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2SD1126(K)
硅NPN三重扩散
ADE - 208-904 ( Z)
1日。版
2000年9月
应用
电源开关
概要
TO-220AB
2
1
1.基地
2.收集
(法兰)
3.辐射源
I
D
1.5 k
(典型值)
130
(典型值)
3
1
2 3
2SD1126(K)
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
C至ê二极管的正向电流
注意:
1.价值在T
C
= 25°C.
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C(峰值)
P
C
*
1
Tj
TSTG
I
D
评级
120
120
7
10
15
50
150
-55到+150
10
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
A
电气特性
( TA = 25°C )
符号
120
7
1000
典型值
0.8
8.0
最大
100
10
2000
1.5
3.0
2.0
3.5
3.0
V
V
V
V
V
s
s
单位
V
V
A
A
测试条件
I
C
= 25毫安,R
BE
=
I
E
= 200毫安,我
C
= 0
V
CB
= 120 V,I
E
= 0
V
CE
= 100 V ,R
BE
=
V
CE
= 3 V,I
C
= 5 A*
1
I
C
= 5 A,I
B
= 10毫安*
1
I
C
= 10 A,I
B
= 0.1 A*
1
I
C
= 5 A,I
B
= 10毫安*
1
I
C
= 10 A,I
B
= 0.1 A*
1
I
D
= 10 A*
1
I
C
= 5 A,I
B1
= –I
B2
= 10毫安
集电极到发射极击穿V
( BR ) CEO
电压
发射器基极击穿
电压
收藏家Cuto FF电流
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
首席执行官
直流电流传输比
集电极到发射极饱和
电压
基地发射极饱和
电压
C至ê二极管的正向电压
启动时间
关闭时间
注意:
1.脉冲测试。
h
FE
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
V
BE(sat)1
V
BE(sat)2
V
D
t
on
t
关闭
2
2SD1126(K)
最大集电极耗散曲线
60
集电极耗散功率PC( W)
30
10
I
C(最大值)
3
i
C(峰值)
安全工作区
PW
集电极电流I
C
(A)
PW
=
=
1
s
m
40
10
m
1
ot
sh
ot
sh
s
1
D
1.0
0.3
0.1
0.03
T
C
= 25°C
C
O
n
TIO
ra
pe
20
0
50
100
案例温度T
C
(°C)
150
3
10
30
100
300
集电极到发射极电压V
CE
(V)
典型的输出特性
10
T
C
= 25°C
直流电流传输比
与集电极电流
30,000
直流电流传输比H
FE
V
CE
= 3 V
脉冲
5
°
C
=7
T
C
5
2
2.0
1.5
1.0
集电极电流I
C
(A)
8
10,000
3,000
1,000
300
100
30
0.3
6
0.8
0.7
0.6
0.5毫安
I
B
= 0
5
–2
4
2
0
1
2
3
4
集电极到发射极电压V
CE
(V)
5
1.0
3
10
集电极电流I
C
(A)
30
3
2SD1126(K)
集电极到发射极饱和电压V
CE (SAT)
(V)
基地发射极饱和电压V
BE (SAT)
(V)
饱和电压与集电极电流
10
3
1.0
0.3
0.1
0.03
0.01
0.3
V
CE (SAT)
l
C
/l
B
= 100
200
500
V
BE (SAT)
T
C
= 25°C
脉冲
1.0
3
10
集电极电流I
C
(A)
30
4
2SD1126(K)
包装尺寸
单位:mm
11.5 MAX
2.79
±
0.2
10.16
±
0.2
9.5
8.0
φ
3.6
-0.08
+0.1
4.44
±
0.2
1.26
±
0.15
6.4
+0.2
–0.1
18.5
±
0.5
15.0
±
0.3
1.27
2.7 MAX
14.0
±
0.5
1.5 MAX
7.8
±
0.5
0.76
±
0.1
2.54
±
0.5
2.54
±
0.5
0.5
±
0.1
日立代码
JEDEC
EIAJ
质谱(参考值)
TO-220AB
符合
符合
1.8 g
5
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数量
封装
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    联系人:杨小姐
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联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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日立
21+
15360
TO-220
全新原装正品/质量有保证
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√ 欧美㊣品
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