2SC5738
东芝晶体管NPN硅外延型
2SC5738
高速开关应用
DC- DC转换器应用
高直流电流增益：H
FE
= 400 1000 （我
C
= 0.5 A)
低集电极 - 发射极饱和电压： V
CE （SAT）
= 0.15 V（最大值）
高速开关：吨
f
= 90 ns（典型值）。
单位：mm
最大额定值
（大
=
25°C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极电源
耗散
结温
存储温度范围
DC
t
=
10 s
DC
脉冲
符号
V
CBO
V
CEX
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
（注）
T
j
T
英镑
等级
40
30
20
7
3.5
6.0
350
625
1000
150
55
150
单位
V
V
V
V
A
mA
mW
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-3S1A
重量0.01克（典型值）。
注：安装在FR4电路板（环氧玻璃，厚1.6毫米，铜面积：
2
645 mm )
电气特性
（大
=
25°C)
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极输出电容
上升时间
开关时间
贮存时间
下降时间
符号
I
CBO
I
EBO
V
（ BR ） CEO
h
FE
(1)
h
FE
(2)
V
CE （SAT）
V
BE （SAT）
C
ob
t
r
t
英镑
t
f
测试条件
V
CB
=
40 V，I
E
=
0
V
EB
=
7 V，I
C
=
0
I
C
=
10毫安，我
B
=
0
V
CE
=
2 V，I
C
=
0.5 A
V
CE
=
2 V，I
C
=
1.6 A
I
C
=
1.6 A，I
B
=
32毫安
I
C
=
1.6 A，I
B
=
32毫安
V
CB
=
10 V，I
E
=
0, f
=
1兆赫
参见图1 。
V
CC
12 V ，R
L
=
7.5
I
B1
= I
B2
=
53毫安
民
20
400
200
典型值。
18
100
350
90
最大
100
100
1000
0.15
1.10
ns
V
V
pF
单位
nA
nA
V
1
2004-07-01
2SC5738
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
030619EAA
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权
东芝或其它。
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等）。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
东芝产品不应被嵌入到禁止要生产的下游产品
现卖，根据任何法律和法规。
5
2004-07-01
2SC5738
东芝晶体管NPN硅外延型
2SC5738
工业应用
高速开关应用
DC- DC转换器应用
·
·
·
高直流电流增益：H
FE
= 400 1000 （我
C
= 0.5 A)
低集电极 - 发射极饱和电压： V
CE （SAT）
= 0.15 V（最大值）
高速开关：吨
f
= 90 ns（典型值）。
单位：mm
最大额定值
（大
=
25°C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极电源
耗散
结温
存储温度范围
DC
t
=
10 s
DC
脉冲
符号
V
CBO
V
CEX
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
（注）
T
j
T
英镑
等级
40
30
20
7
3.5
6.0
350
625
1000
150
-55
150
单位
V
V
V
V
A
mA
mW
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-3S1A
重量0.01克（典型值）。
注：安装在FR4电路板（环氧玻璃，厚1.6毫米，铜面积：
2
645 mm )
电气特性
（大
=
25°C)
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极输出电容
上升时间
开关时间
贮存时间
下降时间
符号
I
CBO
I
EBO
V
（ BR ） CEO
h
FE
(1)
h
FE
(2)
V
CE （SAT）
V
BE （SAT）
C
ob
t
r
t
英镑
t
f
测试条件
V
CB
=
40 V，I
E
=
0
V
EB
=
7 V，I
C
=
0
I
C
=
10毫安，我
B
=
0
V
CE
=
2 V，I
C
=
0.5 A
V
CE
=
2 V，I
C
=
1.6 A
I
C
=
1.6 A，I
B
=
32毫安
I
C
=
1.6 A，I
B
=
32毫安
V
CB
=
10 V，I
E
=
0, f
=
1兆赫
参见图1电路原理图。
V
CC
~
12 V ，R
L
=
7.5
W
-
I
B1
= -I
B2
=
53毫安
民
20
400
200
典型值。
18
100
350
90
最大
100
100
1000
0.15
1.10
ns
V
V
pF
单位
nA
nA
V
1
2001-12-17
2SC5738
瞬态热阻R
th
– t
w
1000
瞬态热阻
r
th
（ ° C / W）
100
10
曲线应该在热面积有限施加。
单一不重复的脉冲
645 mm
2
)
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Ta
=
25°C
安装在FR4电路板（环氧玻璃，厚1.6毫米，铜面积：
脉冲宽度
t
w
(s)
安全工作区
10
IC MAX （脉冲）
¨
IC MAX（连续）
10
毫秒内
100
毫秒内
1毫秒
10 ms
100毫秒※ *
10 s¨*
(A)
I
C
1
直流操作
*
（大
=
25°C)
¨:
单一不重复的脉冲
Ta
=
25°C
0.1
注意，该曲线为100毫秒*，
10秒* ，直流操作*会
不同的，当设备不在
安装在FR4电路板（玻璃
环氧树脂，1.6毫米厚，铜面积：
2
645毫米） 。这些特征
曲线必须线性降额
温度上升。
0.01
0.1
1
10
集电极电流
最大VCEO
100
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
4
2001-12-17
2SC5738
限制产品使用
000707EAA
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等）。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为
该第三方可能导致其使用的权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式
任何知识产权或东芝或他人的其他权利。
·
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
5
2001-12-17
2SC5738
东芝晶体管NPN硅外延型
2SC5738
工业应用
高速开关应用
DC- DC转换器应用
·
·
·
高直流电流增益：H
FE
= 400 1000 （我
C
= 0.5 A)
低集电极 - 发射极饱和电压： V
CE （SAT）
= 0.15 V（最大值）
高速开关：吨
f
= 90 ns（典型值）。
单位：mm
最大额定值
（大
=
25°C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极电源
耗散
结温
存储温度范围
DC
t
=
10 s
DC
脉冲
符号
V
CBO
V
CEX
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
（注）
T
j
T
英镑
等级
40
30
20
7
3.5
6.0
350
625
1000
150
-55
150
单位
V
V
V
V
A
mA
mW
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-3S1A
重量0.01克（典型值）。
注：安装在FR4电路板（环氧玻璃，厚1.6毫米，铜面积：
2
645 mm )
电气特性
（大
=
25°C)
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极输出电容
上升时间
开关时间
贮存时间
下降时间
符号
I
CBO
I
EBO
V
（ BR ） CEO
h
FE
(1)
h
FE
(2)
V
CE （SAT）
V
BE （SAT）
C
ob
t
r
t
英镑
t
f
测试条件
V
CB
=
40 V，I
E
=
0
V
EB
=
7 V，I
C
=
0
I
C
=
10毫安，我
B
=
0
V
CE
=
2 V，I
C
=
0.5 A
V
CE
=
2 V，I
C
=
1.6 A
I
C
=
1.6 A，I
B
=
32毫安
I
C
=
1.6 A，I
B
=
32毫安
V
CB
=
10 V，I
E
=
0, f
=
1兆赫
参见图1电路原理图。
V
CC
~
12 V ，R
L
=
7.5
W
-
I
B1
= -I
B2
=
53毫安
民
20
400
200
典型值。
18
100
350
90
最大
100
100
1000
0.15
1.10
ns
V
V
pF
单位
nA
nA
V
1
2001-12-17
2SC5738
瞬态热阻R
th
– t
w
1000
瞬态热阻
r
th
（ ° C / W）
100
10
曲线应该在热面积有限施加。
单一不重复的脉冲
645 mm
2
)
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Ta
=
25°C
安装在FR4电路板（环氧玻璃，厚1.6毫米，铜面积：
脉冲宽度
t
w
(s)
安全工作区
10
IC MAX （脉冲）
¨
IC MAX（连续）
10
毫秒内
100
毫秒内
1毫秒
10 ms
100毫秒※ *
10 s¨*
(A)
I
C
1
直流操作
*
（大
=
25°C)
¨:
单一不重复的脉冲
Ta
=
25°C
0.1
注意，该曲线为100毫秒*，
10秒* ，直流操作*会
不同的，当设备不在
安装在FR4电路板（玻璃
环氧树脂，1.6毫米厚，铜面积：
2
645毫米） 。这些特征
曲线必须线性降额
温度上升。
0.01
0.1
1
10
集电极电流
最大VCEO
100
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
4
2001-12-17
2SC5738
限制产品使用
000707EAA
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等）。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为
该第三方可能导致其使用的权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式
任何知识产权或东芝或他人的其他权利。
·
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
5
2001-12-17
QQ：2881677436 复制
