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E
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28F016SV
16 - MBIT (1 MBIT ×16 , 2 MBIT ×8)
FlashFile 内存
包括商业和扩展温度规格
SmartVoltage技术
用户可选的3.3V或5V V
CC
用户可选的5V或12V V
PP
65 ns访问时间
每座100万擦除周期
30.8 MB /秒的突发写传输率
0.48 MB /秒的持续写入传输
配置x8或x16操作
56引脚TSOP和SSOP I型
套餐
n
n
向后兼容28F016SA ,
28F008SA命令集
革命性的架构
多个命令执行
程序在擦除
命令超集的英特尔
28F008SA
页面缓冲程序
2 μA典型深度掉电
32独立带锁块
0.6微米ETOX IV闪存国家的最先进的
技术
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英特尔28F016SV 16兆位FlashFile 存储是一个革命性的架构,它是理想的选择。
设计嵌入式直接执行代码和海量存储的数据/文件闪存系统。凭借创新
能力,低功耗运行,用户可选择V
PP
电压和高读/程序的性能,
28F016SV实现真正的移动,高性能的个人计算和通信的设计
产品。
该28F016SV是密度最高,为固态性能最高的非易失性读/程序的解决方案
存储的应用程序。其对称地封闭体系结构(100%与28F008SA 8兆位兼容并
28F016SA 16兆位FlashFile回忆) ,延长循环,灵活的V
CC
和V
PP
电压( SmartVoltage
技术) ,快速编程和读取性能和选择性块锁,提供了一个高度灵活的内存
组件适用于居民闪存阵列,高密度的存储卡和PCMCIA -ATA闪存驱动器。
该28F016SV的双读出电压使存储卡的设计,可以读/写在3.3V
和5V系统互换。其X8 / X16架构允许内存到处理器的优化
界面。灵活的块锁选项使可执行的应用软件捆绑在一个居民
闪存阵列或存储卡。该28F016SV制造英特尔0.6微米ETOX IV的工艺技术。
1997年7月
订单号: 290528-007
97年7月11日上午11时03分
29052807.DOC
本文档中的信息均与英特尔产品相关。没有许可证,明示或暗示,禁止反言或
否则,任何知识产权授予本文件。除英特尔的条款和条件提供
出售此类产品,英特尔概不承担任何责任,英特尔公司不对任何明示或暗示的担保,以
英特尔产品的销售和/或使用包括责任或与适合特定目的的适销性保证,或
侵犯任何专利,版权或其他知识产权。英特尔产品并非设计用于医疗,生活中使用
拯救或延长生命的应用。
英特尔可能随时更改规格和产品说明,在任何时候,恕不另行通知。
该28F016SV可能包含勘误表的设计缺陷或错误,这可能导致产品与已出版的偏离
规格。最新的勘误表备索。
请联系您当地的英特尔销售办事处或分销商,以获取最新的规格和订购产品之前。
哪个有顺序编号的文档或其他英特尔文献中提及的文件副本,可能是
从获得的:
英特尔公司
P.O.箱7641
山展望, IL 60056-7641
或致电1-800-879- 4683
或访问英特尔网站为http : \\\\ www.intel.com
版权所有英特尔公司,1997
*
第三方的品牌和名称均为其各自所有者的财产。
CG-041493
E
28F016SV FlashFile 内存
目录
页面
页面
5.0电气特性.................. 25
5.1绝对最大额定值........................ 25
5.2电容............................................... 26
5.3直流特性(V
CC
= 3.3V ± 0.3V) .....29
5.4直流特性(V
CC
= 5V ± 0.5V)
5V ± 0.25V) ..................................................33
5.5定时命名................................. 37
5.6交流特性 - 只读Operations38
5.7上电和复位时序..................... 43
5.8交流特性WE# -Controlled
命令写操作......................... 44
5.9交流特性CE# -Controlled
命令写操作) ........................ 49
5.10 AC特性WE# -Controlled
页面缓冲编程操作.................. 54
5.11 AC特性CE# -Controlled
页面缓冲编程操作.................. 56
5.12擦除和字/字节编程
Performance.................................................58
6.0机械特性................. 60
附录A :设备术语和
订购信息..................................... 61
附录B :订购信息................. 63
1.0简介............................................. 7
1.1增强功能...................................... 7
1.2产品概述......................................... 7
2.0器件的引脚............................................. 9
2.1铅说明...................................... 11
3.0存储器映射........................................... 15
3.1扩展状态寄存器内存映射... 16
4.0总线操作,命令和
状态寄存器定义................ 17
4.1总线操作的字宽银幕模式
( BYTE # = V
IH
) ..............................................17
4.2总线操作的字节宽度模式
( BYTE # = V
IL
)...............................................17
4.3 28F008SA兼容模式命令
总线定义............................................. 18
4.4 28F016SV ,性能增强
命令总线定义............................ 19
4.5兼容状态寄存器........................ 21
4.6全局状态寄存器............................... 22
4.7模块状态寄存器................................. 23
4.8设备配置代码......................... 24
3
28F016SV FlashFile 内存
E
修订历史
描述
-001
-002
蓝本
-003
新增28F016SV - 065 / -070在5V V
CC
和28F016SV - 075在3.3V V
CC
.
提高突发写入传输速率为30.8 MB /秒。
增加了56引线SSOP I型包装信息。
改变了V
PPLK
从2V至1.5V 。
增加了我
CCR
在5V V
CC
和3.3V V
CC
:
I
CCR1
30 MA(典型值) / 35 MA(最大值) 40 mA(一般) / 50 MA(最大值) @ V
CC
= 3.3V
I
CCR2
15 MA(典型值) / 20 MA(最大值)至20 mA (典型值) / 30 MA(最大值) @ V
CC
= 3.3V
I
CCR1
50 MA(典型值) / 60 MA(最大值) 75 mA(一般) / 95 MA(最大值) @ V
CC
= 5V
I
CCR2
30 MA(典型值) / 35 MA(最大值) 45 mA(一般) / 55 MA(最大值) @ V
CC
= 5V
移动AC特性扩展寄存器读取到不同的表。
增加V
PP
MAX从13V到14V。
添加擦除挂起命令的延迟时间为5.12节
修改器械命名节,包括SSOP封装选项和订购
信息
被修改的定义, “NC ”删除“无内部连接到死”的描述。
新增“
xx
“以命令的高字节(数据)在第4.3和4.4的定义。
补充说明,以睡眠司令部( 4.4节)表示,该芯片必须取消选择
为了在休眠模式下的功耗,以达到深度掉电
的水平。
修改后的参数“V”和第5.1节中的“我”适用于“NC”的引脚。
增加了我
PPR
(V
PP
读取电流) V
PP
& GT ; V
CC
200 μA在V
CC
= 3.3V和V
CC
= 5V
改变了V
CC
=标有注1 5V直流特性( 5.5节)来表示
这些电流被用于CMOS上升指定/落入<5 ns的时间(10% 90 %)
和TTL上升/下降<10纳秒的时间。
校正吨的图形表示
WHGL
和T
EHGL
在图15和16 。
增加了典型的“页面缓冲区字节/ Word程序时报” 6.0微秒到8.0微秒(字节)
和12.1 μs到16.0微秒(字) @ V
CC
= 3.3V / 5V和V
PP
= 5V:
增加的典型。 “字节/ Word程序时报” (T
WHRH1A
/t
WHRH1B
)为V
PP
= 5V (第
5.12)
t
WHRH1A
从16.5 μs到29.0微秒和T
WHRH1B
从24.0 μs到35.0微秒在V
CC
=3.3V
t
WHRH1A
从11.0 μs到20.0微秒和T
WHRH1B
从16.0 μs到25.0微秒在V
CC
= 5V
增加了典型的“阻止程序时报” (T
WHRH2
/t
WHRH3
)为V
PP
= 5V ( 5.12节) :
t
WHRH2
从1.1秒到1.9秒和T
WHRH3
从0.8秒到1.2秒在V
CC
= 3.3V
t
WHRH2
从0.8秒到1.4秒和T
WHRH3
从0.6秒到0.85秒, V
CC
= 5V
改变“从擦除时间暂停命令WSM就绪”规范名称为“擦除
暂停等待时间来阅读; “修改典型值,增加最小/最大
在V值
CC
= 3.3 / 5V和V
PP
= 5V / 12V ( 5.12节)
新增“擦除挂起等待时间,以程序的”规格为5.12节
在整个文档中的小的变化
4
E
-004
描述
-005
28F016SV FlashFile 内存
修订历史
(续)
加入3/5 #引脚框图(图1 ) ,引脚配置(图2和图3 ) ,
产品概述(第1.1节)和铅说明(第2.1节)
加入3/5 #脚为我测试条件
CCS
特定网络阳离子
加入3/5 #引脚( Y)来命名的时序( 5.5节)
增加吨
PHQV
规格为5V V
CC
以400纳秒为E28F016SV 065设备
和480纳秒的E28F106SV 070设备。
改进的电源和复位时序( 5.9节) ,包括3/5 #引脚:删除吨
5VPH
和T
3VPH
规格;加入叔
PLYL
, t
PLYH
, t
YLPH
和叔
YHPH
特定网络阳离子
加入叔
PHEL3
和T
PHEL5
规格上电和复位时序( 5.9节)
纠正TSOP机械规格A
1
从0.50毫米至0.050毫米( 6.0节)
纠正SSOP机械规格。 B(最大)从0.20毫米至0.40毫米( 6.0节)
在整个文档中的小的变化。
最新DC产品规格:我
CCD
, I
PPES
更新AC规格:页缓冲区读取: (T
AVAV
, t
AVQV
, t
ELQV
和叔
FLQV
/t
FHQV
)
页面缓冲器WE# -Controlled命令写入(T
ELWL
)
CE# -Controlled命令写入参数(T
AVAV
, t
ELEH
, t
EHEL
)
商业及扩展温度信息转换成单一的数据表。
更新AC规格:页缓冲区读取: (T
AVAV
, t
AVQV
, t
ELQV
和叔
FLQV
/t
FHQV
)
更新免责声明
-006
-007
5
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厂家
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封装
单价/备注
操作
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    28F016SV
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
28F016SV
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