INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
描述
·带
TO- 3封装
.Complement
键入2N6282 /六千二百八十四分之六千二百八十三
高
直流电流增益
达林顿
应用
For
在一般用途的放大器的使用和
低频开关应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
描述
2N6285 2N6286 2N6287
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
集热器
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
固电
IN
导½
半
参数
条件
2N6285
2N6286
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
的HAn
C
ES
G
2N6287
2N6285
2N6286
2N6287
发射极开路
ICO
EM
OR
UCT
ND
价值
-60
-80
-100
-60
-80
-100
单位
V
开基
V
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
集电极开路
-5
-20
-40
-0.5
V
A
A
A
W
℃
℃
T
C
=25℃
160
200
-65~200
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.09
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2N6285 2N6286 2N6287
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
描述
·采用TO-3封装
·补键入2N6282 /六千二百八十四分之六千二百八十三
·高直流电流增益
·
达林顿
应用
·对于通用放大器使用，
低频开关应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
描述
2N6285 2N6286 2N6287
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
集热器
绝对最大额定值（Ta =
)
符号
参数
2N6285
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N6286
2N6287
2N6285
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N6286
2N6287
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
-60
-80
-100
-60
-80
-100
-5
-20
-40
-0.5
160
200
-65~200
V
A
A
A
W
V
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.09
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2N6285 2N6286 2N6287
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
描述
·带
TO- 3封装
.Complement
键入2N6282 /六千二百八十四分之六千二百八十三
高
直流电流增益
达林顿
应用
For
在一般用途的放大器的使用和
低频开关应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
描述
2N6285 2N6286 2N6287
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
集热器
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
参数
2N6285
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N6286
2N6287
2N6285
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N6286
2N6287
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
-60
-80
-100
-60
-80
-100
-5
-20
-40
-0.5
160
200
-65~200
V
A
A
A
W
℃
℃
V
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.09
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2N6285 2N6286 2N6287
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的
3
2N6285
尺寸以毫米（英寸） 。
25.15 (0.99)
26.67 (1.05)
10.67 (0.42)
11.18 (0.44)
1.52 (0.06)
3.43 (0.135)
6.35 (0.25)
9.15 (0.36)
在双极PNP设备
密封TO3
金属包装。
38.61 (1.52)
39.12 (1.54)
0.97 (0.060)
1.10 (0.043)
29.9 (1.177)
30.4 (1.197)
22.23
(0.875)
马克斯。
16.64 (0.655)
17.15 (0.675)
1
2
双极PNP设备。
V
首席执行官
= 60V
3
（案例）
3.84 (0.151)
4.09 (0.161)
7.92 (0.312)
12.70 (0.50)
I
C
= 20A
所有Semelab密封产品
可根据被处理
BS ， CECC和JAN的要求，
JANTX ， JANTXV和JANS规范。
TO3 （ TO204AA ）
引脚配置
1 - 基地
2 - 发射极
案例 - 集电极
参数
V
首席执行官
*
I
C（ CONT ）
h
FE
f
t
P
D
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
60
20
单位
V
A
-
Hz
@ 3/10 (V
CE
/ I
C
)
750
4M
18000
160
W
*最大工作电压
这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表，请联系
sales@semelab.co.uk 。
Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网址：
http://www.semelab.co.uk
产生
31-Jul-02
功率晶体管
TO- 3案（续）
型号
IC
(A)
最大
10
10
10
10
15
15
PD
(W)
125
175
175
175
115
150
160
160
160
125
125
125
117
100
100
100
125
125
125
125
100
100
125
125
175
175
100
120
120
120
150
150
150
BVCBO
(V)
民
110
300
375
450
55
100
60
80
100
500
600
700
50
40
60
80
50
50
70
90
650
850
650
850
650
850
45
60
90
120
350
400
450
BVCEO
(V)
民
100
200
275
350
45
80
60
80
100
250
300
350
40
40
60
80
40
40
60
80
300
400
300
400
300
400
40
60
90
120
300
350
400
的hFE
* TYP
民
20
10
8.0
6.0
20
20
750
750
750
15
15
12
15
最大
100
50
50
50
70
70
@ IC VCE （ SAT ）
(A)
5.0
10
10
10
3.0
5.0
(V)
最大
3.5
1.5
1.5
1.5
4.0
4.0
3.0
3.0
3.0
5.0
5.0
5.0
4.0
3.0
3.0
3.0
3.5
3.5
3.5
3.5
1.0
1.0
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
4.0
4.0
4.0
2.0
2.0
2.0
@ IC
(A)
10
10
10
10
15
15
20
20
20
8.0
8.0
8.0
16
10
10
10
15
15
15
15
3.0
3.0
8.0
5.0
10
10
4.0
15
15
15
8.0
8.0
8.0
NPN
2N6249
2N6250
2N6251
2N6253
2N6254
2N6282
2N6283
2N6284
2N6306
2N6307
2N6308
2N6371
2N6383
2N6384
2N6385
2N6470
2N6471
2N6472
2N6542
2N6543
2N6544
2N6545
2N6546
2N6547
2N6569
2N6576
2N6577
2N6578
2N6671
2N6672
2N6673
PNP
2N6248
fT
* TYP
（兆赫）
民
4.0
2.5
2.5
2.5
4.0
--
4.0
4.0
4.0
5.0
5.0
5.0
4.0
6.0
6.0
6.0
4.0
4.0
4.0
4.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
2.5
6.0
6.0
6.0
15
15
15
2N6285
2N6286
2N6287
20
20
20
8.0
8.0
8.0
15
18,000 10
18,000 10
18,000 10
75
75
60
60
8.0
8.0
8.0
8.0
2N6648
2N6649
2N6650
2N6469
10
10
10
15
15
15
15
5.0
5.0
8.0
8.0
15
15
1,000 20,000 5.0
1,000 20,000 5.0
1,000 20,000 5.0
20
20
20
20
7.0
7.0
7.0
7.0
12
12
15
150
150
150
150
35
35
35
35
60
60
200
5.0
5.0
5.0
5.0
3.0
3.0
5.0
5.0
5.0
5.0
4.0
2N6594
12
15
15
15
8.0
8.0
8.0
2,000 20,000 4.0
2,000 20,000 4.0
2,000 20,000 4.0
10
10
10
40
40
40
--
--
--
阴影部分表示达林顿。
83
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过2N6282 / D
达林顿互补
硅功率晶体管
。 。 。设计用于一般用途的放大器和低频开关的应用
系统蒸发散。
高直流电流增益@ IC = 10位ADC -
的hFE = 2400（典型值） - 2N6282 ， 2N6283 ， 2N6284
的hFE
= 4000 （典型值） - 2N6285 ， 2N6286 ， 2N6287
集电极 - 发射极耐受电压 -
VCEO （SUS ）= 60 VDC （最小） - 2N6282 ， 2N6285
VCEO （ SUS）
= 80伏直流（最小值） - 2N6283 ， 2N6286
VCEO （ SUS）
= 100伏直流（最小值） - 2N6284 ， 2N6287
单片式结构，具有内置基射极分流电阻
*最大额定值
等级
2N6282
THRU
2N6284*
PNP
2N6285
THRU
2N6287*
*摩托罗拉的首选设备
NPN
PD ，功耗（瓦）
符号
VCEO
VCB
VEB
IC
IB
2N6282
2N6285
60
60
2N6283
2N6286
80
80
2N6284
2N6287
100
100
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
5.0
20
40
连续集电极电流 -
PEAK
基极电流
0.5
器件总功耗@ TC = 25
_
C
减免上述25
_
C
工作和存储结
温度范围
PD
160
0.915
瓦
W/
_
C
TJ ， TSTG
- 65至+ 200
达林顿
20安培
补充
硅
功率晶体管
60 ， 80 ， 100伏
160瓦
_
C
*热特性
特征
案例1-07
TO–204AA
(TO–3)
符号
R
θJC
最大
单位
热阻，结到外壳
1.09
_
C / W
*表示JEDEC注册的数据。
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
25
50
100
125
75
150
TC ，外壳温度（ ° C）
175
200
图1.功率降额
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
1
2N6282 2N6284直通2N6285 2N6287直通
*表示JEDEC注册的数据。
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
占空比= 2 ％
*电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
动态特性
基本特征（ 1 ）
开关特性
V1
约
– 12 V
RB & RC变化，以获得所需的电流水平
D1必须快速恢复型例如，
1N5825上面使用IB百毫安
MSD6100下使用IB 100毫安
TUT
RB
V2
约
+ 8.0 V
D1
51
8.0 k
50
0
小信号电流增益
（ IC = 10位ADC ， VCE = 3.0伏， F = 1.0千赫）
输出电容
（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 0.1兆赫）
共发射小信号短路幅度
正向电流传输比
（ IC = 10位ADC ， VCE = 3.0伏， F = 1.0兆赫）
基射极饱和电压
（ IC = 20 ADC ， IB = 200 MADC ）
基射极电压ON
（ IC = 10位ADC ， VCE = 3.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 10位ADC ， IB = 40 MADC ）
（ IC = 20 ADC ， IB = 200 MADC ）
直流电流增益
（ IC = 10位ADC ， VCE = 3.0 V直流）
（ IC = 20 ADC ， VCE = 3.0 V直流）
发射Cuto FF电流
（ VBE = 5.0伏， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE =额定VCB ， VBE （关闭） = 1.5伏）
（ VCE =额定VCB ， VBE （关闭） = 1.5伏， TC = 150
_
C)
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 30 V直流， IB = 0 ）
（ VCE = 40 VDC ， IB = 0 ）
（ VCE = 50伏直流电， IB = 0 ）
集电极 - 发射极耐受电压
（ IC = 0.1 ADC ， IB = 0 ）
2
TR ， TF 10纳秒
占空比= 1.0 ％
图2.开关时间测试电路
25
s
v
+ 4.0 V
对于TD和TR ， D1断开
和V2 = 0
适用于NPN测试电路翻转所有极性
[
[
特征
[
[
VCC
– 30 V
RC
范围
2N6282, 2N6285
2N6283, 2N6286
2N6284, 2N6287
2N6282, 2N6285
2N6283, 2N6286
2N6284, 2N6287
2N6282,83,84
2N6285,86,87
0.3 VCC = 30 V直流
I /I = 250
0.2 C B
IB1 = IB2
TD @ VBE （关闭） = 0 V
TJ = 25°C
0.1
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
0.2 0.3
5.0 7.0 10
IC ，集电极电流（ AMP ）
1.0
0.7
0.5
2.0
3.0
10
7.0
5.0
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
ts
VCEO （ SUS）
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
VBE （ON）的
符号
图3.开关时间
T， TIME （
s)
ICEO
IEBO
ICEX
| HFE |
COB
的hFE
的hFE
tf
民
60
80
100
300
750
100
4.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2N6282 / 84 （ NPN ）
2N6285 / 87 （ PNP ）
tr
18,000
—
最大
400
600
4.0
2.8
2.0
3.0
2.0
0.5
5.0
1.0
1.0
1.0
—
—
—
—
—
MADC
MADC
MADC
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
pF
—
—
20
2N6282 2N6284直通2N6285 2N6287直通
R（T ） ，有效的瞬变
热电阻（标准化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
单脉冲
0.01
0.01
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
0.01
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
R
θJC
（吨）= R（T ）R
θJC
R
θJC
= 1.09 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）R
θJC
(t)
1.0
2.0 3.0 5.0
10
吨，时间或脉冲宽度（毫秒）
20
30
50
P（ PK）
t1
t2
占空比D = T1 / T2
100
200 300
500
1000
图4.热响应
有源区的安全工作区
50
IC ，集电极电流（ AMP ）
IC ，集电极电流（ AMP ）
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
2.0
二次击穿有限公司
键合丝有限公司
散热的限制， @ TC = 25°C
单脉冲
50
0.1毫秒
0.5毫秒
1.0毫秒
5.0毫秒
dc
TJ = 200℃
0.1毫秒
10
5.0
5.0毫秒
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
100
0.05
2.0
二次击穿有限公司
键合丝有限公司
散热的限制， @ TC = 25°C
单脉冲
50
0.1毫秒
IC ，集电极电流（ AMP ）
20
10
5.0
5.0毫秒
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
100
0.05
2.0
二次击穿有限公司
键合丝有限公司
散热的限制， @ TC = 25°C
单脉冲
20
0.5毫秒
1.0毫秒
0.5毫秒
1.0毫秒
dc
TJ = 200℃
dc
TJ = 200℃
5.0
10
20
50
5.0
10
20
50
5.0
10
20
50
100
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
图5. 2N6282 ， 2N6285
图6. 2N6283 ， 2N6286
图7. 2N6284 ， 2N6287
有在电源处理的晶体管的能力，有两个限制：平均结温及第二击穿。
安全工作区曲线表明IC - 必须为可靠的运行必须遵守的晶体管的VCE限制;即晶体管
不能承受较大的功耗比曲线表示。
图5，图6和图7的数据是基于TJ （峰） = 200
_
℃; TC是可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比，以提供10 ％ TJ （ PK ） < 200
_
C. TJ （ pk）的可从数据计算在图4中在高的情况下
的温度下，热限制将减少可处理到的值小于由所施加的限制的功率
二次击穿。
10,000
的hFE ，小信号电流增益
5000
2000
1000
500
200
100
50
20
10
1.0
2.0
2N6282 / 84 （ NPN ）
2N6285 / 87 （ PNP ）
5.0 10
20
50 100
男，频率（KHz ）
200
500 1000
100
0.1 0.2
2N6282 / 84 （ NPN ）
2N6285 / 87 （ PNP ）
0.5
1.0 2.0
5.0
10
20
VR ，反向电压（伏）
50
100
TJ = 25°C
VCE = 3.0伏
IC = 10 A
1000
TJ = 25°C
700
C，电容（pF ）
500
兴业银行
COB
300
200
图8的小信号电流增益
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
图9.电容
3
2N6282 2N6284直通2N6285 2N6287直通
NPN
2N6282, 2N6283, 2N6284
20,000
VCE = 3.0 V
10,000
的hFE ， DC电流增益
的hFE ， DC电流增益
7000
5000
3000
2000
1000
700
500
300
200
TJ = 150℃
10,000
7000
5000
25°C
3000
2000
1000
700
500
300
0.2 0.3
– 55°C
30,000
20,000
PNP
2N6285, 2N6286, 2N6287
VCE = 3.0 V
TJ = 150℃
25°C
– 55°C
0.2 0.3
5.0 7.0 10
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
20
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
IC ，集电极电流（ AMP ）
20
图10.直流电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
3.0
TJ = 25°C
2.6
IC = 5.0
10 A
15 A
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
3.0
TJ = 25°C
2.6
IC = 5.0
2.2
10 A
15 A
2.2
1.8
1.8
1.4
1.4
1.0
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
IB ，基极电流（毫安）
20
30
50
1.0
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
IB ，基极电流（毫安）
20
30
50
图11.集电极饱和区
3.0
TJ = 25°C
V，电压（V ）
V，电压（V ）
2.5
3.0
TJ = 25°C
2.5
2.0
VBE （星期六） @ IC / IB = 250
2.0
1.5
1.5
VBE （星期六） @ IC / IB = 250
VBE @ VCE = 3.0 V
VCE （SAT） @ IC / IB = 250
1.0
VBE @ VCE = 3.0 V
VCE （SAT） @ IC / IB = 250
1.0
0.5
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
0.5
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
IC ，集电极电流（ AMP ）
IC ，集电极电流（ AMP ）
图12. “开”电压
4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
2N6282 2N6284直通2N6285 2N6287直通
NPN
2N6282, 2N6283, 2N6284
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
+ 5.0
+ 4.0
+ 3.0
+ 2.0
+ 1.0
0
– 1.0
– 2.0
– 3.0
– 4.0
– 5.0
0.2 0.3
0.5
0.7 1.0
2.0 3.0
θV
B的VBE
25 ° C至+ 150°C
- 55 °C至+ 25°C
5.0 7.0 10
20
* θVC FOR VCE （SAT）
- 55 °C至+ 25°C
*适用于IC / IB
≤
的hFE @ VCE
250
PNP
2N6285, 2N6286, 2N6287
+ 5.0
+ 4.0
+ 3.0
+ 2.0
+ 1.0
0
– 1.0
– 2.0
– 3.0
– 4.0
– 5.0
0.2 0.3
0.5
0.7 1.0
2.0
3.0
θV
B的VBE
25 ° C至+ 150°C
- 55 °C至+ 25°C
5.0 7.0 10
20
* θVC FOR VCE （SAT）
*适用于IC / IB
≤
的hFE @ VCE
250
+
3.0 V
+
3.0 V
25 ℃150 ℃的
25 ℃150 ℃的
- 55 °C至+ 25°C
IC ，集电极电流（ AMP ）
IC ，集电极电流（ AMP ）
图13.温度系数
105
IC ，集电极电流（
A)
IC ，集电极电流（
A)
104
103
TJ = 150℃
102
100°C
101
反向
100
25°C
10–1
– 0.6 – 0.4
– 0.2
0
+ 0.2 + 0.4 + 0.6 + 0.8
+ 1.0 + 1.2 + 1.4
前锋
VCE = 30 V
103
102
101
100
10–1
反向
10–2
10–3
+ 0.6 + 0.4
25°C
前锋
100°C
VCE = 30 V
TJ = 150℃
+ 0.2
0
– 0.2 – 0.4
– 0.6 – 0.8
– 1.0 – 1.2 – 1.4
VBE ，基极发射极电压（伏）
VBE ，基极发射极电压（伏）
图14.集电极截止区
NPN
2N6282
2N6283
2N6284
集热器
PNP
2N6285
2N6286
2N6287
集热器
BASE
BASE
[
8.0 k
[
60
辐射源
[
8.0 k
[
60
辐射源
图15.达林顿示意图
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
5
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