【2SC5545NPN硅外延VHF / UHF宽带放大器REJ03G0747-0200（上ADE- 2】,IC型号2SC5545,2SC5545 PDF资料,2SC5545经销商,ic,电子元器件-51电子网

2SC5545

NPN硅外延

VHF / UHF宽带放大器

REJ03G0747-0200

（上ADE- 208-746 ）

Rev.2.00

Aug.10.2005

特点

出色的互调特性

高功率增益，低噪声系数;

PG = 16分贝（典型值）。， NF = 1.1分贝（典型值）。在f = 900MHz的

概要

瑞萨封装代码： PLSP0004ZA -A

（包名称： MPAK - 4 ）

2

1.集热器

2.辐射源

3. BASE

4.发射器

3

1

4

注：标记为“ ZS- ” 。

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

Pc

Tj

TSTG

评级

15

6

1.5

50

150

-55到+150

单位

V

mA

mW

°C

Rev.2.00 2005年8月10日第1页7

2SC5545

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

集电极基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流传输比

集电极输出电容

增益带宽积

功率增益

噪声系数

符号

V

（ BR ） CBO

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

h

FE

COB

f

T

PG

NF

民

15

—

80

—

10

14

—

典型值

—

120

0.69

12.6

16

1.1

最大

—

1

10

160

1.1

—

2.0

单位

V

A

mA

A

pF

GHz的

dB

测试条件

I

C

= 10ìA ，我

E

= 0

V

CB

= 12V，我

E

= 0

V

CE

= 6V ，R

BE

=

∞

V

EB

= 1.5V ，我

C

= 0

V

CE

= 3V ，我

C

= 20mA下

V

CB

= 3V ，我

E

= 0

F = 1MHz的

V

CE

= 3V ，我

C

= 20mA下

V

CE

= 3V ，我

C

= 20mA下

F = 900MHz的

V

CE

= 3V ，我

C

= 5毫安

F = 900MHz的

Rev.2.00 2005年8月10日第2 7

2SC5545

主要特点

最大集电极耗散曲线

PC（毫瓦）

200

直流电流传输比主场迎战

集电极电流

h

FE

V

CE

= 3 V

150

集电极耗散功率

直流电流传输比

50

100

150

200

100

50

0

1

2

5

10

20

50

100

环境温度

的Ta （℃）

集电极电流

I

C

（MA ）

集电极输出电容与

集电极 - 基极电压

（PF ）

I

E

= 0

F = 1MHz的

增益带宽积主场迎战

集电极电流

（千兆赫）

20

V

CE

= 3 V

16

2.0

C

ob

1.6

集电极输出电容

f

T

增益带宽积

1.2

12

0.8

8

0.4

4

0

0.1

0

1

2

5

10

20

50

100

0.2

0.5

1

2

5

10

集电极 - 基极电压

V

CB

(V)

集电极电流

I

C

（MA ）

功率增益与集电极电流

20

5

噪声系数与集电极电流

V

CE

= 3 V

PG（ dB）的

12

NF（ dB）的

16

4

F = 900MHz的

3

功率增益

8

噪声系数

100

2

4

V

CE

= 3 V

F = 900MHz的

1

0

1

0

2

5

10

20

50

1

2

5

10

20

50

100

集电极电流

I

C

（MA ）

集电极电流

I

C

（MA ）

Rev.2.00 2005年8月10日第3页7

2SC5545

S

21

参数与集电极电流

20

（ dB）的

V

CE

= 3 V

16

F = 1GHz的

|S

21

|

2

S

21

参数

12

8

4

0

1

2

5

10

20

50

100

集电极电流I

C

（MA ）

Rev.2.00 2005年8月10日第4 7

2SC5545

S11参数与频率的关系

.8

.6

.4

3

.2

4

5

10

0

.2

.4

.6 .8 1

1.5 2

3 45

10

–10

–.2

–5

–4

–3

–.4

–.6

–.8

–1.5

–2

–120°

–90°

–60°

–1

180°

0°

150°

30°

1

1.5

2

S21参数与频率的关系

90°

120°

规模： 10 /格。

60°

–150°

–30°

条件： V

CE

= 3 V，I

C

= 20毫安

100 2000兆赫（ 100兆赫步骤）

条件： V

CE

= 3 V，I

C

= 20毫安

100 2000兆赫（ 100兆赫步骤）

S12参数与频率的关系

90°

120°

S22参数与频率的关系

.8

.6

.4

3

1

1.5

2

规模： 0.04 / DIV 。

60°

150°

30°

.2

4

5

10

180°

0°

0

.2

.4

.6 .8 1

1.5 2

3 45

10

–10

–.2

–150°

–30°

–.4

–120°

–90°

–60°

–.6

–.8

–1.5

–2

–1

–5

–4

–3

条件： V

CE

= 3 V，I

C

= 20毫安

100 2000兆赫（ 100兆赫步骤）

条件： V

CE

= 3 V，I

C

= 20毫安

100 2000兆赫（ 100兆赫步骤）

Rev.2.00 2005年8月10日第5页7

2SC5545

NPN硅外延

VHF / UHF宽带放大器

ADE - 208-746 （ Z）

1日。版

1999年1月

特点

出色的互调特性

高功率增益，低噪声系数;

PG = 16分贝（典型值）。， NF = 1.1分贝（典型值）。在f = 900MHz的

概要

MPAK-4

2

3

1

4

1.集热器

2.辐射源

3. BASE

4.发射器

注：标记为

“ ZS- ” 。

2SC5545

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

Pc

Tj

TSTG

评级

15

6

1.5

50

150

-55到+150

单位

V

mA

mW

°C

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

集电极基极击穿

电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流传输比

集电极输出电容

增益带宽积

功率增益

噪声系数

符号

V

（ BR ） CBO

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

h

FE

COB

f

T

PG

NF

民

15

—

80

—

10

14

—

典型值

—

120

0.69

12.6

16

1.1

最大

—

1

10

160

1.1

—

2.0

单位

V

A

mA

A

V

pF

GHz的

dB

测试条件

I

C

= 10ìA ，我

E

= 0

V

CB

= 12V，我

E

= 0

V

CE

= 6V ，R

BE

= á

V

EB

= 1.5V ，我

C

= 0

V

CE

= 3V ，我

C

= 20mA下

V

CB

= 3V ，我

E

= 0

F = 1MHz的

V

CE

= 3V ，我

C

= 20mA下

V

CE

= 3V ，我

C

= 20mA下

F = 900MHz的

V

CE

= 3V ，我

C

= 5毫安

F = 900MHz的

2

2SC5545

主要特点

最大集电极耗散曲线

200

PC（毫瓦）

h

FE

200

直流电流传输比主场迎战

集电极电流

V

CE

= 3 V

集电极耗散功率

直流电流传输比

50

100

150

的Ta （℃）

200

150

100

50

0

1

2

5

10

20

50

100

环境温度

集电极电流

I

C

（MA ）

（PF ）

2.0

集电极输出电容与

集电极 - 基极电压

IE = 0

F = 1MHz的

20

（千兆赫）

增益带宽积主场迎战

集电极电流

V

CE

= 3 V

COB

1.6

16

集电极输出电容

f

T

1.2

增益带宽积

12

8

0.8

0.4

4

0

0.1

0

1

2

5

10

20

50

100

0.2

0.5

1

2

5

V

CB

(V)

10

集电极 - 基极电压

集电极电流

I

C

（MA ）

3

2SC5545

功率增益与集电极电流

20

5

V

CE

= 3 V

PG（ dB）的

NF（ dB）的

16

4

F = 900MHz的

噪声系数与集电极电流

12

3

功率增益

8

噪声系数

100

2

4

V

CE

= 3 V

F = 900MHz的

1

0

1

0

2

5

10

20

I

C

50

（MA ）

1

2

5

10

20

50

100

集电极电流

I

C

（MA ）

20

（ dB）的

S

21

参数与集电极电流

V

CE

= 3 V

16

F = 1GHz的

|S

21

|

S

21

参数

2

12

8

4

0

1

2

5

10

20

50

100

集电极电流I

C

（MA ）

4

2SC5545

S11参数与频率的关系

.8

.6

.4

3

.2

4

5

10

0

.2

.4

.6 .8 1

1.5 2

3 45

10

–10

–.2

–5

–4

–3

–.4

–.6

–.8

–1.5

–2

–120°

–90°

–60°

–1

180°

0°

150°

30°

1

1.5

2

S21参数与频率的关系

90°

120°

规模： 10 /格。

60°

–150°

–30°

条件： V

CE

= 3 V，I

C

= 20毫安

100 2000兆赫（ 100兆赫步骤）

条件： V

CE

= 3 V，I

C

= 20毫安

100 2000兆赫（ 100兆赫步骤）

S12参数与频率的关系

90°

120°

S22参数与频率的关系

.8

.6

.4

3

1

1.5

2

规模： 0.04 / DIV 。

60°

150°

30°

.2

4

5

10

180°

0°

0

.2

.4

.6 .8 1

1.5 2

3 45

10

–10

–.2

–150°

–30°

–.4

–120°

–90°

–60°

–.6

–.8

–1.5

–2

–1

–5

–4

–3

条件： V

CE

= 3 V，I

C

= 20毫安

100 2000兆赫（ 100兆赫步骤）

条件： V

CE

= 3 V，I

C

= 20毫安

100 2000兆赫（ 100兆赫步骤）

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