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2SC5219
硅NPN三重扩散平面
应用
字符显示水平偏转输出
特点
高的击穿电压
V
CES
= 1700 V
高速开关
t
f
= 0.15微秒（典型值）
内置阻尼二极管类型
独立包装
TO-3PFM
概要
TO-3PFM
2
1.基地
2.收集
3.辐射源
1
I
D
1
2
3
3
2SC5219
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
二极管电流
注意：
1.价值在T
C
= 25°C
符号
V
CES
V
EBO
I
C
I
C（峰值）
P
C
*
Tj
TSTG
I
D
1
评级
1700
6
8
16
50
150
-55到+150
8
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
A
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
发射器基极击穿
电压
收藏家Cuto FF电流
直流电流传输比
集电极到发射极饱和
电压
基地发射极饱和
电压
阻尼器的正向电压
二极管
下降时间
符号
V
（ BR ） EBO
I
CES
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
ECF
t
f
民
6
—
6
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
0.15
最大
—
500
25
5
1.5
2
0.3
V
V
V
s
单位
V
A
测试条件
I
E
= 500毫安，我
C
= 0
V
CE
= 1700 V ，R
BE
= 0
V
CE
= 5 V，I
C
= 1 A
I
C
= 6 A，I
B
= 1.5 A
I
C
= 6 A，I
B
= 1.5 A
I
F
= 8 A
I
CP
= 6 A，I
B1
= 1.5 A,
f
H
= 31.5千赫
2
2SC5219
最大集电极耗散曲线
100
集电极耗散功率PC（ W）
75
50
25
0
50
100
150
200
壳温度（ ° C）
安全工作区
20
I
C
(A)
（ 400 V ， 16 A）
16
集电极电流
12
8
（ 600 V ， 6 A）
4
I
B2
= –1 A
L = 180
H
值班< 1 ％
（ 900 V， 2 A）
（ 1700 V ，0.5 mA）的
0
400
800 1200 1600 2000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
典型的输出特性
10
I
C
(A)
TC = 25
°C
2.0 A
1.8 A
1.6 A
1.4 A
1.2 A
1.0 A
0.8 A
0.6 A
0.4 A
集电极电流
5
0.2 A
I
B
=0
0
5
10
集电极到发射极电压V
CE
(V)
3
2SC5219
直流电流传输比
与集电极电流
100
h
FE
直流电流传输比
50
20
10
5
2
1
0.1
V
CE
= 5 V
0.2
0.5
1
集电极电流
2
5
I
C
(A)
10
25
°C
TC = -25
°C
75
°C
集电极到发射极饱和电压
与集电极电流
集电极到发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
(V)
10
5
2
1
75
°C
I
C
/ I
B
= 4
0.5
TC = -25
°C
0.2
0.1
25
°C
0.2
0.5
1
2
5
集电极电流I
C
(A)
基地发射极饱和电压
与集电极电流
10
0.05
0.1
10
基地发射极电压Saturetion
V
BE （ SAT ）
(V)
I
C
/ I
B
= 4
5
2
1
TC = -25°C
25
°C
0.5
0.2
0.1
75
°C
0.2
0.5
1
2
5
集电极电流I
C
(A)
10
4
2SC5219
集电极到发射极饱和电压
与基极电流
集电极到发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
(V)
10
TC = 25
°C
5
I
C
= 4 A
6A
8A
0
0.1
0.2
0.5
1
基极电流
2
5
I
B
(A)
10
下降时间与基极电流
1.0
I
CP
= 6 A
f
H
= 31.5千赫
0.8
秋季时间t
f
(s)
0.6
0.4
0.2
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
基极电流I
B1
(A)
5
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28C011TRPFE-15
2SC2411
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200AXF120M20X20
2SK2543_06
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