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2SC5086FT
东芝晶体管NPN硅外延平面型
2SC5086FT
VHF UHF波段低噪声放大器的应用
低噪声系数,增益高。
NF = 1.1分贝, | S
21e
|
2
= 11分贝( F = 1千兆赫)
单位:mm
绝对最大额定值
(大
=
25°C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
基极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
B
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
20
12
3
40
80
100
125
55~125
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
注:在重负载下连续使用的(如高的应用
温度/电流/电压和在显著变化
温度等)可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使工作条件下(即
工作温度/电流/电压等)内的
绝对最大额定值。
请在审查设计相应的可靠性
东芝半导体可靠性手册( “处理
注意事项“ / ”降额的概念和方法“ )和个人
可靠性数据(即可靠性试验报告,估计故障率,
等)。
JEDEC
JEITA
东芝
2-1B1A
重量: 0.0022克(典型值)。
微波特性
(大
=
25°C)
特征
跃迁频率
插入增益
符号
f
T
S
21e
(1)
S
21e
(2)
NF (1)
NF( 2)
2
2
测试条件
V
CE
=
10 V,I
C
=
20毫安
V
CE
=
10 V,I
C
=
20毫安,女
=
500兆赫
V
CE
=
10 V,I
C
=
20毫安,女
=
1 GHz的
V
CE
=
10 V,I
C
=
5毫安,女
=
500兆赫
V
CE
=
10 V,I
C
=
5毫安,女
=
1 GHz的
5
7.5
典型值。
7
16.5
11
1
1.1
最大
2
单位
GHz的
dB
噪声系数
dB
电气特性
(大
=
25°C)
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
输出电容
反向传输电容
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
(注1 )
C
ob
C
re
测试条件
V
CB
=
10 V,I
E
=
0
V
EB
=
1 V,I
C
=
0
V
CE
=
10 V,I
C
=
20毫安
V
CB
=
10 V,I
E
=
0, f
=
1兆赫
80
典型值。
1.0
0.65
最大
1
1
240
1.15
pF
pF
单位
μA
μA
(注2 )
注1 :H
FE
分类○: 80 160 , Y: 120 240
注2 :C
re
由3端子法与电容电桥测量。
1
2007-11-01
2SC5086FT
记号
2
2007-11-01
2SC5086FT
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
20070701 - EN GENERAL
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等) ,这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品,不得使用或嵌入到任何下游产品,其中
制造,使用和/或出售的任何可适用的法律,法规禁止的。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利
东芝或第三方。
请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节
兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品
该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任
如发生不遵守适用的法律和法规的结果。
3
2007-11-01
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    -
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