2SK1809
硅N沟道MOS FET
应用
高速电源开关
特点
低导通电阻
高速开关
低驱动电流
无二次击穿
适合switchingregulator ， DC-DC转换
概要
TO-220AB
D
G
1
2
3
1.门
2.漏
（法兰）
3.源
S
2SK1809
功率与温度降额
90
通道耗散P沟（W）的
50
30
漏电流I
D
(A)
10
PW
=
10
10
0
最高安全工作区
s
s
60
1
3
1
0.3
0.1
0.05
D
C
O
s
m
10
m
操作在此
面积有限
由R
DS
（上）
pe
ra
TIO
s
(1
)
ot
Sh
30
n
(T
c
=
25
TA = 25°C
1
3
10
30
100
°C
)
0
50
100
150
300
1000
壳温度（ ° C）
漏极至源极电压V
DS
(V)
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
3
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.03
0.01
10
0.01
1次脉冲
100
1m
10 m
脉冲宽度PW （S ）
100 m
θ
CH - C （ T） =
γ
秒（吨） 。
θ
CH - C
θ
CH - C = 2.08 ° C / W ，TC = 25°C
PW
= T
P
DM
T
PW
TC = 25°C
1.0
1
10
4
