程序。

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产品类型，技术参数等，如有更改，恕不另行通知。

建议客户联系我们的半导体销售办事处，并获得最新信息

在开始之前，精确的技术研究和/或采购活动。

B.松下正在努力不断改进这些材料的质量和可靠性，但

总是有进一步的纠正将被要求在未来的可能性。因此，

松下将不承担任何错误等，可能AP-而引起的任何损失承担任何责任

梨在这种材料。

C.这些材料仅适用于客户的个人使用。

因此，如果没有松下的事先书面同意，任何其他用途，如再现，

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2001年MAR