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2SC2324(K)
NPN硅外延
ADE - 208-883 ( Z)
1日。版
2000年9月
应用
低频功率放大器
概要
TO- 126 MOD
2
3
1.发射器
2.收集
3. BASE
1
2
3
1
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C(峰值)
P
C
P
C
*
1
结温
储存温度
注意:
1.价值在T
C
= 25°C.
Tj
TSTG
评级
60
60
7
1
2
0.8
8
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
W
°C
°C
2SC2324(K)
电气特性
( TA = 25°C )
符号
60
7
2000
典型值
100
600
最大
10
1.5
2.0
V
V
ns
ns
V
CC
= 12 V
I
C
= 250毫安,我
B1
= –I
B2
= 5毫安
单位
V
V
A
测试条件
I
C
= 1毫安,R
BE
=
I
E
= 0.1毫安,我
C
= 0
V
CB
= 60 V,I
E
= 0
V
CE
= 10 V,I
C
= 500毫安*
1
I
C
= 500毫安,我
B
= 0.5毫安*
1
集电极到发射极击穿V
( BR ) CEO
电压
发射器基极击穿
电压
收藏家Cuto FF电流
直流电流传输比
集电极到发射极饱和
电压
基地发射极饱和
电压
启动时间
关闭时间
注意:
1.脉冲测试。
V
( BR ) EBO
I
CBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
t
on
t
关闭
最大集电极耗散曲线
10
集电极耗散功率PC( W)
3 i
C(峰值)
0
10
安全工作区
s
1
集电极电流I
C
(A)
8
1.0
I
C(最大值)
s
PW
6
0.3
TA = 25°C
1次脉冲
DC (T
C
= 25°C)
1m
s
=1
DC
0m
s
4
t
ERA
Op
2
0.1
离子
0.03
0
50
100
150
案例温度T
C
(°C)
200
1
2
5
10
20
50 100
集电极到发射极电压V
CE
(V)
2
2SC2324(K)
典型的输出特性
2.0
T
C
= 25°C
0.5
0.4
0.3
0.2
直流电流传输比主场迎战
集电极电流
10
5
直流电流传输比H
FE
V
CE
= 10 V
脉冲
TA = 75℃
25
–25
10
4
集电极电流I
C
(A)
1.6
1.2
0.1毫安
0.8
0.4
I
B
= 0
0
1
2
3
4
5
集电极到发射极电压V
CE
(V)
10
3
10
20
50 100 200
500 1,000
集电极电流I
C
(MA )
饱和电压与集电极电流
集电极到发射极饱和电压
V
CE (SAT)
(V)
基地发射极饱和电压
V
BE (SAT)
(V)
10
5
l
C
/l
B
= 1,000
脉冲
V
BE (SAT)
TA = -25°C
75
2
1.0
0.5
V
CE (SAT)
25
0.2
0.1
10
TA = -25°C
开关时间t(微秒)
25
3
1.0
10
开关时间与集电极电流
t
英镑
0.3
0.1
0.03
0.01
0.01
t
f
t
on
75
TA = 25°C
V
CC
= 12 V
I
CC
= 500 I
B1
= –500 I
B2
0.03
0.1
0.3
集电极电流I
C
(A)
1.0
20
50 100 200
500 1,000
集电极电流I
C
(MA )
3
2SC2324(K)
瞬态热阻
100
热阻
θ
J-
( ° C / W)
30
10
3
1.0
0.3
0.1
1
1
10
10
时间T
100
100
1,000 (s)
1000 ( ms)的
T
C
= 25°C
1–1,000 s
1-1000毫秒
4
2SC2324(K)
包装尺寸
单位:mm
8.0
±
0.5
0
°
12
φ
3.1
+0.15
–0.1
3.7
±
0.7
11.0
±
0.5
2.7
±
0.4
12
0
°
2.3
±
0.3
120°
1.1
15.6
±
0.5
0.8
2.29
±
0.5
2.29
±
0.5
0.55
1.2
日立代码
JEDEC
EIAJ
质谱(参考值)
TO- 126 MOD
0.67 g
5
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
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联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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