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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第579页 > 2N6052_06
ON Semiconductort
PNP
达林顿互补
硅功率晶体管
。 。 。设计用于一般用途的放大器和低频率
开关应用。
2N6052*
NPN
高直流电流增益 -
h
FE
= 3500 （典型值） @我
C
= 5.0 ADC
集电极 - 发射极耐受电压 - @ 100毫安
V
CEO （ SUS ）
= 80伏直流（最小值） - 2N6058
100伏（最小） - 2N6052 ， 2N6059
单片式结构，具有内置基射极分流电阻
2N6058
2N6059*
·安森美半导体首选设备
w
这些器件采用无铅封装（ S）提供。本文规格
适用于标准和无铅器件。请参阅我们的网站：
www.onsemi.com特定无铅订购的部件编号，或
请联系您当地的安森美半导体销售办事处或代表处。
2N6052
2N6059
100
100
最大额定值（ 1 ）
等级
符号
V
首席执行官
V
CB
V
EB
I
C
I
B
2N6058
80
80
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
达林顿
12安培
补充
硅
功率晶体管
80
100
伏
150瓦
PD ，功耗（瓦）
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
5.0
12
20
连续集电极电流 -
PEAK
基极电流
器件总功耗
@T
C
= 25_C
减免上述25℃
0.2
P
D
150
瓦
W / ℃，
_C
0.857
工作和存储结
温度范围
T
J
, T
英镑
- 65 + 200_C
案例1-07
TO204AA
(TO3)
热特性
特征
符号
R
θJC
等级
1.17
单位
热阻，结到外壳
° C / W
（ 1 ）表示JEDEC注册的数据。
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
175
200
图1.功率降额
1
首选
设备是安森美半导体建议以供将来使用和最佳的整体价值选择。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年3月，
第3版
出版订单号：
2N6052/D
2N6052
T， TIME （
μ
s)
*电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
符号
民
最大
单位
VDC
集电极 - 发射极耐受电压（ 2 ）
(I
C
= 100 MADC ，我
B
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 40 VDC ，我
B
= 0)
(V
CE
= 50伏直流，我
B
= 0)
2N6058
2N6052, 2N6059
2N6058
2N6052, 2N6059
V
CEO （ SUS ）
80
100
—
—
—
—
—
—
I
首席执行官
MADC
1.0
1.0
0.5
5.0
2.0
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
=额定V
首席执行官
, V
BE （OFF）的
= 1.5伏）
(V
CE
=额定V
首席执行官
, V
BE （OFF）的
= 1.5伏，T
C
= 150_C)
发射Cuto FF电流
(V
BE
= 5.0伏，我
C
= 0)
I
CEX
MADC
I
EBO
MADC
基本特征（ 2 ）
直流电流增益
(I
C
= 6.0 ADC ，V
CE
= 3.0伏）
(I
C
= 12 ADC ，V
CE
= 3.0伏）
h
FE
—
750
100
—
—
—
—
18,000
—
2.0
3.0
4.0
2.8
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 6.0 ADC ，我
B
= 24 MADC ）
(I
C
= 12 ADC ，我
B
= 120 MADC ）
基射极饱和电压
(I
C
= 12 ADC ，我
B
= 120 MADC ）
基射极电压ON
(I
C
= 6.0 ADC ，V
CE
= 3.0伏）
V
CE （ SAT ）
VDC
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
VDC
VDC
动态特性
共发射小信号短路正向的幅度
电流传输比
(I
C
= 5.0 ADC ，V
CE
= 3.0伏， F = 1.0兆赫）
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0 ， F = 0.1兆赫）
|h
fe
|
4.0
—
兆赫
2N6052
2N6058/2N6059
C
ob
h
fe
—
—
500
300
—
pF
—
小信号电流增益
(I
C
= 5.0 ADC ，V
CE
= 3.0伏， F = 1.0千赫）
*表示JEDEC注册的数据。
（ 2 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300
μs,
占空比= 2.0 ％ 。
300
R
B
＆放大器;
C
变化，以获得所需的电流水平
30 V
D
1
必须快速恢复型，如：
1N5825上面使用我
B
≈
百毫安
R
C
范围
MSD6100下使用我
B
≈
百毫安
TUT
V
2
约
+8.0 V
0
V
1
约
8.0 V
t
r
, t
f
≤
10纳秒
占空比= 1.0 ％
51
R
B
D
1
+4.0 V
25
μs
对于T
d
和T
r
, D
1
断开
和V
2
= 0
V
CC
10
5.0
t
s
2.0
t
f
1.0
0.5
t
r
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0
0.2
0.1
0.2
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 250
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
10
20
2N6052
2N6059
≈
5.0 k
≈
50
对于NPN测试电路反向二极管和电压极性。
0.5
1.0
3.0
5.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
图2.开关时间测试电路
图3.开关时间
http://onsemi.com
2
2N6052
R（T ），有效瞬态热
电阻（标准化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
单身
脉冲
0.02
0.03 0.05 0.1
0.2 0.3
0.5
1.0
0.05
0.02
0.01
P
（ PK）
R
θJC
（吨）= R（T ）R
θJC
R
θJC
= 1.17 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
t
1
读取时间AT＆T
1
t
2
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
θ
JC
(t)
占空比D = T
1
/t
2
D = 0.5
0.2
2.0 3.0 5.0
吨，时间（ ms）的
10
20
30
50
100
200 300
500
1000
图4.热响应
有源区的安全工作区
50
0.1毫秒
IC ，集电极电流（ AMP ）
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
10
T
J
= 200°C
二次击穿LIM-
资讯科技教育
键合丝有限公司
散热的限制，
@T
C
= 25°C （单脉冲）
50
IC ，集电极电流（ AMP ）
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5
二次击穿有限公司
20
0.1毫秒
0.5毫秒
1.0毫秒
5.0毫秒
0.5毫秒
1.0毫秒
5.0毫秒
T
J
= 200°C
d
c
100
0.2
0.1
键合丝有限公司
散热的限制，
@T
C
= 25°C （单脉冲）
d
c
50
70
100
50
70
20
30
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
0.05
10
20
30
图5. 2N6058
V
CE
，集电极 - 发射极电压
（伏）
图6. 2N6052 ， 2N6059
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图5，图6和图7的数据是基于T
J（下PK）
= 200_C;
T
C
是可变的取决于条件。二次击穿
脉冲限制的有效期为占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
v
200_C ;牛逼
J（下PK）
可以从图中的数据计算出的
4.在高温情况下，热限制将减少
可处理到值小于所述电源
通过限制二次击穿的罚款。
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3
2N6052
3000
2000
1000
500
500
T
C
= 25°C
V
CE
= 3.0 V
I
C
= 5.0 A
T
J
= 25°C
300
C，电容（pF ）
200
C
ib
C
ob
100
70
50
0.1
2N6052
2N6058/2N6059
0.2
0.5 1.0 2.0
5.0
10 20
V
R
，反向电压（伏）
50
100
的hFE ，小信号电流增益
200
100
50
30
1.0
2.0
5.0
10
20
50 100
男，频率（KHz ）
200
500 1000
2N6052
2N6058/2N6059
图7.小信号电流增益
图8.电容
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4
2N6052
PNP
2N6052
20,000
V
CE
= 3.0 V
10,000
的hFE ， DC电流增益
T
J
= 150°C
5000
3000
2000
1000
500
300
200
0.2 0.3
55
°C
25°C
40,000
20,000
的hFE ， DC电流增益
10,000
6,000
4,000
2,000
1,000
600
400
0.2 0.3
55
°C
25°C
T
J
= 150°C
V
CE
= 3.0 V
NPN
2N6058, 2N6059
0.5
1.0
2.0 3.0
5.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
10
20
0.5
1.0
2.0 3.0 5.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
10
20
图9.直流电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
3.0
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
T
J
= 25°C
3.0
T
J
= 25°C
I
C
= 3.0 A
6.0 A
9.0 A
12 A
2.6
I
C
= 3.0 A
2.2
6.0 A
9.0 A
12 A
2.6
2.2
1.8
1.8
1.4
1.4
1.0
0.5
1.0
2.0 3.0
5.0
10
I
B
，基极电流（毫安）
20 30
50
1.0
0.5
1.0
2.0
3.0
5.0
10
20 30
50
I
B
，基极电流（毫安）
图10.集电极饱和区
3.0
T
J
= 25°C
2.5
V，电压（V ）
V，电压（V ）
3.0
T
J
= 25°C
2.5
2.0
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
V
BE
@ V
CE
= 3.0 V
1.0
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
0.5
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
5.0
10
20
2.0
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
V
BE
@ V
CE
= 3.0 V
1.0
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 250
0.5
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
5.0
10
20
1.5
1.5
I
C
，集电极电流（ AMP ）
I
C
，集电极电流（ AMP ）
图11. “开”电压
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262XR501A
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2SC3940S
282856-7
280515
291C6022F624AB
2SD1032
270T324A501A1A1
2SC4426M
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    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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