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SMD型
NPN硅外延型晶体管
2SD1007
晶体管
特点
高集电极到发射极电压： V
首席执行官
120V.
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲） *
集电极耗散功率
结温
储存温度
* 。 PW
为10ms ，占空比50 ％
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C（ PU ）
P
c
T
j
T
英镑
等级
120
120
5
0.7
1.2
2
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
基极 - 发射极电压*
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益*
集电极 - 发射极饱和电压*
基射极饱和电压*
输出电容
跃迁频率
* 。 PW
350ìs ，占空比2％
符号
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE
Testconditons
V
CE
= 10V ，我
C
= 10毫安
V
CB
= 120V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
V
CE
= 1V ，我
C
= 5.0毫安
V
CE
= 1V ，我
C
= 100毫安
V
CE （ SAT ）
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
V
BE （ SAT ）
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
C
ob
f
T
V
CB
= 10V ，我
E
= 0 ， F = 1.0MHz的
V
CE
= 10V ，我
E
= -10mA
45
90
200
200
0.3
0.9
10
90
400
0.6
1.5
V
V
pF
兆赫
民
550
典型值
620
最大
650
100
100
单位
mV
nA
nA
h
FE
分类
记号
的hFE
HR
90 180
HQ
135 270
HP
200 400
www.kexin.com.cn
1
SMD型
晶体管
IC
产品speci fi cation
2SD1007
特点
高集电极到发射极电压： V
首席执行官
120V.
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲） *
集电极耗散功率
结温
储存温度
* 。 PW
为10ms ，占空比50 ％
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C（ PU ）
P
c
T
j
T
英镑
等级
120
120
5
0.7
1.2
2
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
基极 - 发射极电压*
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益*
集电极 - 发射极饱和电压*
基射极饱和电压*
输出电容
跃迁频率
* 。 PW
350ìs ，占空比2％
符号
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE
Testconditons
V
CE
= 10V ，我
C
= 10毫安
V
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= 120V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
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= 1V ，我
C
= 5.0毫安
V
CE
= 1V ，我
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= 500毫安，我
B
= 50毫安
V
BE （ SAT ）
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= 500毫安，我
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= 50毫安
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V
CB
= 10V ，我
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= 0 ， F = 1.0MHz的
V
CE
= 10V ，我
E
= -10mA
45
90
200
200
0.3
0.9
10
90
400
0.6
1.5
V
V
pF
兆赫
民
550
典型值
620
最大
650
100
100
单位
mV
nA
nA
h
FE
分类
记号
的hFE
HR
90 180
HQ
135 270
HP
200 400
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sales@twtysemi.com
4008-318-123
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    联系人：杨小姐
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