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晶体管
2SB1370
2SB1655 / 2SB1565
(94L-411-B303)
(94L-456-B349)
319
晶体管
2SB1370
2SB1655 / 2SB1565
(94L-411-B303)
(94L-456-B349)
319
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
2SB1370
描述
ULOW
集电极饱和电压 -
: V
CE （ SAT ）
= -0.3V(Typ.)@I
C
= -2A
良好
h的线性度
FE
ùWide
安全工作区
应用
·设计
电源开关应用
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
EBO
发射极 - 基极电压
I
C
集电极电流连续
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
价值
单位
-60
V
-60
V
-5
V
-3
A
-6
A
2
W
30
I
CM
集电极电流峰值
集电极耗散功率
@ T
a
=25℃
P
C
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
T
J
结温
150
℃
T
英镑
存储温度范围
-55~150
℃
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
I
CBO
I
EBO
h
FE
C
OB
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
条件
I
C
= -1mA ;我
B
= 0
B
2SB1370
民
-60
-60
-5
典型值。
最大
单位
V
V
V
I
C
= -50μA ;我
E
= 0
I
E
= -50μA ;我
C
= 0
I
C
= -2A ;我
B
= -0.2A
B
-1.5
-1.5
-10
-10
320
80
15
V
V
μA
μA
I
C
= -2A ;我
B
= -0.2A
B
输出电容
电流增益带宽积
h
FE
分类
E
100-200
F
160-320
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
V
EB
= -4V ;我
C
= 0
I
C
= -0.5A ; V
CE
= -5V
100
I
E
= 0; V
CB
= -10V ; F
TEST
= 1MHz的
I
C
= -0.5A ; V
CE
= -5V ; F
TEST
= 5MHz时，
V
CB
= -60V ;我
E
= 0
pF
兆赫
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
2SB1370
描述
ULOW
集电极饱和电压 -
: V
CE （ SAT ）
= -0.3V(Typ.)@I
C
= -2A
良好
h的线性度
FE
ùWide
安全工作区
应用
·设计
电源开关应用
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
价值
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
-60
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
-60
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
-5
V
I
C
集电极电流连续
-3
A
I
CM
集电极电流峰值
集电极耗散功率
@ T
a
=25℃
-6
A
2
W
P
C
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
T
J
结温
30
150
℃
T
英镑
存储温度范围
-55~150
℃
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
I
CBO
I
EBO
h
FE
C
OB
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
输出电容
电流增益带宽积
条件
I
C
= -1mA ;我
B
= 0
B
2SB1370
民
-60
-60
-5
典型值。
最大
单位
V
V
V
I
C
= -50μA ;我
E
= 0
I
E
= -50μA ;我
C
= 0
I
C
= -2A ;我
B
= -0.2A
B
-1.5
-1.5
-10
-10
100
80
15
320
V
V
μA
μA
I
C
= -2A ;我
B
= -0.2A
B
V
CB
= -60V ;我
E
= 0
V
EB
= -4V ;我
C
= 0
I
C
= -0.5A ; V
CE
= -5V
I
E
= 0; V
CB
= -10V ; F
TEST
= 1MHz的
I
C
= -0.5A ; V
CE
= -5V ; F
TEST
= 5MHz时，
pF
兆赫
h
FE
分类
E
100-200
F
160-320
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB1370
·
描述
·采用TO- 220Fa包
·P
C
=2W(T
a
= 25 ） / 30W （T
C
=25 )
·低集电极饱和电压
·安全运行的广域
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器
BASE
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
参数
集电极 - 基极电压
集电极发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
T
a
=25
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25
T
j
T
英镑
结温
储存温度
30
150
-55~150
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-60
-60
-5
-3
-6
2.0
W
单位
V
V
V
A
A
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
条件
I
C
= -1mA ;我
B
=0
I
C
= -50μA ;我
E
=0
I
E
= -50μA ;我
C
=0
I
C
= -2A ，我
B
=-0.2A
I
C
= -2A ;我
B
=-0.2A
V
CB
= -60V ;我
E
=0
V
EB
= -4V ;我
C
=0
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-5V
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-5V
F = 1MHz的; V
CB
=10V
100
民
-60
-60
-5
2SB1370
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
典型值。
最大
单位
V
V
V
-1.5
-1.5
-10
-10
320
15
80
V
V
A
A
兆赫
pF
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB1370
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）
3
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2N3421JANTX
2SA1649-Z
223886944688
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    2SB1370
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全系列封装原装正品★晶体管
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2SB1370
HM
1922+
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898000
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电话：0755-88917652分机801-83200050
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2SB1370
KEC
1922+
9852
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ROHM/罗姆
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8640
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地址：深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
2SB1370
ROHM/罗姆
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