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2SC6144
三洋半导体
数据表
2SC6144
应用
NPN外延平面硅晶体管
大电流开关应用
继电器驱动器，灯驱动器，电机驱动器。
特点
通过MBIT过程。
高电流容量。
低集电极 - 发射极饱和电压。
高速开关。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
PC
Tj
TSTG
Tc=25°C
条件
评级
60
50
5
10
13
2
2
25
150
--55到150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有，关于产品
"standard application" ，意为用作一般电子设备（家电，影音设备，
通信设备，办公自动化设备，工业设备等）。本文提到的产品不得
意欲用于任何"special application" （医疗设备，其目的是维持生命，航天
仪器，核控制设备，燃烧设备，交通运输设备，交通信号控制系统，安全
设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁到人的生命的情况下，
故障或产品或故障可能导致危害人体组织中，也不得给予任何保证
物。如果您打算使用我们的产品的标准应用之外的应用我们
客户谁是考虑到这样的使用和/或外面的我们的预期标准的应用程序的范围，请
与我们之前的预期用途进行磋商。如果在预定使用之前没有咨询或查询，我们
客户应自行负责使用。
产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定
的性能，特点，以及在独立的状态下所描述的产品的功能，并且不
的性能，特点，以及所述产品的功能，作为安装在保证
客户的产品或设备。要验证的症状，并且不能在一个独立的评估状态
设备，客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的产品或
设备。
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
32608FA TI IM TC- 00001285号A1149-1 / 4
2SC6144
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
ICBO
IEBO
的hFE
fT
COB
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
吨
TSTG
tf
条件
VCB = 40V ， IE = 0A
VEB = 4V ， IC = 0A
VCE = 2V ， IC = 270毫安
VCE = 10V ， IC = 3A
VCB = 10V ， F = 1MHz的
IC = 6A ， IB = 300毫安
IC = 6A ， IB = 300毫安
IC = 100μA ， IE = 0A
IC = 1mA时， RBE = ∞
IE = 100μA ， IC = 0A
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
60
50
5
62
350
25
200
330
60
180
360
1.2
评级
民
典型值
最大
10
10
560
兆赫
pF
mV
V
V
V
V
ns
ns
ns
单位
μA
μA
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7508-002
10.0
3.2
3.5
7.2
4.5
2.8
开关时间测试电路
PW=20μs
D.C.≤1%
输入
VR
IB1
产量
IB2
RB
+
100μF
+
470μF
VCC=20V
RL
18.1
16.0
50Ω
1.6
1.2
0.75
14.0
0.7
VBE = --5V
5.6
IC = 20IB1 = --20IB2 = 5A
1 2 3
2.4
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
三洋： TO- 220ML
2.55
2.55
100m
A
40mA
35mA
10
9
IC - VCE
80
mA
25
mA
mA
60
40mA
35mA
5.0
IC - VCE
A
18m
A
16m
A
2 0m
14mA
30mA
4.5
12mA
集电极电流， IC - 一个
集电极电流， IC - 一个
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
25mA
45
m
A
50mA
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
20mA
10mA
8mA
15mA
10mA
A
30m
6mA
4米一
2米一
IB=0mA
0
0.5
1.0
1.5
2.0
IT13455
5百万
IB=0mA
5
IT13454
0
集电极 - 发射极电压VCE - V
集电极 - 发射极电压VCE - V
第A1149-2 / 4
2SC6144
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
正向偏置S 0
ICP=13A
集电极耗散，电脑 - 含
IC=10A
10
s
1m
2.5
PC - TA
集电极电流， IC - 一个
0m
2.0
μ
s
00
=5
PT
s
DC
ms
n
10
TIO
ERA
op
1.5
No
he
at
1.0
罪
k
0.5
0.01
0.1
Tc=25
°C
单脉冲
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
3
0
5 7 100
IT13464
0
20
40
60
80
100
120
140
160
集电极 - 发射极电压VCE - V
30
环境温度，钽 -
°C
IT13452
PC - 锝
集电极耗散，电脑 - 含
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
外壳温度，TC -
°C
IT13453
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超出的价值产品，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作条件
在产品规格的任何及所有三洋半导体股份有限公司上市范围或其他参数） 。
本文描述或包含的产品。
三洋半导体有限公司。努力为客户提供高品质高可靠性的产品，然而，任何和所有
半导体产品故障或误动作有一定的概率。这是可能的，这些概率的故障或
故障可能会引起事故或事件，危及人的生命，这可能会引起麻烦
烟雾或火灾，事故或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用
安全的措施，确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不
为了保护电路，电路错误预防安全的设计，多余的设计和结构
设计。
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