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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SD1032
描述
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
（ BR ） CEO
= 60V （最小值）
●大
集电极耗散功率
.Complement
到类型2SB812
应用
·设计
自动对焦功率放大器的应用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
价值
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
60
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
60
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
5
V
I
C
集电极电流连续
4
A
I
CM
集电极电流峰值
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
8
A
P
C
60
W
T
J
150
℃
T
英镑
存储温度范围
-55~150
℃
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
V
（ BR ） CEO
V
CE
（SAT）
V
BE
（上）
I
首席执行官
I
CES
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= 30毫安;我
B
= 0
I
C
= 4A ;我
B
= 0.4A
B
2SD1032
民
60
典型值。
最大
单位
V
1.5
2
700
400
1
40
15
250
V
V
μA
μA
mA
I
C
= 3A ; V
CE
= 4V
V
CE
= 30V ;我
B
= 0
V
CE
= 60V ; V
BE
= 0
V
EB
= 5V ;我
C
= 0
I
C
= 1A ; V
CE
= 4V
I
C
= 3A ; V
CE
= 4V
开关时间
t
on
t
关闭
开启时间
I
C
= 4A ，我
B1
= -I
B2
= 0.4A
打开-O FF时间
1.4
μs
0.2
μs
h
FE-1
分类
R
40-90
Q
70-150
P
120-250
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
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22-15-3143
2N2222ACSM4
212X10S324FD2
2-284519-1
2N5551RLRP
2SA1743M
2SC1851
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    2SD1032
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    -
    -
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