功率晶体管
2SC5885
硅NPN三重扩散台面型
水平偏转输出电视机， CRT显示器
9.9
±0.3
3.0
±0.2
单位：mm
4.6
±0.2
2.9
±0.2
I
特点
15.0
±0.3
8.0
±0.2
1.0
±0.1
高击穿电压： V
CBO
≥
1 500 V
广泛的安全工作区
内置自卸车二极管
φ
3.2
±0.1
13.7
+0.5
-0.2
2.0
±0.2
浸焊
I
绝对最大额定值
T
C
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（E -B的短）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
基极电流
集电极电流
峰值集电极电流
*
集电极耗散功率
T
a
=
25°C
结温
储存温度
T
j
T
英镑
符号
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
B
I
C
I
CP
P
C
等级
1 500
1 500
5
3
6
9
30
2
150
55
to
+150
°C
°C
单位
V
V
V
A
A
A
W
0.76
±0.06
1.45
±0.15
1.2
±0.15
4.1
±0.2
1.25
±0.1
2.6
±0.1
0.75
±0.1
2.54
±0.2
5.08
±0.4
0.7
±0.1
7° 1
2
3
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
TO- 220H套餐
标记符号： C5885
内部连接
C
B
E
注）* ：非重复性峰值集电极电流
I
电气特性
T
C
=
25°C
±
3°C
参数
发射极 - 基极电压（集电极开路）
正向电压
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
符号
V
EBO
V
F
I
CBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
t
英镑
t
f
I
F
=
3 A
V
CB
=
1 000 V，I
E
=
0
V
CB
=
1 500 V，I
E
=
0
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
贮存时间
下降时间
V
CE
=
5 V，I
C
=
3 A
I
C
=
3 A，I
B
=
0.75 A
I
C
=
3 A，I
B
=
0.75 A
V
CE
=
10 V，I
C
=
0.1 A，F
=
0.5兆赫
I
C
=
3 A，电阻负载
I
B1
=
0.75 A，I
B2
= 1.5
A
3
5.0
0.5
5
条件
I
E
=
500毫安，我
C
=
0
民
5
2
50
1
10
2.5
1.5
典型值
最大
单位
V
V
A
mA
V
V
兆赫
s
s
注）的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
出版日期： 2004年3月
SJD00312AED
1
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
（ 1）出口许可证需要从日本政府（如果有）的主管当局获得的
下"Foreign交易所在这种材料中描述和控制的产品或技术信息
外贸Law"是要出口或带出日本。
（ 2 ）在本材料中描述的技术信息仅限于展示有代表性的特点和
该产品的应用电路的例子。它既不保证不侵犯知识产权
或拥有本公司或第三方，也没有授予任何许可的任何其他权利。
（ 3 ）我们不为权利所因使用该技术的第三方拥有的侵权责任
在本材料中描述的信息。
（4）在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或一般elec-
TRONIC设备（如办公设备，通讯设备，测量仪器及住户
持设备） 。
提前为下列应用程序的信息，请咨询我们的销售人员：
特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备， combus-
化设备，生命支持系统和安全装置），其中出色的质量和可靠性
必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或损害人类
体。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
（ 5 ）在本材料中描述的产品和产品规格如有变更，恕不另行通知
修改和/或改进。在您的设计，采购，或者使用的产品的最后阶段，
因此，要求最先进的最新产品标准提前，以确保最新的规范
系统蒸发散满足您的要求。
（ 6 ）在设计你的装备，顺应保证值，尤其是最大额定的
荷兰国际集团，工作电源电压，以及热辐射特性的范围内。否则，我们不会
对于可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用，考虑到发病的代价
分解和破坏模式，可能发生对半导体产品。在这样的制度措施
作为冗余设计，阻止火灾或防止毛刺的蔓延，建议为了防止
物理损伤，火灾，社会的损害，例如，通过使用产品。
（7 ）在使用的量防潮包装是必需的产品，观察的条件（包括货架寿命
和时间量，让站在密封的物品）约定，当规格表被单独
交换。
（ 8 ）该材料可不能转载或复制全部或部分，未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2003年九月
功率晶体管
2SC5885
硅NPN三重扩散台面型
水平偏转输出电视机， CRT显示器
9.9
±0.3
3.0
±0.2
单位：mm
4.6
±0.2
2.9
±0.2
I
特点
15.0
±0.3
8.0
±0.2
1.0
±0.1
高击穿电压： V
CBO
≥
1 500 V
广泛的安全工作区
内置自卸车二极管
φ
3.2
±0.1
13.7
+0.5
-0.2
2.0
±0.2
浸焊
I
绝对最大额定值
T
C
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（E -B的短）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
基极电流
集电极电流
峰值集电极电流
*
集电极耗散功率
T
a
=
25°C
结温
储存温度
T
j
T
英镑
符号
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
B
I
C
I
CP
P
C
等级
1 500
1 500
5
3
6
9
30
2
150
55
to
+150
°C
°C
单位
V
V
V
A
A
A
W
0.76
±0.06
1.45
±0.15
1.2
±0.15
4.1
±0.2
1.25
±0.1
2.6
±0.1
0.75
±0.1
2.54
±0.2
5.08
±0.4
0.7
±0.1
7° 1
2
3
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
TO- 220H套餐
标记符号： C5885
内部连接
C
B
E
注）* ：非重复性峰值集电极电流
I
电气特性
T
C
=
25°C
±
3°C
参数
发射极 - 基极电压（集电极开路）
正向电压
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
符号
V
EBO
V
F
I
CBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
t
英镑
t
f
I
F
=
3 A
V
CB
=
1 000 V，I
E
=
0
V
CB
=
1 500 V，I
E
=
0
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
贮存时间
下降时间
V
CE
=
5 V，I
C
=
3 A
I
C
=
3 A，I
B
=
0.75 A
I
C
=
3 A，I
B
=
0.75 A
V
CE
=
10 V，I
C
=
0.1 A，F
=
0.5兆赫
I
C
=
3 A，电阻负载
I
B1
=
0.75 A，I
B2
= 1.5
A
3
5.0
0.5
5
条件
I
E
=
500毫安，我
C
=
0
民
5
2
50
1
10
2.5
1.5
典型值
最大
单位
V
V
A
mA
V
V
兆赫
s
s
注）的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
出版日期： 2004年3月
SJD00312AED
1
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
（ 1）出口许可证需要从日本政府（如果有）的主管当局获得的
下"Foreign交易所在这种材料中描述和控制的产品或技术信息
外贸Law"是要出口或带出日本。
（ 2 ）在本材料中描述的技术信息仅限于展示有代表性的特点和
该产品的应用电路的例子。它既不保证不侵犯知识产权
或拥有本公司或第三方，也没有授予任何许可的任何其他权利。
（ 3 ）我们不为权利所因使用该技术的第三方拥有的侵权责任
在本材料中描述的信息。
（4）在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或一般elec-
TRONIC设备（如办公设备，通讯设备，测量仪器及住户
持设备） 。
提前为下列应用程序的信息，请咨询我们的销售人员：
特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备， combus-
化设备，生命支持系统和安全装置），其中出色的质量和可靠性
必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或损害人类
体。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
（ 5 ）在本材料中描述的产品和产品规格如有变更，恕不另行通知
修改和/或改进。在您的设计，采购，或者使用的产品的最后阶段，
因此，要求最先进的最新产品标准提前，以确保最新的规范
系统蒸发散满足您的要求。
（ 6 ）在设计你的装备，顺应保证值，尤其是最大额定的
荷兰国际集团，工作电源电压，以及热辐射特性的范围内。否则，我们不会
对于可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用，考虑到发病的代价
分解和破坏模式，可能发生对半导体产品。在这样的制度措施
作为冗余设计，阻止火灾或防止毛刺的蔓延，建议为了防止
物理损伤，火灾，社会的损害，例如，通过使用产品。
（7 ）在使用的量防潮包装是必需的产品，观察的条件（包括货架寿命
和时间量，让站在密封的物品）约定，当规格表被单独
交换。
（ 8 ）该材料可不能转载或复制全部或部分，未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2003年九月
QQ：2880707522 复制
