UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
25N10
初步
功率MOSFET
N沟道增强
MODE POWER MOSFET
描述
在UTC
25N10
是N沟道增强模式功率
MOSFET和它使用UTC完美的技术，提供设计师
与快速切换，加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
它一般适用于所有商业工业应用
和DC / DC转换器需要较低的电压。
特点
*单驱动要求
*低栅极电荷
*符合RoHS标准
符号
订购信息
订购数量
无铅电镀
无卤
25N10L-TN3-R
25N10G-TN3-R
包
TO-252
引脚分配
1
2
3
G
D
S
填料
带盘
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2010 Unisonic技术有限公司
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QW-R502-448.a
25N10
绝对最大额定值
参数
漏源电压
门源电压
初步
功率MOSFET
符号
评级
单位
V
DSS
100
V
V
GSS
±20
V
T
C
=25°C
I
D
23
A
连续漏电流（ V
GS
=10V)
T
C
= 100°C
I
D
14.6
A
漏电流脉冲（注2 ）
I
DM
80
A
总功耗
(T
C
=25°C)
P
D
41
W
工作结温
T
J
-55 ~ +150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注： 1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.脉冲宽度有限的最大。结温
热数据
参数
结到环境
结到外壳
符号
θ
JA
θ
JC
评级
100
3
单位
° C / W
° C / W
电气特性
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
漏极 - 源极漏电流
符号
BV
DSS
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=1mA
民
100
0.14
25
100
±100
2
14
1060 1700
270
8
1.5
2.3
19
5
6
10
28
17
2
30
4
80
典型最大单位
V
V /°C的
A
A
nA
V
m
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
ns
nC
ΔBV
DSS
/ΔT
J
参考至25℃ ，我
D
=1mA
I
DSS
V
DS
=100V, V
GS
= 0V ，T
J
=25°C
V
DS
=80V, V
GS
=0V,T
J
=150°C
V
GS
=±20V
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
基本特征
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
, I
D
=250A
静态漏源导通电阻（注）
R
DS （ ON）
V
GS
= 10V ，我
D
=16A
正向跨导
g
FS
V
DS
= 10V ，我
D
=16A
动力参数
输入电容
C
国际空间站
V
DS
=25V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
栅极电阻
R
G
f=1.0MHz
切换参数
总栅极电荷（注）
Q
G
V
GS
=10V, V
DS
= 80V ，我
D
=16A
门源电荷
Q
GS
闸漏极电荷
Q
GD
1
导通延迟时间
t
D（上）
开启上升时间
t
R
V
DD
= 50V ，我
D
= 16A ，R
G
=3.3,
V
GS
= 10V ，R
D
=3.125
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压（注）
V
SD
I
S
= 16A ，V
GS
=0V
反向恢复时间
t
RR
=16A,V
GS
=0V,
I
S
dI/dt=100A/s
反向恢复电荷
Q
RR
注：脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
1.3
90
380
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25N10
初步
功率MOSFET
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
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可靠，可恕不另行通知。
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