订购数量： EN8556
2SC6013
2SC6013
应用
NPN外延平面硅晶体管
DC / DC转换器应用
继电器驱动器，灯驱动器，电机驱动器，闪存。
特点
通过MBIT过程。
大电流电容。
低集电极 - 发射极饱和电压。
高速开关。
狭窄的hFE范围。
高允许功耗。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
PC
Tj
TSTG
安装在陶瓷基板
Tc=25°C
(250mm
2
!0.8mm)
条件
评级
15
15
6
6
9
600
1.3
3.5
150
--55到150
单位
V
V
V
A
A
mA
W
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
符号
ICBO
IEBO
的hFE
条件
VCB = 12V， IE = 0A
VEB = 4V ， IC = 0A
VCE = 2V ， IC = 500毫安
评级
民
典型值
最大
0.1
0.1
250
400
单位
A
A
标记： QA
接下页。
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
D2005EA MS IM TB- 00001983 No.8556-1 / 4
2SC6013
从接下页。
参数
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
fT
COB
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
吨
TSTG
tf
条件
VCE = 2V ， IC = 500毫安
VCB = 10V ， F = 1MHz的
IC = 1.5A ， IB = 30毫安
IC = 3A ， IB = 60毫安
IC = 1.5A ， IB = 30毫安
IC = 10μA ， IE = 0A
IC = 1mA时， RBE = ∞
IE = 10μA ， IC = 0A
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
15
15
6
30
190
15
评级
民
典型值
380
23
90
135
0.85
135
200
1.2
最大
单位
兆赫
pF
mV
mV
V
V
V
V
ns
ns
ns
包装尺寸
单位：mm
7007-004
顶视图
4.5
1.6
1.5
开关时间测试电路
IB1
IB2
VR
RB
产量
PW=20s
D.C.≤1%
输入
50
RL
+
+
470F
VCC=5V
2.5
1.0
4.0
100F
VBE = --5V
1
0.4
0.5
1.5
2
3
0.4
IC = 20IB1 = --20IB2 = 1.5A
3.0
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
底部视图
三洋： PCP
6
IC - VCE
A
60m
A
5
0m
mA
40
5
IC - VBE
VCE=2V
A
30mA
集电极电流， IC - 一个
20mA
4
5
集电极电流， IC - 一个
80m
4
15mA
10mA
3
3
100
m
A
2
5mA
1
1
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
IB=0mA
0.8
0.9
1.0
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
集电极 - 发射极电压VCE - V
IT09744
基极发射极电压VBE - V
Ta=7
5
°
C
25
°
C
--25
°
C
2
IT09745
No.8556-2/4
2SC6013
4.0
3.5
PC - 锝
集电极耗散，电脑 - 含
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
外壳温度，TC -
°C
IT01536
任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能，
特点，以及在独立国家所描述的产品功能，并且不保证
的性能，特点，以及所述的产品用作安装在客户的
产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个独立的装置来评估，
客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。
三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何和所有
半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的，这些概率的故障可能
事故或事件，危及人的生命，这可能导致冒烟或起火引起，
或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用安全的措施，
确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性
电路，电路错误预防安全设计，多余的设计和结构设计。
在任何或所有SANYO产品（包括技术参数和服务）的事件或描述
此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规控制，
这样的产品在没有从当局取得出口许可证出口
有关在按照上述规律。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段，电子或
机械，包括影印和记录，或任何信息存储或检索系统，
或以其他方式，而不三洋电机有限公司的事先书面许可，
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高，等等。当设计产品时，请参考"Delivery Specification"
为SANYO产品，你打算使用。
本文信息（包括电路图和电路参数）例如仅它不是
为保证批量生产。 SANYO的任何信息都是准确可靠，但
无担保就其使用或知识产权侵犯任何提出或暗示的
第三方或其他权利。
该目录规定的12月， 2005年规范和信息此处如有
更改，恕不另行通知。
PS No.8556-4 / 4
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应用
NPN外延平面硅晶体管
DC / DC转换器应用
继电器驱动器，灯驱动器，电机驱动器，闪存。
特点
通过MBIT过程。
大电流电容。
低集电极 - 发射极饱和电压。
高速开关。
狭窄的hFE范围。
高允许功耗。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
PC
Tj
TSTG
安装在陶瓷基板
Tc=25°C
(250mm
2
!0.8mm)
条件
评级
15
15
6
6
9
600
1.3
3.5
150
--55到150
单位
V
V
V
A
A
mA
W
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
符号
ICBO
IEBO
的hFE
条件
VCB = 12V， IE = 0A
VEB = 4V ， IC = 0A
VCE = 2V ， IC = 500毫安
评级
民
典型值
最大
0.1
0.1
250
400
单位
A
A
标记： QA
接下页。
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
D2005EA MS IM TB- 00001983 No.8556-1 / 4
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从接下页。
参数
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
fT
COB
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
吨
TSTG
tf
条件
VCE = 2V ， IC = 500毫安
VCB = 10V ， F = 1MHz的
IC = 1.5A ， IB = 30毫安
IC = 3A ， IB = 60毫安
IC = 1.5A ， IB = 30毫安
IC = 10μA ， IE = 0A
IC = 1mA时， RBE = ∞
IE = 10μA ， IC = 0A
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
15
15
6
30
190
15
评级
民
典型值
380
23
90
135
0.85
135
200
1.2
最大
单位
兆赫
pF
mV
mV
V
V
V
V
ns
ns
ns
包装尺寸
单位：mm
7007-004
顶视图
4.5
1.6
1.5
开关时间测试电路
IB1
IB2
VR
RB
产量
PW=20s
D.C.≤1%
输入
50
RL
+
+
470F
VCC=5V
2.5
1.0
4.0
100F
VBE = --5V
1
0.4
0.5
1.5
2
3
0.4
IC = 20IB1 = --20IB2 = 1.5A
3.0
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
底部视图
三洋： PCP
6
IC - VCE
A
60m
A
5
0m
mA
40
5
IC - VBE
VCE=2V
A
30mA
集电极电流， IC - 一个
20mA
4
5
集电极电流， IC - 一个
80m
4
15mA
10mA
3
3
100
m
A
2
5mA
1
1
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
IB=0mA
0.8
0.9
1.0
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
集电极 - 发射极电压VCE - V
IT09744
基极发射极电压VBE - V
Ta=7
5
°
C
25
°
C
--25
°
C
2
IT09745
No.8556-2/4
2SC6013
4.0
3.5
PC - 锝
集电极耗散，电脑 - 含
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
外壳温度，TC -
°C
IT01536
任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能，
特点，以及在独立国家所描述的产品功能，并且不保证
的性能，特点，以及所述的产品用作安装在客户的
产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个独立的装置来评估，
客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。
三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何和所有
半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的，这些概率的故障可能
事故或事件，危及人的生命，这可能导致冒烟或起火引起，
或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用安全的措施，
确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性
电路，电路错误预防安全设计，多余的设计和结构设计。
在任何或所有SANYO产品（包括技术参数和服务）的事件或描述
此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规控制，
这样的产品在没有从当局取得出口许可证出口
有关在按照上述规律。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段，电子或
机械，包括影印和记录，或任何信息存储或检索系统，
或以其他方式，而不三洋电机有限公司的事先书面许可，
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高，等等。当设计产品时，请参考"Delivery Specification"
为SANYO产品，你打算使用。
本文信息（包括电路图和电路参数）例如仅它不是
为保证批量生产。 SANYO的任何信息都是准确可靠，但
无担保就其使用或知识产权侵犯任何提出或暗示的
第三方或其他权利。
该目录规定的12月， 2005年规范和信息此处如有
更改，恕不另行通知。
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