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功率晶体管
2SC5032
硅NPN三重扩散平面型
对于高击穿电压的高速开关
单位：mm
4.6±0.2
s
特点
q
q
q
q
q
φ3.2±0.1
9.9±0.3
2.9±0.2
4.1±0.2 8.0±0.2
浸焊
13.7
–0.2
+0.5
高速开关
高集电极到基极电压V
CBO
安全运行的广域（ ASO ）
的盼着电流传输比H良好的线性
FE
全包封装以优异的绝缘性，其可以是IN-
停滞在散热用一个螺钉
(T
C
=25C)
评级
500
500
400
7
6
3
1.2
30
2
150
-55到+150
单位
V
15.0±0.3
3.0±0.2
1.2±0.15
1.45±0.15
0.75±0.1
2.54±0.2
5.08±0.4
1 2 3
2.6±0.1
0.7±0.1
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
基极电流
集电极电流T
C
=25°C
耗散
Ta=25°C
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
7°
V
V
V
A
A
A
W
C
C
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
TO- 220E全包套餐
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极到发射极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
(T
C
=25C)
符号
I
CBO
I
EBO
V
首席执行官
h
FE1
h
FE2
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
t
on
t
英镑
t
f
条件
V
CB
= 500V ，我
E
= 0
V
EB
= 5V ，我
C
= 0
I
C
= 10毫安，我
B
= 0
V
CE
= 5V ，我
C
= 0.1A
V
CE
= 2V ，我
C
= 1.2A
I
C
= 1.5A ，我
B
= 0.3A
I
C
= 1.5A ，我
B
= 0.3A
V
CE
= 10V ，我
C
= 0.2A ， F = 1MHz的
I
C
= 1.5A ，我
B1
= 0.15A ，我
B2
= – 0.3A,
V
CC
= 200V
10
1.0
3.0
0.3
400
10
8
40
1.0
1.5
V
V
兆赫
s
s
s
民
典型值
最大
100
100
单位
A
A
V
1
功率晶体管
P
C
- TA
40
6
T
C
=25C
(1) T
C
= TA
（2）在一个100
×
100
×
2mm
铝散热器
（ 3 ）不带散热片
(P
C
=2W)
2SC5032
I
C
— V
CE
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
100
I
C
/I
B
=5
30
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.1
T
C
=100C
25C
–25C
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极耗散功率P
C
(W)
5
30
集电极电流I
C
(A)
(1)
I
B
=500mA
4
400mA
300mA
3
200mA
100mA
50mA
1
20
2
10 (2)
(3)
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
0
2
4
6
8
10
12
0.3
1
3
10
30
100
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
V
BE （ SAT ）
— I
C
100
h
FE
— I
C
I
C
/I
B
=5
1000
V
CE
=5V
100
f
T
— I
C
V
CE
=10V
f=1MHz
T
C
=25C
基地发射极饱和电压V
BE （ SAT ）
(V)
正向电流传输比H
FE
30
300
过渡频率f
T
（兆赫）
0.3
1
3
10
30
10
100
T
C
=125C
30
25C
10
–25C
10
3
T
C
=–25C
125C
25C
0.3
3
1
1
3
0.3
0.1
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
0.01 0.03
0.1
0.1
0.01 0.03
0.1
0.3
1
3
10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
C
ob
— V
CB
1000
100
I
E
=0
f=1MHz
T
C
=25C
30
t
on
, t
英镑
, t
f
— I
C
脉冲吨
w
=1ms
占空比= 1 ％
I
C
/I
B
=10
(2I
B1
=–I
B2
)
V
CC
=200V
T
C
=25C
t
英镑
安全操作区（ ASO ）
100
30
非重复脉冲
T
C
=25C
集电极输出电容C
ob
（PF ）
开关时间t
on
,t
英镑
,t
f
(
s
)
300
集电极电流I
C
(A)
10
3
1
t
on
0.3
0.1
0.03
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
100
I
CP
I
C
10ms
DC
t=1ms
30
10
t
f
3
1
1
3
10
30
100
0.01
0
1
2
3
4
1
3
10
30
100
300
1000
集电极基极电压V
CB
(V)
集电极电流I
C
(A)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
2
功率晶体管
安全运行方面，反向偏压ASO
4.0
3.5
L
COIL
=100H
I
C
/I
B
=5
(I
B1
=–I
B2
)
T
C
=25C
2SC5032
反向偏压ASO测量电路
L的线圈
I
B1
V
in
T.U.T
I
C
集电极电流I
C
(A)
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
I
C
–I
B2
V
CC
t
W
VCLAMP
100 200 300 400 500 600 700 800
集电极到发射极电压V
CE
(V)
R
日（T ）
— t
10000
注释：R
th
测量在Ta = 25℃，在自然对流。
(1) P
T
=10V
×
0.2A （ 2W ）和不带散热片
(2) P
T
=10V
×
1.0A （ 10W ）中，用一个100
×
100
×
2毫米铝散热片
热阻R
th
（吨）（ C / W）
1000
100
(1)
10
(2)
1
0.1
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
10
2
10
3
10
4
时间t （S ）
3
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