2SA1036
公司Bauelemente
PNP硅
通用晶体管
的" - C"后缀指定卤素&无铅
SOT-23
3
集热器
暗淡
A
B
C
D
G
民
2.800
1.200
0.890
0.370
1.780
0.013
0.085
0.450
0.890
2.100
0.450
最大
3.040
1.400
1.110
0.500
2.040
0.100
0.177
0.600
1.020
2.500
0.600
特点
。大我
C
, I
C
最大
.=-500mA
1
2
A
L
3
3
1
BASE
2
B·S
2
。低V
CE （ SAT ）
，适用于低电压操作
。小包装。
V
顶视图
1
辐射源
H
J
K
L
S
G
C
。符合RoHS产品
H
V
K
J
（最大
额定值* T
A
=25℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
T
J
, T
英镑
D
单位：mm外形尺寸
参数
价值
-40
-32
-5
-500
150
-55~125
单位
V
V
V
mA
mW
℃
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
器件总功耗
结温和存储温度
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能
受损。
电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃ ，除非
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
TEST
否则
特定网络版）
民
-40
-32
-5
-1
-1
82
390
-0.4
200
7
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
uA
uA
条件
IC = -100u A，I
E
=0
Ic=-1mA,I
B
=0
I
E
= -100 ü A，I
C
=0
V
CB
=-20V,I
E
=0
V
EB
=-4V,I
C
=0
V
CE
=-3V,I
C
=-10mA
I
C
=-100mA,I
B
=-10mA
V
CE
=-5V,I
C
=-20mA,f=100MHz
V
CB
=-10V,I
E
=0,f=1MHz
分类
秩
范围
记号
h
FE
P
82-180
HP
Q
120-270
HQ
R
180-390
HR
http://www.SeCoSGmbH.com
的说明书中的任何改变将不被通知个人
01君2002年修订版A
第1页2
2SA1 036
晶体管（ PNP ）
特点
大我
C
.
ICMAX
。 = -500毫安
低V
CE （ SAT ）
。非常适用于低电压操作。
SOT-23
1.基地
2.辐射源
标记： HP ， HQ ， HR
最大额定值（T
A
= 25℃除非另有说明）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
价值
-40
-32
-5
-500
200
150
-55-150
单位
V
V
V
mA
mW
℃
℃
3.收集
电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
TEST
条件
民
-40
-32
-5
-1
-1
82
390
-0.4
200
7
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
I
C
=-100μA,I
E
=0
I
C
=-1mA,I
B
=0
I
E
=-100μA,I
C
=0
V
CB
=-20V,I
E
=0
V
EB
=-4V,I
C
=0
V
CE
=-3V,I
C
=-10mA
I
C
=-100mA,I
B
=-10mA
V
CE
=-5V,I
C
=-20mA,f=100MHz
V
CB
=-10V,I
E
=0,f=1MHz
分类
秩
范围
h
FE
P
82 - 180
Q
120 - 270
R
180 - 390
１
金隅
半导体
www.htsemi.com
Ｄ½½½：２０１１／０５
2SA1036
公司Bauelemente
-0.5A ， -40V
PNP硅通用晶体管
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素和无铅
特点
I
C
最大= -500毫安
低V
CE （ SAT ）
。非常适用于低电压操作。
A
L
3
SOT-23
3
分类h及
FE
产品等级
范围
记号
2SA1036-P
82~180
HP
2SA1036-Q
120~270
HQ
2SA1036-R
180~390
HR
F
1
顶视图
2
C B
1
2
K
E
D
G
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
2.80
3.04
2.10
2.55
1.20
1.40
0.89
1.15
1.78
2.04
0.30
0.50
H
REF 。
G
H
J
K
L
J
毫米
分钟。
马克斯。
0.09
0.18
0.45
0.60
0.08
0.177
0.6 REF 。
0.89
1.02
包装信息
包
SOT-23
MPQ
3K
LeaderSize
7'寸
集热器
3
1
BASE
2
辐射源
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
收藏家Currrent
总功耗
结&储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
T
J
, T
英镑
评级
-40
-32
-5
-500
150
150, -55 ~ 150
单位
V
V
V
mA
mW
℃
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
C
OB
分钟。
-40
-32
-5
-
-
-
82
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
200
7
马克斯。
-
-
-
-1
-1
-0.4
390
-
-
单位
V
V
V
μA
μA
V
测试条件
I
C
= -100μA ，我
E
=0
I
C
= -1mA ，我
B
=0
I
E
= -100μA ，我
C
=0
V
CB
= -20V ，我
E
=0
V
EB
= -4V ，我
C
=0
I
C
= -100mA ，我
B
=-10mA
V
CE
= -3V ，我
C
=-10mA
兆赫
pF
V
CE
= -5V ，我
C
= -20mA ， F = 100MHz的
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
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规范的任何更改将不个别通知。
31日-12月2010版本B
第1页2
2SA1036
公司Bauelemente
-0.5A ， -40V
PNP硅通用晶体管
特性曲线
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规范的任何更改将不个别通知。
31日-12月2010版本B
第2页2
2SA1 036
晶体管（ PNP ）
特点
大我
C
.
ICMAX
。 = -500毫安
低V
CE （ SAT ）
。非常适用于低电压操作。
SOT-23
1.基地
2.辐射源
标记： HP ， HQ ， HR
最大额定值（T
A
= 25℃除非另有说明）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
价值
-40
-32
-5
-500
200
150
-55-150
单位
V
V
V
mA
mW
℃
℃
3.收集
电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
TEST
条件
民
-40
-32
-5
-1
-1
82
390
-0.4
200
7
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
I
C
=-100μA,I
E
=0
I
C
=-1mA,I
B
=0
I
E
=-100μA,I
C
=0
V
CB
=-20V,I
E
=0
V
EB
=-4V,I
C
=0
V
CE
=-3V,I
C
=-10mA
I
C
=-100mA,I
B
=-10mA
V
CE
=-5V,I
C
=-20mA,f=100MHz
V
CB
=-10V,I
E
=0,f=1MHz
分类
秩
范围
h
FE
P
82 - 180
Q
120 - 270
R
180 - 390
１
金隅
半导体
www.htsemi.com
Ｄ½½½：２０１１／０５
QQ：2880707522 复制
