2SC3670
东芝晶体管NPN硅外延式（ PCT程序）
2SC3670
频闪闪光灯应用
中功率放大器的应用
单位：mm
高直流电流增益和优良的
FE
线性
: h
FE （1）
= 140 600 （V
CE
= 1 V，I
C
= 0.5 A)
: h
FE （2）
= 70 （分钟） ， 200 （典型值） （V
CE
= 1 V，I
C
= 2 A)
低饱和电压： V
CE （SAT）
= 0.5 V （最大值）
(I
C
= 2 A，I
B
= 50 mA）的
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
DC
集电极电流
脉冲
（注1 ）
基极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
30
30
10
6
2
5
0.5
1000
150
55
150
A
单位
V
V
V
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-7D101A
A
mW
°C
°C
重量：0.2克（典型值）。
注1 ：脉冲测试：脉冲宽度= 10毫秒（最大值） ，占空比= 30 ％ （最大值）
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
符号
I
CBO
I
EBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE （1）
直流电流增益
（注2 ）
h
FE （2）
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
V
CE （SAT）
V
BE
f
T
C
ob
测试条件
V
CB
= 30 V，I
E
= 0
V
EB
= 6 V，I
C
= 0
I
C
= 10 mA时，我
B
= 0
I
C
= 1毫安，我
C
= 0
V
CE
= 1 V，I
C
= 0.5 A
V
CE
= 1 V，I
C
= 2 A
I
C
= 2 A，I
B
= 50毫安
V
CE
= 1 V，I
C
= 2 A
V
CE
= 1 V，I
C
= 0.5 A
V
CB
= 10 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
民
―
―
10
6
140
70
―
―
―
―
典型值。
―
―
―
―
―
200
0.2
0.86
150
27
最大
100
100
―
―
600
―
0.5
1.5
―
―
V
V
兆赫
pF
单位
nA
nA
V
V
注2 ：小时
FE （1）
分类
答： 140 240 ， B： 200 330 ， C： 300 450 ， D： 420 600
1
2004-07-07
2SC3670
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
030619EAA
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权
东芝或其它。
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等）。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
东芝产品不应被嵌入到禁止要生产的下游产品
现卖，根据任何法律和法规。
4
2004-07-07
QQ：2881677436 复制
