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JMnic

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC4940

描述

·带

的ITO -220封装

切换

功率晶体管

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器

辐射源

Fig.1简化外形（ ITO - 220 ）和符号

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

I

BM

P

T

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

基极电流峰值

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25℃

发射极开路

开基

集电极开路

条件

价值

1200

550

7

4

8

2

4

30

150

-55~150

单位

V

V

V

A

A

A

A

W

℃

℃

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结案件

最大

4.16

单位

℃/W

JMnic

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC4940

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

CEO （ SUS ）

V

CESAT

V

BESAT

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

f

T

参数

集电极 - 发射极电压维持

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

额定volatge

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

跃迁频率

额定volatge

I

C

= 2A ; V

CE

=5V

I

C

= 1毫安; V

CE

=5V

I

C

= 0.4A ; V

CE

=10V

10

10

10

兆赫

0.1

mA

0.1

mA

条件

I

C

= 0.1A ;我

B

=0

I

C

= 2A ;我

B

=0.4A

I

C

= 2A ;我

B

=0.4A

民

550

1.0

1.5

典型值。

最大

单位

V

V

V

开关时间

t

on

t

s

t

f

开启时间

贮存时间

下降时间

I

C

=2A;I

B1

=0.4A

I

B2

= 0.8A ，R

L

=75Ω

V

BB2

=4V

0.8

3.0

0.3

μs

μs

μs

2

JMnic

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2SC4940

图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.20 MM）

3

新电元

开关功率晶体管

2SC4940

4A NPN

外形尺寸

案例： ITO -220

单位：mm

评级

.Absolute最大额定值

项

储存温度

结温

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流DC

集电极电流峰值

基极电流DC

基极电流峰值

总晶体管耗散

介电强度

安装力矩

符号

TSTG

Tj

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CP

I

B

I

BP

P

T

VDIS

器

条件

终端CASD ， AC 1分钟

（推荐扭矩）

评级

-55150

150

1200

550

7

4

8

2

4

30

2

0.5(0.3)

评级

550分钟

最大0.1

最大0.1

最大0.1

10个

10个

最大1.0

最大1.5

马克斯4.16

典型值10

最大0.8

最大3.0

最大0.3

单位

℃

℃

V

V

V

A

A

W

kV

N½m

●电气特性（ TC = 25 ℃ ）

项

符号

集电极到发射极耐受电压

V

首席执行官

（ SUS）的

收藏家Cuto FF电流

I

CBO

I

首席执行官

发射Cuto FF电流

I

EBO

直流电流增益

h

FE

h

FEL

集电极到发射极饱和电压

V

CE

（SAT）

基地发射极饱和电压

V

BE

（SAT）

热阻

θJC

跃迁频率

f

T

启动时间

吨

贮存时间

ts

下降时间

tf

版权所有&复印件; 2000新电元电Mfg.Co.Ltd

条件

I

C

= 0.1A

为V

CBO

为V

首席执行官

为V

EBO

V

CE

= 5V ，我

C

= 2A

V

CE

= 5V ，我

C

= 1毫安

I

C

= 2A

I

B

= 0.4A

结到外壳

V

CE

= 10V ，我

C

= 0.4A

I

C

= 2A

I

B1

= 0.4A ，我

B2

= 0.8A

R

L

= 75Ω, V

BB2

= 4V

单位

V

mA

mA

V

V

℃/W

兆赫

μs

2SC4940

h

FE

- I

C

V

CE

= 5V

脉冲宽度= 300μS

100

TC = 150℃

100°C

50°C

25°C

0°C

25°C

直流电流增益

FE

10

55°C

1

0.01

0.1

1

8

集电极电流I

C

[A]

2SC4940

饱和电压

3

0.5A

1A

2A

4A

2.5

3

I

C

= 0.25A

2.5

2

2

1.5

1.5

1

0.5A

1A

2A

集电极 - 发射极电压V

CE

[V]

I

C

= 0.25A

0.5

0.5

TC = 25°C

0

0.1

1

4

0

0.01

基极电流I

B

[A]

基极 - 发射极电压V

BE

[V]

4A

1

2SC4940

10

切换时间 - 我

C

I

B1

= 0.2I

C

I

B2

= 0.4I

C

V

BB2

= 4V

V

CC

= 150V

TC = 25°C

t

s

开关时间t

SW

[s]

1

t

on

t

f

0.1

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

集电极电流I

C

[A]

2SC4940

10

切换时间 - 锝

t

s

开关时间t

SW

[s]

1

t

on

t

f

0.1

I

C

= 2A

I

B1

= 0.4A

I

B2

= 0.8A

V

BB2

= 4V

R

L

= 75

0

50

100

150

壳温度[ ° C]

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC4940

描述

·带

的ITO -220封装

切换

功率晶体管

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器

辐射源

Fig.1简化外形（ ITO - 220 ）和符号

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

I

BM

P

T

T

j

T

英镑

参数

固电

IN

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

基极电流峰值

ES

昂

CH

T

C

=25℃

导½

半

条件

发射极开路

开基

集电极开路

ON

MIC

E

OR

DUT

价值

1200

550

7

4

8

2

4

30

150

-55~150

单位

V

V

V

A

A

A

A

W

℃

℃

总功耗

结温

储存温度

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结案件

最大

4.16

单位

℃/W

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC4940

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

CEO （ SUS ）

V

CESAT

V

BESAT

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

f

T

参数

集电极 - 发射极电压维持

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

额定volatge

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

额定volatge

I

C

= 2A ; V

CE

=5V

I

C

= 1毫安; V

CE

=5V

I

C

= 0.4A ; V

CE

=10V

10

10

0.1

mA

0.1

mA

条件

I

C

= 0.1A ;我

B

=0

I

C

= 2A ;我

B

=0.4A

I

C

= 2A ;我

B

=0.4A

民

550

1.0

1.5

典型值。

最大

单位

V

V

V

开关时间

t

on

t

s

t

f

固电

IN

跃迁频率

开启时间

贮存时间

下降时间

ES

昂

CH

导½

半

ON

MIC

E

OR

DUT

10

0.8

3.0

0.3

兆赫

μs

μs

μs

I

C

=2A;I

B1

=0.4A

I

B2

= 0.8A ，R

L

=75Ω

V

BB2

=4V

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2SC4940

固电

IN

ES

昂

CH

导½

半

ON

MIC

E

OR

DUT

图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.20 MM）

3

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC4940

描述

·随着ITO -220封装

·开关功率晶体管

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器

辐射源

Fig.1简化外形（ ITO - 220 ）和符号

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

I

BM

P

T

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

基极电流峰值

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25

发射极开路

开基

集电极开路

条件

价值

1200

550

7

4

8

2

4

30

150

-55~150

单位

V

V

V

A

A

A

A

W

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结案件

最大

4.16

单位

/W

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SC4940

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

集电极 - 发射极电压维持

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

额定volatge

I

首席执行官

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

f

T

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

跃迁频率

额定volatge

I

C

= 2A ; V

CE

=5V

I

C

= 1毫安; V

CE

=5V

I

C

= 0.4A ; V

CE

=10V

10

10

10

兆赫

0.1

mA

0.1

mA

条件

I

C

= 0.1A ;我

B

=0

I

C

= 2A ;我

B

=0.4A

I

C

= 2A ;我

B

=0.4A

民

550

1.0

1.5

典型值。

最大

单位

V

V

V

符号

V

CEO （ SUS ）

V

CESAT

V

BESAT

I

CBO

开关时间

t

on

t

s

t

f

开启时间

贮存时间

下降时间

I

C

=2A;I

B1

=0.4A

I

B2

= 0.8A ，R

L

=75C

V

BB2

=4V

0.8

3.0

0.3

s

s

s

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2SC4940

图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.20 MM）

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