〈トランジスタ〉
開発中(暫定)
概要
2SC5882は超小½外½樹脂封止½シリコンNPNエピタキ
シァル½トランジスタで、独自の高周波プロセスを½用するこ
とにより、極めて高い½T,½いNFを実現しています。
また、超薄型(0.45mm)フラットリードタイプパッケージのた
め、セットの小型化、高密度実装が可½となります。
2SC5882
高周波増幅用
シリコンNPNエピタキシァル½
本品種は開発中につき後日変更する場合があります。
外½図
単½:mm
0.2
0.8
0.2
特長
超薄型(0.45mm)フラットリードタイプパッケージのため、
セットの小型化、高密度実装が可½。
½Tが高い。½T=4.5GHz標準。
½雑音,高利得。
½電圧での動½が可½。
1
2
3
用途
电视チューナー,通信机,携帯电话等
最大定格( TA = 25 ℃ )
記号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
1
2
3
項目
コレクタベス間電圧
コレクタエミッタ間電圧
エミッタベス間電圧
コレクタ電流
コレクタ損失
接合部温度
保存温度
定格値
20
12
3
50
80
+125
-55+125
単½
V
V
V
mA
mW
℃
℃
電極接続
: ベス
: エミッタ
: コレクタ
EIJA :
P
C
T
j
T
英镑
●最大定格( TA = 25 ℃ )
記号
I
I
CBO
EBO
項目
コレクタしゃ断電流
エミッタしゃ断電流
直流電流増幅率
利得帯域幅積
コレクタ出力容量
順方向伝達利得
雑音指数
測定条件
最小
特性値
標準
最大
単½
1.0
1.0
μA
μA
GHz的
pF
dB
dB
V
CB
= 10V ,我
E
=0mA
V
EB
= 1V ,我
C
=0mA
V
CE
= 5V ,我
C
=20mA
V
CE
= 5V ,我
E
=20mA
V
CB
= 5V ,我
E
= 0毫安, F = 1MHz的
V
CE
= 5V ,我
C
= 20mA时, F = 1GHz的
V
CE
= 5V ,我
C
= 5毫安中,f = 1GHz的
7.5
50
4.5
1.0
9.0
1.5
h
FE
f
T
C
ob
½S
21
½
2
NF
250
営業本部営業企画部
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〒854-0065
長崎県諌早市津久葉町
6-41
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2002
年
11
月½成