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功率晶体管
2SC5841
NPN硅外延平面型
单位:mm
4.2
±0.2
电源音频&视觉设备
如电视机和录像机
工业设备,如DC -DC转换器
特点
高速开关(T
英镑
:存放时间/吨
f
:秋季时间短)
低集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
卓越的正向电流传输比H
FE
线性
让供应与径向编带( MT- 4 )
18.0
±0.5
浸焊
10.0
±0.2
1.0
±0.2
5.0
±0.1
13.0
±0.2
2.5
±0.1
1.2
±0.1
1.48
±0.2
90
C 1.0
2.25
±0.2
0.65
±0.1
0.65
±0.1
0.35
±0.1
1.05
±0.1
0.55
±0.1
2.5
±0.2
2.5
±0.2
1 2 3
0.55
±0.1
绝对最大额定值
T
C
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
发射极 - 基极电压(集电极开路)
集电极电流
峰值集电极电流
集电极电源
耗散
结温
储存温度
T
C
=
25°C
T
a
=
25°C
T
j
T
英镑
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
等级
80
80
5
3
5
15
2
150
55
to
+150
°C
°C
单位
V
V
V
A
A
W
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
MT-4 -A1包
标记符号: C5841
内部连接
C
B
E
电气特性
T
C
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 发射极电压(基本开)
集电极 - 基极截止电流(发射极开路)
集电极 - 发射极截止电流(基地开)
正向电流传输比
符号
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
h
FE1
h
FE2
h
FE3
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
V
CE ( SAT )
f
T
t
on
t
英镑
t
f
条件
I
C
=
10毫安,我
B
=
0
V
CB
=
80 V,I
E
=
0
V
CE
=
80 V,I
B
=
0
V
CE
=
4 V,I
C
=
0.2 A
V
CE
=
4 V,I
C
=
1 A
V
CE
=
4 V,I
C
=
3 A
I
C
=
3 A,I
B
=
375毫安
V
CE
=
10 V,I
C
=
0.1 A,F
=
10兆赫
I
C
=
1 ,电阻装
I
B1
=
0.1 A,I
B2
=
0.1 A
V
CC
=
50 V
100
0.2
0.9
0.15
50
80
20
0.7
V
兆赫
s
s
s
280
80
100
100
典型值
最大
单位
V
A
A
注)的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
出版日期: 2002年11月
SJD00298AED
1
2SC5841
P
C
T
a
35
100
安全工作区
非重复脉冲
T
C
=
25C
(1) T
C
=
T
a
(2)不带散热片
10
I
CP
I
C
1
10毫秒
集电极耗散功率P
C
(W)
30
25
20
15
10
5
0
(1)
集电极电流I
C
(A)
t
=
1毫秒
0.1
t
=
1s
(2)
0.01
0
20
40
60
80 100 120 140 160
1
10
100
1 000
环境温度T
a
(°C)
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
R
th
t
1 000
无散热片
T
a
=
25°C
热阻R
th
( ° C / W)
100
10
1
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1 000
时间t (S )
2
SJD00298AED
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
( 1)出口许可证需要从日本政府主管部门获得的
如果在此材料的任何产品或技术的描述和控制下"Foreign
外汇及外贸Law"是要出口或带出日本。
( 2 )在本材料中描述的技术信息仅限于展示代表characteris-
抽搐和产品的应用电路示例。它既不保证不侵权的好知识
识产权权利或本公司或第三方,也不授予任何许可拥有的任何其他权利。
( 3 )我们不为权利所产生出使用的第三方拥有的侵权责任
产品或如在本材料中描述的技术。
(4)在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或一般
电子设备(如办公设备,通讯设备,测量仪器
ments和家用电器) 。
提前为下列应用程序的信息,请咨询我们的销售人员:
特殊应用(例如用于飞机,航天,汽车,交通控制设备,
燃烧设备,生命支持系统和安全装置),其中卓越的品质和
可靠性是必需的,或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或
对人体的危害。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
( 5 )在本材料中描述的产品和产品规格如有变更,恕不
通知进行修改和/或改进。在您的设计,采购,或使用的最后阶段
的产品,因此,要求的最先进的最新产品标准提前,以确保
最新的规格满足您的要求。
( 6 )在设计你的装备,符合保障的价值,特别是对马克西 -
妈妈等级,工作电源电压的范围内,和热辐射特性。其它 -
明智的,我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用,考虑到审议
分解,失效模式,可能的发病发生于半导体产品。措施
在系统上,如冗余设计,火势蔓延或预防干扰的
建议为了防止物理损伤,火灾,社会的损害,例如,通过使用
产品。
(7 )在使用的量防潮包装是必需的产品,观察的条件(包括
保质期的时间,让站在非密封件)同意在规格表后,
单独交流。
( 8 )该材料可不能转载或复制全部或部分,未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2002年七月
功率晶体管
2SC5841
NPN硅外延平面型
单位:mm
4.2
±0.2
电源音频&视觉设备
如电视机和录像机
工业设备,如DC -DC转换器
特点
高速开关(T
英镑
:存放时间/吨
f
:秋季时间短)
低集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
卓越的正向电流传输比H
FE
线性
让供应与径向编带( MT- 4 )
18.0
±0.5
浸焊
10.0
±0.2
1.0
±0.2
5.0
±0.1
13.0
±0.2
2.5
±0.1
1.2
±0.1
1.48
±0.2
90
C 1.0
2.25
±0.2
0.65
±0.1
0.65
±0.1
0.35
±0.1
1.05
±0.1
0.55
±0.1
2.5
±0.2
2.5
±0.2
1 2 3
0.55
±0.1
绝对最大额定值
T
C
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
发射极 - 基极电压(集电极开路)
集电极电流
峰值集电极电流
集电极电源
耗散
结温
储存温度
T
C
=
25°C
T
a
=
25°C
T
j
T
英镑
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
等级
80
80
5
3
5
15
2
150
55
to
+150
°C
°C
单位
V
V
V
A
A
W
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
MT-4 -A1包
标记符号: C5841
内部连接
C
B
E
电气特性
T
C
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 发射极电压(基本开)
集电极 - 基极截止电流(发射极开路)
集电极 - 发射极截止电流(基地开)
正向电流传输比
符号
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
h
FE1
h
FE2
h
FE3
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
V
CE ( SAT )
f
T
t
on
t
英镑
t
f
条件
I
C
=
10毫安,我
B
=
0
V
CB
=
80 V,I
E
=
0
V
CE
=
80 V,I
B
=
0
V
CE
=
4 V,I
C
=
0.2 A
V
CE
=
4 V,I
C
=
1 A
V
CE
=
4 V,I
C
=
3 A
I
C
=
3 A,I
B
=
375毫安
V
CE
=
10 V,I
C
=
0.1 A,F
=
10兆赫
I
C
=
1 ,电阻装
I
B1
=
0.1 A,I
B2
=
0.1 A
V
CC
=
50 V
100
0.2
0.9
0.15
50
80
20
0.7
V
兆赫
s
s
s
280
80
100
100
典型值
最大
单位
V
A
A
注)的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
出版日期: 2002年11月
SJD00298AED
1
2SC5841
P
C
T
a
35
100
安全工作区
非重复脉冲
T
C
=
25C
(1) T
C
=
T
a
(2)不带散热片
10
I
CP
I
C
1
10毫秒
集电极耗散功率P
C
(W)
30
25
20
15
10
5
0
(1)
集电极电流I
C
(A)
t
=
1毫秒
0.1
t
=
1s
(2)
0.01
0
20
40
60
80 100 120 140 160
1
10
100
1 000
环境温度T
a
(°C)
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
R
th
t
1 000
无散热片
T
a
=
25°C
热阻R
th
( ° C / W)
100
10
1
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1 000
时间t (S )
2
SJD00298AED
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
( 1)出口许可证需要从日本政府主管部门获得的
如果在此材料的任何产品或技术的描述和控制下"Foreign
外汇及外贸Law"是要出口或带出日本。
( 2 )在本材料中描述的技术信息仅限于展示代表characteris-
抽搐和产品的应用电路示例。它既不保证不侵权的好知识
识产权权利或本公司或第三方,也不授予任何许可拥有的任何其他权利。
( 3 )我们不为权利所产生出使用的第三方拥有的侵权责任
产品或如在本材料中描述的技术。
(4)在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或一般
电子设备(如办公设备,通讯设备,测量仪器
ments和家用电器) 。
提前为下列应用程序的信息,请咨询我们的销售人员:
特殊应用(例如用于飞机,航天,汽车,交通控制设备,
燃烧设备,生命支持系统和安全装置),其中卓越的品质和
可靠性是必需的,或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或
对人体的危害。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
( 5 )在本材料中描述的产品和产品规格如有变更,恕不
通知进行修改和/或改进。在您的设计,采购,或使用的最后阶段
的产品,因此,要求的最先进的最新产品标准提前,以确保
最新的规格满足您的要求。
( 6 )在设计你的装备,符合保障的价值,特别是对马克西 -
妈妈等级,工作电源电压的范围内,和热辐射特性。其它 -
明智的,我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用,考虑到审议
分解,失效模式,可能的发病发生于半导体产品。措施
在系统上,如冗余设计,火势蔓延或预防干扰的
建议为了防止物理损伤,火灾,社会的损害,例如,通过使用
产品。
(7 )在使用的量防潮包装是必需的产品,观察的条件(包括
保质期的时间,让站在非密封件)同意在规格表后,
单独交流。
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
2SC5841
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