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晶体管
2SD1824
NPN硅外延平面型
对于低频放大
单位：mm
2.1±0.1
s
特点
q
q
q
q
0.425
1.25±0.1
0.425
高盼着电流传输比H
FE
.
低集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
.
高发射基地电压V
EBO
.
S-迷你型封装，设备，允许小型化，
通过带包装盒自动插入
包装。
0.65
1
2.0±0.2
1.3±0.1
0.65
3
2
0.2
(Ta=25C)
评级
100
100
15
50
20
150
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
C
C
0.7±0.1
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
0.9±0.1
0-0.1
0.2±0.1
1 ：基本
2 ：发射器
3 ：收藏家
EIAJ ： SC- 70
S-迷你型包装
标记符号：
1V
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
(Ta=25C)
符号
I
CBO
I
首席执行官
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE *
V
CE （ SAT ）
f
T
条件
V
CB
= 60V ，我
E
= 0
V
CE
= 60V ，我
B
= 0
I
C
= 10μA ，我
E
= 0
I
C
= 1mA时，我
B
= 0
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
V
CE
= 10V ，我
C
= 2毫安
I
C
= 10毫安，我
B
= 1毫安
V
CB
= 10V ，我
E
= -2mA ， F = 200MHz的
100
100
15
400
0.05
90
1200
0.2
V
兆赫
民
典型值
最大
100
1
单位
nA
A
V
V
V
*
h
FE
等级分类
秩
h
FE
标记符号
R
400 ~ 800
1VR
S
600 ~ 1200
1VS
0.15
–0.05
+0.1
0.3
–0
+0.1
1
晶体管
P
C
- TA
240
80
Ta=25C
70
200
50
25C
Ta=75C
40
–25C
2SD1824
I
C
— V
CE
60
V
CE
=10V
I
C
— V
BE
集电极耗散功率P
C
（ mW）的
集电极电流I
C
（MA ）
60
50
40
160
I
B
=100A
80A
60A
50A
40A
30A
120
集电极电流I
C
（MA ）
30
30
20A
20
10A
10
80
20
40
10
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
0
2
4
6
8
10
12
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
100
30
10
3
1
0.3
25C
0.1
–25C
0.03
0.01
0.1
Ta=75C
I
C
/I
B
=10
1800
h
FE
— I
C
200
V
CE
=10V
f
T
— I
E
V
CB
=10V
Ta=25C
正向电流传输比H
FE
1500
Ta=75C
25C
过渡频率f
T
（兆赫）
30
100
160
1200
120
900
–25C
80
600
300
40
0.3
1
3
10
30
100
0
0.1
0.3
1
3
10
0
– 0.1 – 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
发射极电流I
E
（MA ）
C
ob
— V
CB
6
NV - 我
C
I
E
=0
f=1MHz
Ta=25C
100
V
CE
=10V
G
V
=80dB
功能= FLAT
Ta=25C
R
g
=100k
100
NV - V
CE
集电极输出电容C
ob
（PF ）
5
R
g
=100k
噪声电压NV （MV ）
4
60
22k
40
5k
噪声电压NV （MV ）
80
80
60
22k
3
40
2
5k
1
20
20
0
1
3
10
30
100
0
0.01
0
003
0.1
0.3
1
1
3
10
I
C
=1mA
G
V
=80dB
功能= FLAT
Ta=25C
30
100
集电极基极电压V
CB
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
2
SMD型
NPN硅外延平面型
2SD1824
晶体管
特点
高正向电流传输比的hFE
低集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
高发射极 - 基极电压V
EBO
1辐射源
2基地
3收藏家
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
100
100
15
50
20
150
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
I
首席执行官
h
FE
Testconditons
I
C
= 10 μA ，我
E
= 0
I
C
= 1毫安，我
B
= 0
I
E
= 10 μA ，我
C
= 0
V
CB
= 60 V，I
E
= 0
V
CE
= 60 V，I
B
= 0
V
CE
= 10 V，I
C
= 2毫安
400
0.05
90
民
100
100
15
0.1
1
1200
0.2
V
兆赫
典型值
最大
单位
V
V
V
ìA
ìA
V
CE （ SAT ）
I
C
= 10 mA时，我
B
= 1毫安
f
T
V
CB
= 10 V，I
E
= -2 mA时， F = 200 MHz的
h
FE
分类
记号
秩
h
FE
R
400 800
1V
S
600 1200
www.kexin.com.cn
1
SMD型
晶体管
IC
产品speci fi cation
2SD1824
特点
高正向电流传输比的hFE
低集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
高发射极 - 基极电压V
EBO
1辐射源
2基地
3收藏家
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
100
100
15
50
20
150
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
I
首席执行官
h
FE
Testconditons
I
C
= 10 μA ，我
E
= 0
I
C
= 1毫安，我
B
= 0
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E
= 10 μA ，我
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CE
= 60 V，I
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CE
= 10 V，I
C
= 2毫安
400
0.05
90
民
100
100
15
0.1
1
1200
0.2
V
兆赫
典型值
最大
单位
V
V
V
ìA
ìA
V
CE （ SAT ）
I
C
= 10 mA时，我
B
= 1毫安
f
T
V
CB
= 10 V，I
E
= -2 mA时， F = 200 MHz的
h
FE
分类
记号
秩
h
FE
R
400 800
1V
S
600 1200
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1
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推荐型号
242-1293-00-0602
2N3796
25C160T-I/SN
2SA1391T
250B15B501B2NB
2SD1816
259634
2673901301
2SC6046
2SC937
212013-01
2311250002
2N4174
24C65-IP
2SD1272
2SK3530-01MR
26333
25WA3300M18X20
2SK2312
2SK2208
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    2SD1824
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