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晶体管
2SA0720A
(2SA720A)
PNP硅外延平面型
对于低频驱动器放大
补充2SC1318A
特点
高集电极 - 发射极电压(基本开)V
首席执行官
和最适合于低频率的驱动器级25瓦至30
W输出端子放大器
0.7
±0.1
5.0
±0.2
单位:mm
4.0
±0.2
0.7
±0.2
12.9
±0.5
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
发射极 - 基极电压(集电极开路)
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
等级
80
70
5
0.5
1
625
150
55
to
+150
单位
V
V
2.3
±0.2
0.45
+0.15
–0.1
2.5
+0.6
–0.2
1
2 3
5.1
±0.2
0.45
+0.15
–0.1
2.5
+0.6
–0.2
V
A
A
mW
°C
°C
1 :发射器
2 :收藏家
3 :基本
EIAJ : SC- 43A
TO- 92 -B1包装
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
发射极 - 基极电压(集电极开路)
集电极 - 基极截止电流(发射极开路)
正向电流传输比
*1
*1
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
h
FE1 * 2
h
FE2
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
C
ob
条件
I
C
= 10 A,
I
E
=
0
I
C
= 2
妈,我
B
=
0
I
E
= 10 A,
I
C
=
0
V
CB
= 20
V,I
E
=
0
V
CE
= 10
V,I
C
= 150
mA
V
CE
= 10
V,I
C
= 500
mA
I
C
= 300
妈,我
B
= 30
mA
I
C
= 300
妈,我
B
= 30
mA
V
CB
= 10
V,I
E
=
50毫安,女
=
200兆赫
V
CB
= 10
V,I
E
=
0, f
=
1兆赫
80
70
5
典型值
最大
单位
V
V
V
0.1
85
40
0.2
0.85
120
20
30
0.6
1.50
240
A
V
V
兆赫
pF
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
*1
集电极输出电容
(共同的基础,输入开路)
注) 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * 1:脉冲的测算
* 2 :等级分类
h
FE1
Q
85至170
R
120至240
注)括号中的部分数字表示以往的零件号。
出版日期: 2003年3月
SJC00003BED
1
2SA0720A
P
C
T
a
800
1.2
I
C
V
CE
T
a
=
25°C
I
B
= 10
mA
9
mA
I
C
I
B
1.2
V
CE
= 10
V
T
a
=
25°C
集电极耗散功率P
C
( mW)的
1.0
1.0
集电极电流I
C
(A)
0.8
400
0.6
6
mA
5
mA
4
mA
3
mA
2
mA
1
mA
0.4
200
0.2
集电极电流I
C
(A)
600
8
mA
7
mA
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
40
80
120
160
0
0
2
4
6
8
10
0
0
2
4
6
8
10
环境温度T
a
(
°C
)
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
基极电流I
B
(MA )
V
CE ( SAT )
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
10
V
BE ( SAT )
I
C
100
h
FE
I
C
300
V
CE
= 10
V
基射极饱和电压V
BE ( SAT )
(V)
I
C
/ I
B
=
10
I
C
/ I
B
=
10
1
T
a
=
75°C
25°C
25°C
10
正向电流传输比H
FE
250
200
T
a
=
75°C
25°C
25°C
1
T
a
= 25°C
75°C
0.1
150
25°C
100
0.01
0.1
50
0.001
1
10
100
1
000
0.01
1
10
100
1
000
0
1
10
100
1
000
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
f
T
I
E
集电极输出电容
C( pF)的
(共同的基础,输入开路)
ob
200
V
CB
= 10
V
T
a
=
25°C
50
C
ob
V
CB
I
E
=
0
f
=
1兆赫
T
a
=
25°C
I
首席执行官
T
a
10
4
V
CB
= 20
V
过渡频率f
T
(兆赫)
160
40
10
3
30
120
I
CBO
(T
a
)
I
CBO
(T
a
=
25°C)
10
100
10
2
80
20
10
10
40
0
1
10
100
0
1
1
0
40
80
120
160
发射极电流I
E
(MA )
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
环境温度T
a
(
°C
)
2
SJC00003BED
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并在此材料中描述的半导体
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如果在此材料的任何产品或技术的描述和控制下"Foreign
外汇及外贸Law"是要出口或带出日本。
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抽搐和产品的应用电路示例。它既不保证不侵权的好知识
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电子设备(如办公设备,通讯设备,测量仪器
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特殊应用(例如用于飞机,航天,汽车,交通控制设备,
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最新的规格满足您的要求。
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妈妈等级,工作电源电压的范围内,和热辐射特性。其它 -
明智的,我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用,考虑到审议
分解,失效模式,可能的发病发生于半导体产品。措施
在系统上,如冗余设计,火势蔓延或预防干扰的
建议为了防止物理损伤,火灾,社会的损害,例如,通过使用
产品。
(7 )在使用的量防潮包装是必需的产品,观察的条件(包括
保质期的时间,让站在非密封件)同意在规格表后,
单独交流。
( 8 )该材料可不能转载或复制全部或部分,未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2002年七月
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    2SA0720A
    -
    -
    -
    -
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