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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SC937
描述
高
击穿电压 -
: V
CBO
= 1200V （最小值）
高
可靠性
应用
·设计
电视水平偏转输出应用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
EBO
发射极 - 基极电压
I
C
集电极电流 - 连续
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
价值
单位
1200
V
500
V
6
V
2.5
A
6
A
22
W
125
℃
I
CP
集电极电流脉冲
P
C
集电极耗散功率
@ T
C
= 25℃
T
J
结温
T
英镑
存储温度范围
-45~125
℃
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
典型值。
2SC937
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安;
BE
=
∞
500
V
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 2.5A ;我
B
= 0.8A
5.0
V
V
BE
（SAT）
基射极饱和电压
I
C
= 2.5A ;我
B
= 0.8A
1.8
V
I
CBX
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 1200V; V
EB
= 1.5V
1
mA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 6V ;我
C
= 0
t
f
下降时间
w
em
cs
。是
w
w
I
C
= 2.5A ，我
B
1
= 0.8A ，我
B
2
= -1.1A;
L
B
= 10μH
.CN
i
0.2
mA
1.2
μs
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
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ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SC937
描述
高
击穿电压 -
: V
CBO
= 1200V （最小值）
高
可靠性
应用
·设计
电视水平偏转输出应用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
价值
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
1200
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
500
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
6
V
I
C
集电极电流 - 连续
2.5
A
I
CP
集电极电流脉冲
6
A
P
C
集电极耗散功率
@ T
C
= 25℃
22
W
T
J
结温
125
℃
T
英镑
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℃
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电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
典型值。
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最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安;
BE
=
∞
500
V
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 2.5A ;我
B
= 0.8A
5.0
V
V
BE
（SAT）
基射极饱和电压
I
C
= 2.5A ;我
B
= 0.8A
1.8
V
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V
CB
= 1200V; V
EB
= 1.5V
1
mA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 6V ;我
C
= 0
I
C
= 2.5A ，我
B
1
= 0.8A ，我
B
2
= -1.1A;
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= 10μH
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2SD1272
2SK3530-01MR
26333
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2SK2312
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