SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1270
描述
·采用TO- 220Fa包
·低集电极饱和电压
·大型集电极电流I
C
·补键入2SB945
应用
·对于功率开关应用
钉扎
针
1
2
3
描述
BASE
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 220Fa ）和符号
辐射源
在Ta = 25绝对最大额定值
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
T
C
=25
P
C
集电极耗散功率
T
a
=25
T
j
T
英镑
结温
储存温度
2
150
-55~150
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
130
80
7
5
10
40
W
单位
V
V
V
A
A
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1270
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1270
描述
·带
TO- 220Fa包
ULOW
集电极饱和电压
●大
集电极电流I
C
.Complement
键入2SB945
应用
For
电源开关应用
钉扎
针
1
2
3
描述
BASE
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 220Fa ）和符号
辐射源
在Ta = 25绝对最大额定值
℃
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
参数
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
条件
集电极 - 基极电压
发射极开路
集电极 - 发射极电压
开基
发射极 - 基极电压
集电极开路
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
T
C
=25℃
集电极耗散功率
T
a
=25℃
OR
CT
U
价值
130
80
7
5
10
40
单位
V
V
V
A
A
P
C
W
2
150
-55~150
℃
℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1270
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
OR
CT
U
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）
3
功率晶体管
P
C
- TA
50
–8
(1) T
C
= TA
（2）在一个100
×
100
×
2mm
铝散热器
（3）同一个50
×
50
×
2mm
铝散热器
（ 4 ）不带散热片
(P
C
=2W)
–7
I
B
=–120mA
T
C
=25C
2SB945
I
C
— V
CE
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
–100
I
C
/I
B
=20
–30
–10
–3
–1
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极耗散功率P
C
(W)
集电极电流I
C
(A)
40
–100mA
–6
–5
–4
–3
–20mA
–2
–10mA
–1
–3mA
0
–80mA
–60mA
–40mA
–30mA
30
(1)
20
– 0.3
– 0.1
– 0.03
– 0.01
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
25C
T
C
=100C
–25C
10
(3)
(4)
0
0
20
40
60
(2)
80 100 120 140 160
0
–2
–4
–6
–8
–10
–1
–3
–10
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
V
BE （ SAT ）
— I
C
–100
10000
I
C
/I
B
=20
h
FE
— I
C
10000
V
CE
=–2V
3000
1000
300
100
30
10
3
f
T
— I
C
V
CE
=–10V
f=10MHz
T
C
=25C
基地发射极饱和电压V
BE （ SAT ）
(V)
正向电流传输比H
FE
–10
–3
25C
–1
T
C
=–25C
100C
1000
300
100
30
10
3
1
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
25C
T
C
=100C
–25C
– 0.3
– 0.1
– 0.03
– 0.01
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
过渡频率f
T
（兆赫）
–3
–10
–30
3000
–1
–3
–10
–1
1
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
–1
–3
–10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
C
ob
— V
CB
10000
100
I
E
=0
f=1MHz
T
C
=25C
30
t
on
, t
英镑
, t
f
— I
C
脉冲吨
w
=1ms
占空比= 1 ％
I
C
/I
B
=10
(–I
B1
=I
B2
)
V
CC
=–50V
T
C
=25C
安全操作区（ ASO ）
–100
–30
非重复脉冲
T
C
=25C
I
CP
I
C
–3
–1
DC
10ms
1ms
t=0.5ms
集电极输出电容C
ob
（PF ）
3000
1000
300
100
30
10
3
1
– 0.1 – 0.3
开关时间t
on
,t
英镑
,t
f
(
s
)
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
集电极电流I
C
(A)
–10
t
英镑
t
on
t
f
– 0.3
– 0.1
– 0.03
– 0.01
–1
–1
–3
–10
–30
–100
0
– 0.8
–1.6
–2.4
–3.2
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
集电极基极电压V
CB
(V)
集电极电流I
C
(A)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
2
2SD1270
NPN外延硅晶体管
功率放大器
垂直偏转输出
SC-67
!
补充2SB945
绝对最大额定值（T
A
=25℃)
℃
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极耗散（ TC = 25
℃)
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
TSTG
等级
-130
-80
-5
-5
40
150
-50~150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
电气特性（T
A
=25℃)
℃
特征
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
电流增益带宽积
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE1
V
CE （ SAT ）
f
T
测试条件
V
CB
= -150V ，我
E
=0
V
EB
= -5V ，我
C
=
0
V
CE
= -2.0V ，我
C
=-2.0A
I
C
= -4A ，我
B
=-0.2mA
V
CE
= -10V ，我
C
=-0.5A
民
典型值
最大
-10
-10
260
-0.5
60
单位
A
A
60
V
兆赫
永诚电脑配件有限公司， （香港）有限公司。
主页：
http://www.wingshing.com
联系电话： （ 852 ） 2341 9276传真： （ 852 ） 2797 8153
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