【\u003c小信号晶体管\u003e2SC6053高电流驱动应用硅NPN外延型描述2SC6053是一】,IC型号2SC6053,2SC6053 PDF资料,2SC6053经销商,ic,电子元器件-51电子网

\u003c小信号晶体管\u003e

2SC6053

高电流驱动应用

硅NPN外延型

描述

2SC6053是一个小型封装树脂密封型硅NPN外延

设计有较高的集电极电流型晶体管，小V

CE （ SAT ）

0.5

2.5

1.5

0.5

外形绘图

Unit：½½

0.95

●超小型封装，易于安装

高集电极电流

= 650毫安

2.9

1.90

特征

①

②

③

●低集电极到发射极饱和电压

VCE

（SAT）

= 0.5V最大

1.1

0.16

应用

小型电机驱动器，继电器驱动器，电源

00.1

端子连接器

内部BASE

② ：辐射源

EIAJ ： SC- 59

JEDEC ： TO- 236相似

最大额定值

（Ta=25℃）

符号

CBO

首席执行官

EBO

--Collector

评级

650

150

＋150

-55＋150

单位

℃

型号名称

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

集电极耗散

结温

储存温度

记号

英镑

0.8

·B F

ＦＥ

项

电气特性

（Ta=25℃）

参数

C至ê击穿电压

C到B击穿电压

E至B击穿电压

收藏家切断电流

发射器切断电流

正向直流电流增益

到E饱和电压

增益带宽积

* ：显示

分类右表。

符号

测试条件

范围

民

典型值

最大

单位

（ BR ） CEO

（ BR ） CBO

（ BR ） EBO

CBO

EBO

CE （ SAT ）

IC=100μA、RBE=∞

IC=10μA、IE=0

IE=10μA、IC=0

VCB=25V、IE=0

VEB=2V、IC=0

VCE=4V、IC=100mA

IC=500mA、IB=25mA

VCE=6V、IE=-10mA

项

的hFE

150

0.3

290

250至500

0.4

μA

---

兆赫

400至800

800

0.5

150至300

谏早电子股份有限公司

\u003c小信号晶体管\u003e

2SC6053

高电流驱动应用

硅NPN外延型

典型特征

集电极耗散VS.

环境温度

250

集电极电流PC（毫瓦）

正向直流电流增益VS.

集电极电流

1000

正向直流电流增益hFE

200

150

100

150

200

环境温度Ta（ ℃ ）

100

Ta=25℃

VCE=4V

100

1000

集电极电流IC （MA ）

共发射极输出（1 ）

800

集电极电流IC （MA ）

IB=9mA

IB=10mA

IB=8mA

IB=7mA

共发射极输出（ 2 ）

400

IB=1.0mA

IB=0.9mA

IB=0.8mA

Ta=25℃

600

IB=6mA

IB=5mA

IB=4mA

IB=3mA

IB=2mA

IB=1mA

300

IB=0.7mA

IB=0.6mA

IB=0.5mA

400

200

IB=0.4mA

IB=0.3mA

IB=0.2mA

200

IB=0mA

100

IB=0.1mA

C TO 电压VCE （ V）

IB=0mA

C TO 电压VCE （ V）

共发射极TRANSFER （ 1 ）

800

集电极电流IC （MA ）

Ta=25℃

VCE=4V

共发射极TRANSFER （ 2 ）

集电极电流IC （MA ）

Ta=25℃

VCE=4V

600

400

200

0.2

0.4

0.6

0.8

B至E电压VBE （ V）

0.2

0.4

0.6

0.8

B至E电压VBE （ V）

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2SC6053

高电流驱动应用

硅NPN外延型

典型特征

增益带宽积VS.

发射极电流

500

400

300

200

100

-1

-10

-100

到E饱和电压VS.

集电极电流

1000

C TO ê饱和电压VCE （SAT）（MV ）

增益带宽积英尺（兆赫）

Ta=25℃

VCE=6V

Ta=25℃

IC/IB=20

100

1000

发射极电流： IE浏览器（毫安）

集电极电流IC （MA ）

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Jan.2003

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