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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
2SB1018A
描述
ULOW
集电极饱和电压 -
: V
CE （ SAT ）
= -0.5V(Max)@I
C
= -4A
高
目前的能力 - 我
C
= -7A
.Complement
到类型2SD1411A
应用
高
电流开关应用。
“权力
放大器应用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
价值
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
-100
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
-80
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
-5
V
I
C
集电极电流连续
-7
A
I
B
B
基极电流连续
集电极耗散功率
@ T
a
=25℃
-1
A
2
W
P
C
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
T
J
结温
30
150
℃
T
英镑
存储温度范围
-55~150
℃
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
2SB1018A
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -50mA ;我
B
= 0
-80
V
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -4A ;我
B
= -0.4A
B
-0.5
V
V
BE
（SAT）
I
CBO
基射极饱和电压
I
C
= -4A ;我
B
= -0.4A
B
-1.4
V
μA
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= -100V ;我
E
= 0
-5
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= -5V ;我
C
= 0
-5
μA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= -1A ; V
CE
= -1V
70
240
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= -4A ; V
CE
= -1V
30
C
OB
输出电容
I
E
= 0; V
CB
= -10V ; F = 1MHz的
250
pF
f
T
电流增益带宽积
I
C
= -1A ; V
CE
= -4V
10
兆赫
开关时间
μs
t
on
开启时间
I
C
= -3.0A ，我
B1
= -I
B2
= -0.3A,
V
CC
= -30V ;
L
= 10Ω
0.4
t
英镑
贮存时间
2.5
μs
t
f
下降时间
0.5
μs
h
FE-1
分类
O
70-140
Y
120-240
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB521
描述
·采用TO- 220封装
·低集电极饱和电压
应用
·高电流开关应用
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
Fig.1简化外形（ TO- 220 ）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-60
-60
-8
-5
43
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= -10mA ，我
B
=0
I
E
= -1mA ，我
C
=0
I
C
= -3A ;我
B
=-0.15A
I
C
= -3A ;我
B
=-0.15A
V
CB
= -50V ;我
E
=0
V
EB
= -8V ;我
C
=0
I
C
= -2.5A ; V
CE
=-2V
I
C
= -0.2A ; V
CE
=-5V
50
7
民
-60
-8
2SB521
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
典型值。
最大
单位
V
V
-0.4
-1.2
-1
-1
V
V
A
A
兆赫
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB521
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
2SB1018A
描述
ULOW
集电极饱和电压 -
: V
CE （ SAT ）
= -0.5V(Max)@I
C
= -4A
高
目前的能力 - 我
C
= -7A
.Complement
到类型2SD1411A
应用
高
电流开关应用。
“权力
放大器应用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
EBO
发射极 - 基极电压
I
C
集电极电流连续
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
价值
单位
-100
V
-80
V
-5
V
-7
A
-1
A
2
W
30
I
B
B
基极电流连续
集电极耗散功率
@ T
a
=25℃
P
C
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
T
J
结温
150
℃
T
英镑
存储温度范围
-55~150
℃
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
2SB1018A
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -50mA ;我
B
= 0
-80
V
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -4A ;我
B
= -0.4A
B
-0.5
V
V
BE
（SAT）
I
CBO
基射极饱和电压
I
C
= -4A ;我
B
= -0.4A
B
-1.4
V
μA
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= -100V ;我
E
= 0
-5
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= -5V ;我
C
= 0
-5
μA
h
FE-1
直流电流增益
h
FE-2
直流电流增益
C
OB
输出电容
f
T
电流增益带宽积
开关时间
t
on
开启时间
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
I
C
= -1A ; V
CE
= -1V
70
I
C
= -4A ; V
CE
= -1V
30
I
E
= 0; V
CB
= -10V ; F = 1MHz的
I
C
= -1A ; V
CE
= -4V
I
C
= -3.0A ，我
B1
= -I
B2
= -0.3A,
V
CC
= -30V ;
L
= 10Ω
240
250
pF
10
兆赫
0.4
μs
t
英镑
贮存时间
2.5
μs
t
f
下降时间
0.5
μs
h
FE-1
分类
O
70-140
Y
120-240
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2
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27HC256-70I/J
22-28-6233
21302.5
2964694
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27275
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