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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB707 2SB708
描述
·带
TO- 220封装
.Complement
键入2SD568 / 569
应用
For
低频功率放大器
低速切换使用工业
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
绝对最大额定值（Ta = 25
℃
)
符号
V
CBO
参数
集电极 - 基极电压
2SB707
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2SB708
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
T
a
=25℃
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
40
150
-55~150
℃
℃
集电极开路
开基
-80
-7
-7
-15
-3.5
1.5
W
V
A
A
A
条件
发射极开路
价值
-80
-60
V
单位
V
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
2SB707 2SB708
民
典型值。
最大
单位
2SB707
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
2SB708
I
C
= -10mA ;我
B
=0
-60
V
-80
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=-5A;I
B
=-0.5 A
-0.5
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
=-5A;I
B
=-0.5 A
-1.5
V
μA
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= -60V ;我
E
=0
-10
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= -5V ;我
C
=0
-10
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= -3A ; V
CE
=-1V
40
200
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= -5A ; V
CE
=-1V
20
h
FE-2
分类
R
40-80
O
60-120
Y
100-200
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB707 2SB708
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB707 2SB708
描述
·带
TO- 220封装
.Complement
键入2SD568 / 569
应用
For
低频功率放大器
低速切换使用工业
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
绝对最大额定值（Ta = 25
℃
)
符号
V
CBO
参数
固电
IN
导½
半
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
发射极 - 基极电压
集电极电流
ES
昂
CH
2SB707
2SB708
发射极开路
MIC
E
条件
ND
O
OR
UCT
价值
-80
-60
-80
-7
-7
-15
-3.5
单位
V
开基
V
集电极开路
V
A
A
A
集电极电流峰值
基极电流
T
a
=25℃
1.5
W
40
150
-55~150
℃
℃
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
2SB707 2SB708
民
典型值。
最大
单位
2SB707
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
2SB708
I
C
= -10mA ;我
B
=0
-60
V
-80
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=-5A;I
B
=-0.5 A
-0.5
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
=-5A;I
B
=-0.5 A
-1.5
V
μA
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= -60V ;我
E
=0
-10
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= -5V ;我
C
=0
-10
h
FE-1
直流电流增益
h
FE-2
h
FE-2
分类
R
40-80
O
固电
IN
直流电流增益
导½
半
Y
100-200
I
C
= -3A ; V
CE
=-1V
40
200
I
C
= -5A ; V
CE
=-1V
20
60-120
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB707 2SB708
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB707 2SB708
描述
·带
TO- 220封装
.Complement
键入2SD568 / 569
应用
For
低频功率放大器
低速切换使用工业
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
绝对最大额定值（Ta = 25
℃
)
符号
V
CBO
参数
集电极 - 基极电压
2SB707
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2SB708
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
T
a
=25℃
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
40
150
-55~150
℃
℃
集电极开路
开基
-80
-7
-7
-15
-3.5
1.5
W
V
A
A
A
条件
发射极开路
价值
-80
-60
V
单位
V
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
2SB707 2SB708
民
典型值。
最大
单位
2SB707
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
2SB708
I
C
= -10mA ;我
B
=0
-60
V
-80
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=-5A;I
B
=-0.5 A
-0.5
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
=-5A;I
B
=-0.5 A
-1.5
V
μA
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= -60V ;我
E
=0
-10
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= -5V ;我
C
=0
-10
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= -3A ; V
CE
=-1V
40
200
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= -5A ; V
CE
=-1V
20
h
FE-2
分类
R
40-80
O
60-120
Y
100-200
2
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB707 2SB708
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB707 2SB708
描述
·采用TO- 220封装
·补键入2SD568 / 569
应用
·对于低频功率放大器
低速切换使用工业
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
绝对最大额定值（ TA = 25 ）
符号
V
CBO
参数
集电极 - 基极电压
2SB707
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2SB708
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
T
a
=25
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25
T
j
T
英镑
结温
储存温度
40
150
-55~150
集电极开路
开基
-80
-7
-7
-15
-3.5
1.5
W
V
A
A
A
条件
发射极开路
价值
-80
-60
V
单位
V
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
2SB707
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
2SB708
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
I
C
=-5A;I
B
=-0.5 A
I
C
=-5A;I
B
=-0.5 A
V
CB
= -60V ;我
E
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -3A ; V
CE
=-1V
I
C
= -5A ; V
CE
=-1V
I
C
= -10mA ;我
B
=0
条件
2SB707 2SB708
符号
民
-60
典型值。
最大
单位
V
-80
-0.5
-1.5
-10
-10
40
20
200
V
V
A
A
h
FE-2
分类
R
40-80
O
60-120
Y
100-200
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB707 2SB708
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
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