功率晶体管
2SC5926
硅NPN三重扩散平面型
单位：mm
4.2
±0.2
进行功率放大
■
特点
高正向电流传输比H
FE
它具有良好的线性度。
低集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
让供应与径向编带
10.0
±0.2
1.0
±0.2
90
2.5
±0.1
5.0
±0.1
13.0
±0.2
1.2
±0.1
1.48
±0.2
C 1.0
2.25
±0.2
■
绝对最大额定值
T
C
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散功率
T
a
=
25°C
结温
储存温度
T
j
T
英镑
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
等级
80
60
6
3
6
15
2.0
150
55
to
+150
°C
°C
单位
V
V
V
A
A
W
18.0
±0.5
浸焊
0.65
±0.1
0.65
±0.1
0.35
±0.1
1.05
±0.1
0.55
±0.1
2.5
±0.2
2.5
±0.2
1 2 3
0.55
±0.1
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
MT-4 -A1包
内部连接
C
B
E
注）* ：非重复性峰值集电极电流
■
电气特性
T
C
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 发射极电压（基本开）
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
集电极 - 发射极截止电流（基地开）
发射极 - 基极截止电流（集电极开路）
正向电流传输比
*1
符号
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE1 * 2
h
FE2
集电极 - 发射极饱和电压
开启时间
贮存时间
下降时间
V
CE （ SAT ）
t
on
t
英镑
t
f
条件
I
C
= 10 mA时，我
B
= 0
V
CB
=
80 V，I
E
=
0
V
CE
=
40 V，I
B
=
0
V
EB
=
6 V，I
C
=
0
V
CE
=
4 V，I
C
=
0.5 A
V
CE
=
4 V，I
C
=
3 A
I
C
=
1 ，我
B
=
20毫安
I
C
=
1 ，电阻装
I
B1
=
0.1 A，I
B2
=
0.1 A
V
CC
=
50 V
0.2
1.5
0.1
500
100
0.7
V
s
s
s
民
60
100
100
100
2 300
典型值
最大
单位
V
A
A
A
注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * 1 ：脉冲测量
* 2 ：等级分类
秩
h
FE1
Q
500 1 500
P
1 300 2 300
出版日期： 2004年11月
SJD00326AED
1
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并在此材料中描述的半导体
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在本材料中描述的信息。
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TRONIC设备（如办公设备，通讯设备，测量仪器及住户
持设备） 。
提前为下列应用程序的信息，请咨询我们的销售人员：
特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备， combus-
化设备，生命支持系统和安全装置），其中出色的质量和可靠性
必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或损害人类
体。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
（ 5 ）在本材料中描述的产品和产品规格如有变更，恕不另行通知
修改和/或改进。在您的设计，采购，或者使用的产品的最后阶段，
因此，要求最先进的最新产品标准提前，以确保最新的规范
系统蒸发散满足您的要求。
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荷兰国际集团，工作电源电压，以及热辐射特性的范围内。否则，我们不会
对于可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用，考虑到发病的代价
分解和破坏模式，可能发生对半导体产品。在这样的制度措施
作为冗余设计，阻止火灾或防止毛刺的蔓延，建议为了防止
物理损伤，火灾，社会的损害，例如，通过使用产品。
（7 ）在使用的量防潮包装是必需的产品，观察的条件（包括货架寿命
和时间量，让站在密封的物品）约定，当规格表被单独
交换。
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松下电器产业株式会社许可
2003年九月
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