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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC5101
描述
·采用TO- 3PML包
·补键入2SA1909
应用
·音频和通用
钉扎
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形( TO- 3PML )和符号
描述
绝对最大额定值( TC = 25 )
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
200
140
6
10
4
80
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
1
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
条件
I
C
= 50毫安;我
B
=0
I
C
= 5 A;我
B
=0.5 A
V
CB
= 200V ,我
E
=0
V
EB
= 6V ;我
C
=0
I
C
= 3A ; V
CE
=4V
I
E
= -0.5A ; V
CE
=12V
I
E
=0; V
CB
=10V;f=1MHz
50
140
2SC5101
符号
V
( BR ) CEO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
典型值。
最大
单位
V
0.5
10
10
180
20
250
V
A
A
兆赫
pF
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
=5A;R
L
=12@
I
B1
=-I
B2
=0.5A
V
CC
=60V
0.24
4.32
0.40
s
s
s
h
FE
分类
O
50-100
P
70-140
Y
90-180
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC5101
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC5101
4
2SC5101
硅NPN三重扩散平面晶体管
(补键入2SA1909 )
s
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
Tj
T
英镑
2SC5101
200
140
6
10
4
80(Tc=25°C)
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
应用:
音频和通用
(Ta=25°C)
2SC5101
10
最大
10
最大
140
50
0.5
最大
20
典型值
250
典型值
V
兆赫
16.2
s
电气特性
符号
I
CBO
I
EBO
V
( BR ) CEO
h
FE
V
CE
(SAT)
f
T
C
OB
h
FE
条件
V
CB
=200V
V
EB
=6V
I
C
=50mA
V
CE
= 4V ,我
C
=3A
I
C
= 5A ,我
B
=0.5A
V
CE
= 12V,我
E
=–0.5A
V
CB
= 10V , F = 1MHz的
外形尺寸
FM100(TO3PF)
0.8
±0.2
15.6
±0.2
5.5
±0.2
3.45
±0.2
5.5
3.3
±0.2
1.6
单位
A
23.0
±0.3
V
9.5
±0.2
A
a
b
pF
1.75
2.15
1.05
+0.2
-0.1
5.45
±0.1
1.5
4.4
5.45
±0.1
1.5
0.65
+0.2
-0.1
3.3
0.8
O( 50100 ),P( 70140 )中,Y (90 180)
s
典型的开关特性(共发射极)
V
CC
(V)
60
R
L
()
12
I
C
(A)
5
V
BB1
(V)
10
V
BB2
(V)
–5
I
B1
(A)
0.5
I
B2
(A)
–0.5
t
on
(
s)
0.24typ
t
英镑
(
s)
4.32typ
t
f
(
s)
0.40typ
3.35
B
C
E
重量:约6.5克
一。型号
B 。批号
I
C
– V
CE
特征
(典型值)
m
0m
A
20
0
mA
1
A
50m
V
权证
(SAT) - 我
B
特征
(典型值)
ollector - è手套儿个TU配给武LT年龄V
权证(SAT)
( V )
3
I
C
– V
温度特性
(典型值)
10
( V
CE
=4 V )
10
A
I
B
=4
30
00
8
醇L E (C T) R C乌尔 - [R EN T I
C
( A)
100m
A
8
醇L E (C T) R C乌尔鄂西北我
C
( A)
75mA
2
6
50微米的
6
4
20米一
1
2
10mA
0
I
C
= 1 0A
5A
0
0
0 .5
1.0
巴发E C-UR EN T I
B
( A)
1 .5
2 .0
0
0
0
1
2
3
4
25C
2
–30C
(案例
Te
CAS
125
C (
(案例
1
巴发E - ê米I T吨ER V 0 1吨GE V
BE
( V )
MP )
4
ê特
MP )
温度
)
3.0
2
联合L L EC T或 - 惠吨吨呃武升踏歌V
权证
(V)
(V
权证
=4 V)
200
D C铜RR连接吨嘎我N·H
F ê
D C C-UR重新NT嘎我N·H
FE
300
1 25 C
100
25C
– 30 C
( V
权证
= 4V)
瞬态热阻
θ
-a
(℃ / W)的
h
F ê
– I
C
特征
(典型值)
h
F ê
– I
C
温度特性
(典型值)
θ
的J - 一
- T特征
3
典型值
100
1
0.5
50
50
20
0.02
0.1
0. 5
1
5
10
20
0.02
0. 1
0 .5
1
5
10
0.1
1
10
1 00
时间t( ms)的
1 0 0 0 20 0 0
联合L L ECT Curre NT I
C
(A )
联合L L EC为R C乌尔 - [R EN T I
C
( A)
f
T
– I
E
特征
(典型值)
(V
权证
=1 2 V)
40
30
安全工作区
(单脉冲)
80
电脑 - 钽降额
10
30
合作llec吨 R C ü R R简T I
C
( A )
马X IMU米宝宽E R D所I S的I P A T I O 4 N P
C
( W )
10
铜吨-O FF量F r é Q ü简和Y F
T
( M·H
Z
)
W
60
10
第i个
ms
s
0m
典型值
5
D
In
C
ITE
he
20
40
at
si
nk
1
0 .5
无需散热器
自然冷却
10
20
无需散热器
0
–0.02
– 0. 1
–1
EMI吨T E R C ü RRE NT I
E
(A )
–10
0 .1
3
5
10
50
1 00
20 0
3.5
0
0
25
50
75
100
1 25
15 0
OL升EC T或 - EM I T TE 卷吨AG电子V
权证
( V)
我的双鄂西北率T e米P·E·R的T ü T A ( C)
127
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC5101
描述
·带
TO- 3PML包
.Complement
键入2SA1909
应用
·音频
和通用
钉扎
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形( TO- 3PML )和符号
描述
绝对最大额定值( TC = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
200
140
6
10
4
80
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
1
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
V
( BR ) CEO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
条件
I
C
= 50毫安;我
B
=0
I
C
= 5 A;我
B
=0.5 A
V
CB
= 200V ,我
E
=0
V
EB
= 6V ;我
C
=0
I
C
= 3A ; V
CE
=4V
I
E
= -0.5A ; V
CE
=12V
I
E
=0; V
CB
=10V;f=1MHz
50
20
250
140
典型值。
2SC5101
最大
单位
V
0.5
10
10
180
V
μA
μA
兆赫
pF
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
=5A;R
L
=12Ω
I
B1
=-I
B2
=0.5A
V
CC
=60V
0.24
4.32
0.40
μs
μs
μs
h
FE
分类
O
50-100
P
70-140
Y
90-180
2
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC5101
图2外形尺寸
3
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC5101
4
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC5101
描述
·带
TO- 3PML包
.Complement
键入2SA1909
应用
·音频
和通用
钉扎
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形( TO- 3PML )和符号
描述
绝对最大额定值( TC = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
固电
IN
集电极 - 基极电压
导½
发射极开路
开基
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
的HAn
C
ES
G
ON
MIC
E
条件
OR
DUT
价值
200
140
6
10
4
单位
V
V
V
A
A
W
集电极开路
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
80
150
-55~150
1
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
V
( BR ) CEO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
条件
I
C
= 50毫安;我
B
=0
I
C
= 5 A;我
B
=0.5 A
V
CB
= 200V ,我
E
=0
V
EB
= 6V ;我
C
=0
I
C
= 3A ; V
CE
=4V
I
E
= -0.5A ; V
CE
=12V
I
E
=0; V
CB
=10V;f=1MHz
50
20
250
140
典型值。
2SC5101
最大
单位
V
0.5
10
10
180
V
μA
μA
兆赫
pF
开关时间
t
on
t
s
t
f
电半
开启时间
贮存时间
下降时间
h
FE
分类
O
50-100
P
70-140
IN
ES
CH
Y
90-180
导½
I
C
=5A;R
L
=12Ω
I
B1
=-I
B2
=0.5A
V
CC
=60V
ON
MIC
E
OR
DUT
0.24
4.32
0.40
μs
μs
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC5101
固电
IN
ES
CH
导½
ON
MIC
E
OR
DUT
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC5101
固电
IN
ES
CH
导½
ON
MIC
E
OR
DUT
4
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    2SC5101
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联系人:刘经理
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地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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