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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第98页 > 2SC5737-T1
数据表
NPN硅晶体管RF
2SC5737
NPN硅射频晶体管
HIGH-高频低噪声
扁平引脚3引脚薄型超超Minimold
特点
低电压工作，低相位失真
理想的VCO应用
扁平引线3针薄型超超minimold包
订购信息
产品型号
2SC5737
2SC5737-T1
QUANTITY
50个（非卷轴）
3千件/卷
供给方式
8毫米宽压纹带卷
引脚3（集电极）面对带的穿孔侧
备注
如需订购样品评价，咨询公司销售代表。
样本股数量为50个。
绝对最大额定值（T
A
= +25°C)
°
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
记
评级
5
3
2
30
90
150
65
+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
T
j
T
英镑
2
记
安装在1.08厘米
×
1.0毫米（t）的玻璃环氧基板
由于这款产品采用高频技术，避免过多的静电，等等。
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件P15438EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期2001年5月NS CP （ K）
日本印刷
2001
2SC5737
电气特性（T
A
= +25°C)
°
参数
DC特性
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
射频特性
增益带宽积
插入功率增益
噪声系数
反向传输电容
f
T
S
21e
2
NF
C
re
注2
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
I
CBO
I
EBO
h
FE
注1
V
CB
= 5 V，I
E
= 0毫安
V
BE
= 1 V，I
C
= 0毫安
V
CE
= 1 V，I
C
= 10毫安
–
–
70
–
–
–
100
100
140
nA
nA
–
V
CE
= 1 V，I
C
= 10 mA时， F = 2 GHz的
V
CE
= 1 V，I
C
= 10 mA时， F = 2 GHz的
V
CE
= 1 V，I
C
= 3毫安， F = 2 GHz时，
Z
S
= Z
选择
V
CB
= 0.5 V，I
E
= 0 mA时， F = 1兆赫
10.0
7.0
–
–
12.0
9.0
1.5
0.4
–
–
2.0
0.8
GHz的
dB
dB
pF
注意事项1 。
脉搏测量： PW
≤
350
S，占空比
≤
2%
2.
用电容表（自动平衡电桥法）时，集电极基极电容测量
发射极连接到防护销
h
FE
分类
秩
记号
h
FE
价值
FB
UD
70至140
2
数据表P15438EJ1V0DS
2SC5737
典型特征（除另有规定外，T
A
= +25°C)
°
总功耗
- 环境温度
总功耗P
合计
（ mW）的
反向传输电容
与集电极 - 基极电压
反向传输电容C
re
（PF ）
300
250
200
150
100
90
50
安装在玻璃环氧树脂板
（ 1.08厘米
2
×
1.0毫米（ t））的
1.0
F = 1 MHz的
0.8
0.6
0.4
0.2
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
环境温度T
A
(C)
集电极基极电压V
CB
(V)
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
30
V
CE
= 1 V
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
30
V
CE
= 2 V
20
20
10
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
基极至发射极电压V
BE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
集电极电流主场迎战
集电极到发射极电压
35
30
集电极电流I
C
（MA ）
300
A
270
A
240
A
210
A
180
A
150
A
120
A
90
A
60
A
I
B
= 30
A
25
20
15
10
5
0
1
2
3
4
集电极到发射极电压V
CE
(V)
数据表P15438EJ1V0DS
3
2SC5737
直流电流增益主场迎战
集电极电流
1 000
V
CE
= 1 V
1 000
V
CE
= 2 V
直流电流增益主场迎战
集电极电流
直流电流增益
FE
100
直流电流增益
FE
1
10
100
100
10
0.1
10
0.1
1
10
100
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
4
数据表P15438EJ1V0DS
2SC5737
增益带宽积
与集电极电流
14
增益带宽乘积F
T
（千兆赫）
增益带宽乘积F
T
（千兆赫）
增益带宽积
与集电极电流
14
12
10
8
6
4
2
0
1
10
集电极电流I
C
（MA ）
100
V
CE
= 2 V
F = 2 GHz的
12
10
8
6
4
2
0
1
V
CE
= 1 V
F = 2 GHz的
10
集电极电流I
C
（MA ）
100
插入功率增益与频率
35
插入功率增益| S
21e
|
2
（ dB）的
插入功率增益| S
21e
|
2
（ dB）的
插入功率增益与频率
35
30
25
20
15
10
5
0
0.1
1
频率f（ GHz）的
10
V
CE
= 2 V
I
C
= 10毫安
30
25
20
15
10
5
0
0.1
1
频率f（ GHz）的
V
CE
= 1 V
I
C
= 10毫安
10
数据表P15438EJ1V0DS
5
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推荐型号
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2SB1371Q
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2SC5101
2SA0838B
2SC2958K
225LCA050M
2662H
2SB1319Q
2599M05A
2N3973
2490
24LC04B-E/SN
2SC4536-T1
2020-200
262167
225P12491X
2SA1625
2N5088RLRA
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